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[发明专利]结终端结构及其制备方法-CN201811557431.2有效
发明人：李巍;路鹏;张新;钟圣荣;邓小社 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种结终端结构及其制备方法。所述结终端结构包括原胞区、位于所述原胞区外周的终端区以及位于所述终端区外周的截止区；所述结终端结构包括：具有第一导电类型的衬底、形成于所述衬底之上的具有第一导电类型的外延层、形成于所述终端区的所述外延层中的环形槽及填充在所述环形槽中的氧化层、形成于所述终端区的所述外延层中的具有第二导电类型的场限环、形成于所述截止区的所述外延层中的具有第一导电类型的注入区、形成于所述原胞区的所述外延层中的具有第二导电类型的源区及形成于所述源区中的具有第一导电类型的体区。
终端结构及其制备方法

[发明专利]高可靠性沟槽型SiC功率半导体器件及制备方法-CN202310572379.2在审
发明人：卞玉洋;苏江;陈宝川;邓小社;朱阳军 -专利权人：芯长征微电子制造（山东）有限公司;江苏芯长征微电子集团股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠性沟槽型SiC功率半导体器件及制备方法。在所述SiC功率半导体器件的截面上，对沟槽型元胞，包括位于第一导电类型外延层内的元胞沟槽、分布于所述元胞沟槽两侧的第二导电类型屏蔽区以及用于包裹所述第二导电类型屏蔽区内侧的第一导电类型载流子存储区，其中，第一导电类型载流子存储区以及第二导电类型屏蔽区均呈阶梯式分布状态；第一导电类型载流子存储区以及第二导电类型屏蔽区相应的底部均位于元胞沟槽槽底的下方；元胞沟槽两侧的第一导电类型载流子存储区与第一导电类型外延层接触，并通过第一导电类型外延层间隔。本发明能有效降低栅极氧化层处的最大电场，同时保证功率半导体器件具有较小的导通电阻。
可靠性沟槽 sic 功率半导体器件制备方法

[发明专利]RC-IGBT功率器件及制备方法-CN202310340150.6在审
发明人：张广银;朱阳军;邓小社;杨飞;吴凯 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种RC‑IGBT功率器件及制备方法。其包括具有第一导电类型的衬底、制备于所述衬底正面的正面元胞结构以及制备于所述衬底背面的背面结构，还包括用于隔离第二导电类型集电区以及与所述第二导电类型集电区邻近第一导电类型FRD阴极区的背面隔离沟槽，背面隔离沟槽的外侧壁与所隔离的第二导电类型集电区以及第一导电类型FRD阴极区接触，所述背面隔离沟槽的槽底伸入第一导电类型场截止缓冲层内，且所述背面隔离沟槽的槽底由位于第一导电类型场截止缓冲层内的第二导电类型注入区包覆。本发明能降低IGBT与FRD间的相互影响，提高FRD反向恢复的软度，提升器件的整体性能。
rc igbt 功率器件制备方法

[发明专利]IGBT器件及其制备方法-CN202010418504.0在审
发明人：肖魁;卞铮;胡金节;方冬;邓小社;芮强;朱琳 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：漂移区；形成于漂移区内的体区；形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；沟槽，依次穿透第一掺杂区和体区并延伸至漂移区内；填充结构，包括形成于沟槽侧壁上且未形成于沟槽底部的氧化层和填充于沟槽内且相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构底部深度大于第二导电结构底部深度；扩展区，形成于沟槽下方的漂移区内并与第一导电结构接触；发射极引出结构，与第一掺杂区、第二掺杂区和接触；栅极引出结构，与第二导电结构接触；漂移区、第一掺杂区具有第一导电类型，体区、第二掺杂区、扩展区具有第二导电类型。通过形成包围沟槽底部的扩展区，可以提高IGBT器件的开关速度。
igbt 器件及其制备方法

