[发明专利]一种电介质，其制造方法，和半导体器件无效
| 申请号： | 96102557.3 | 申请日： | 1996-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1139819A | 公开（公告）日： | 1997-01-08 |
| 发明（设计）人： | 福田琢也;金井史幸;加藤圣隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有Si-F键和Si-O键的氟氧化硅薄膜被用于半导体期间的布线绝缘。且利用SiH2X2(X＝H，Cl，Br，OCH3，OC2H5，和OC3H5)气体作为反应物质形成电介质薄膜。可制造出布线延迟小可靠性高的半导体器件，因为具有Si-F键和Si-O键的氟氧化硅薄膜比具有Si-Si键和O-F键的氟氧化硅薄膜的介电常数小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电介质 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种电介质，包括在氟原子和硅原子间具有共价键的氟氧化硅化合物。
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- 2010-06-04 - 2013-12-25 - H01L21/314
- 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。
- 一种SiCOH薄膜及其制备方法-201310181432.2
- 丁士进;丁子君;谭再上;张卫 - 复旦大学
- 2013-05-16 - 2013-08-21 - H01L21/314
- 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4.1，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-5~10-7A/cm2数量级，杨氏模量为4.82GPa，硬度为1.11GPa。该SiCOH薄膜具有合适的介电常数，且该薄膜热稳定性突出，力学性能良好。该绝缘介质薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可以用于多孔介电层与帽层或扩散阻挡层之间，起到提高粘结强度以及密封多孔介电层孔结构的作用。
- 碳氮氧化硅膜的形成方法-201210581126.3
- 铃木启介;门永健太郎;李丙勲;李殷祚;孙成德;张宰赫;朴度炫 - 东京毅力科创株式会社
- 2012-12-27 - 2013-07-03 - H01L21/314
- 本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