[发明专利]反向导通绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201611250030.3有效
发明人：钟圣荣;邓小社 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种反向导通绝缘栅双极晶体管，该反向导通绝缘栅双极晶体管包括：N型衬底，包括第一面、以及与第一面相背的第二面；第一外延层，设置于所述N型衬底的所述第一面上；第二外延层，设置于所述第一外延层上；P型掺杂区，设置于所述N型衬底的第二面侧内；DMOS器件，连接于所述第二外延层上；金属层，设置于所述N型衬底的第二面。本发明设计了一种反向导通绝缘栅双极晶体管及其制备方法中，通过使N型衬底的掺杂浓度比第一外延层的掺杂浓度低，可以有效降低膝电压，改善snap‑back效应。
向导绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]整流器及其制造方法-CN201310456990.5有效
发明人：钟圣荣;王根毅;邓小社;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种整流器及其制造方法，该整流器包括元胞区域和保护环区域，元胞区域包括多个整流二极管，整流二极管包括衬底、位于衬底上的外延层、位于外延层上的P型区、贯穿P型区的沟槽、设于沟槽内的沟道多晶硅、位于沟槽的槽壁与沟道多晶硅之间的氧化层、位于P型区内且位于沟槽两侧的N+区、位于P型区、N+区和沟道多晶硅上的正面金属层以及位于衬底背面的背面金属层。该整流器采用沟道型MOS结构，消除了寄生JFET电阻，可以进一步降低整流器的正向导通压降。同时降低了芯片的面积，降低了器件的成本。该整流器制造方法采用了保护环光刻板、沟槽光刻板、源区光刻板和金属光刻板共四块光刻板，具有工艺简单、制造成本低的优点。
整流器及其制造方法

[发明专利]半导体整流器件及其制作方法-CN201410828687.8有效
发明人：钟圣荣;邓小社;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体整流器件，在正向偏置时，电子电流从上电极(阳极)靠近沟槽结构表面的导电沟道向第一导电类型衬底流动，电子移动几乎不存在任何势垒，加上沟槽结构表面的电子增强效应，使得器件正向压降大大降低。反向偏置时，利用PN结(第二导电类型掺杂区和沟槽结构之间)的横向耗尽，形成空间电荷区，阻挡载流子的移动，使得器件反向漏电较小，反向电压增大。各沟槽结构的存在，也增加了器件耗散能量的结面积大小，使得器件具备高反向击穿电压以及高雪崩耐量。还公开该半导体整流器件的制作方法，该方法与沟槽MOS工艺兼容，整个工艺采用4张光刻板，简化工艺流程，降低制造成本。
半导体整流器件及其制作方法

[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管-CN201310374500.7有效
发明人：张硕;芮强;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，其包括N型衬底，形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构。背面结构包括形成于N型衬底背面的沟槽、形成于沟槽之间的背面P+区、设置于沟槽内的多晶硅以及形成于背面P+区和多晶硅上的背面金属层。该反向导通绝缘栅双极型晶体管采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。制造该反向导通绝缘栅双极型晶体管时只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。
向导绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]用于沟槽刻蚀的光刻版及沟槽的刻蚀方法-CN201410853471.7有效
发明人：芮强;邓小社;张硕;孙永生 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于沟槽刻蚀的光刻版，包括第一和第二沟槽图形区域，第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等，第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等；第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距。本发明还涉及一种沟槽的刻蚀方法。本发明通过设置合适的条宽和间距，使得在同时进行刻蚀的情况下，第一沟槽图形区域形成的沟槽比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度要深，能够通过一次光刻和刻蚀形成两种以上不同深度的沟槽。
用于沟槽刻蚀光刻方法

[发明专利]具有沟槽栅极结构的半导体器件及其制造方法-CN201510383474.3有效
发明人：芮强;邓小社;孙永生 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有沟槽栅极结构的半导体器件，包括漂移区、漂移区上的金属电极、从金属电极下方贯穿至漂移区的沟槽、沟槽内表面的栅氧化层、以及沟槽内的多晶硅栅极，还包括设于所述沟槽内且在所述多晶硅栅极上方的介质层，以及所述沟槽顶部两侧的掺杂区。本发明还涉及一种具有沟槽栅极结构的半导体器件的制造方法。本发明通过更改掺杂区和沟槽的设计，孔前淀积介质层并回刻，可以避免使用孔板，提升沟槽的单位密度，达到提高产品的电流密度的效果。同时由于不使用孔板，可以降低产品的生产成本，增强产品的竞争力。
具有沟槽栅极结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法-CN201410827073.8有效
发明人：钟圣荣;王根毅;邓小社;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法，包括：提供P型衬底；分两次向所述P型衬底内注入N型杂质，包括一次砷离子注入和一次磷离子注入，所述磷离子注入的注入能量大于所述砷离子注入的注入能量；进行热推阱，形成N型场截止层；在所述场截止层的第一表面外延形成N型漂移区；形成所述场截止绝缘栅双极晶体管的正面结构；对所述P型衬底进行背面减薄处理；对所述场截止绝缘栅双极晶体管进行背面金属化处理。本发明采用一次低能量的砷注入和一次高能量的磷注入，利用两次注入时砷离子和磷离子扩散速率的差异，能够优化场截止层的N型杂质浓度分布。
截止绝缘双极晶体管制备方法

[发明专利]一种背面结构的保护方法-CN201310278678.1有效
发明人：芮强;张硕;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种背面结构的保护方法，该方法是在圆片背面生长保护层以保护圆片背面结构，其具体步骤为：提供圆片，其具有背面结构；在所述圆片背面生长或淀积一层氧化层；在所述圆片背面的氧化层上淀积一层氮化硅层；接后续工艺流片。与现有技术相比，本发明的方法通过在圆片背面生长保护层来到达保护圆片背面的目的，本发明利用氮化硅层作为保护的最外层，其是利用杂质在氮化硅中扩散率较低和不易氧化的特性，保护圆片背面结构不受其他工艺过程的影响。本发明工艺简单、易于实现、且控制精度高，能很好的保护晶圆背面结构而又不影响正面，本发明工艺简单、易于实现、且控制精度高，能很好的保护晶圆背面结构而又不影响正面。
一种背面结构保护方法

[发明专利]具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法-CN201310511559.6有效
发明人： 邓小社;芮强;张硕;王根毅 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法，包括如下步骤：提供第一圆片，在第一圆片的第一表面依次形成N buffer区域和高掺杂的N+区域；提供第二圆片，并将第一圆片和第二圆片键合，其中，第一圆片的第一表面与第二圆片直接接触；对第一圆片的第二表面进行减薄抛光至所需厚度；在第一圆片的第二表面完成Trench IGBT正面结构；将键合在一起的第一圆片和第二圆片分开，在第一圆片的第一表面依次形成P+层和背面金属层。这种具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法，通过第一圆片和第二圆片的键合，先进行减薄，接着完成Trench IGBT正面结构，从而不需要超薄片的光刻，显影等光刻设备，工艺简单。
圆片第一表面反向导通制备第二表面正面结构键合背面金属层光刻设备减薄抛光圆片键合高掺杂光刻减薄显影

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201310306819.6有效
发明人：钟圣荣;邓小社;王根毅;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：具有第一主面和第二主面的第一导电类型的半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括原胞区和位于所述原胞区外侧的终端保护区；形成于所述半导体衬底的第一主面侧的第一导电类型的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度高；形成于所述原胞区内的第一半导体层的第一主面侧的绝缘栅型晶体管单元，其中，所述绝缘栅型晶体管单元导通时，其形成有第一导电类型的沟道。与现有技术相比，其不仅可以提高该绝缘栅双极晶体管的耐压可靠性，而且还可以降低该绝缘栅双极晶体管的正向导通压降。
一种绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种局部扩铂二极管及其制作方法-CN201410447612.5有效
发明人：张硕;尹攀;芮强;邓小社 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种局部扩铂二极管及其制作方法，其中的制作方法包括以下步骤：提供半导体基片，在所述半导体基片上制备终端区和有源区，所述终端区内形成有终端结构，所述终端区绕所述半导体基片上表面一周设置，所述有源区位于所述终端区限定的区域内，所述有源区上开设有扩铂窗口；对所述终端区进行遮蔽处理，仅在所述扩铂窗口内进行扩铂；在所述有源区上制备正面电极；在所述半导体基片背面制备背面电极。本发明还提供了通过上述制作方法制成的局部扩铂二极管。本发明所述的局部扩铂二极管及其制作方法通过在二极管的有源区进行局部扩铂，达到了局部载流子寿命控制的效果，且工艺简单、成本低。
二极管源区半导体基片终端区制备制作载流子寿命背面电极正面电极终端结构上表面遮蔽背面终端

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