[发明专利]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件有效

专利信息
申请号: 201910056543.8 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN109634025B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 赵东 申请(专利权)人: 湖北科技学院
主分类号: G02F3/02 分类号: G02F3/02
代理公司: 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 代理人: 汪彩彩;阳会用
地址: 437100 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件,属于全光通信系统技术领域。光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构,由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一。本发明具有能够降低光学双稳态的阈值等优点。
搜索关键词: 一种 应用于 开关 存储器 光学 双稳态 器件
【主权项】:
1.一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件,其特征在于,本光学双稳态器件为八个电介质层一(A)、八个电介质层二(B)和十五个石墨烯层(G)组成的多层结构,且本光学双稳态器件由上表面至下表面依次为电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A);所述电介质层一(A)的材料为MgF2晶体,所述电介质层二(B)的材料为ZnS晶体。
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  • 一种基于多重光学双稳态的全光数字编码器-202111105906.6
  • 李永逵 - 湖北科技学院
  • 2021-09-22 - 2021-11-23 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于多重光学双稳态的全光数字编码器,属于全光通讯技术领域。本全光数字编码器包括若干第一电介质层A、若干第二电介质层B和两个石墨烯单层G,全光数字编码器表示为:ABABB1GB2BABABBBBBBBBBABABB2GB1BABA,其中B1GB2和B2GB1表示石墨烯单层嵌入第二电介质层内形成的三明治结构;第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质薄片,全光数字编码器存在两个双峰共振的光学分形态,光学分形态对应的电场具有局域作用,两个石墨烯单层分别嵌于双峰共振分形态的局域电场最强位置,使石墨烯单层的三阶非线性效应得到增强,进而实现低阈值多重光学双稳态;多重双稳态的上、下阈值对应着数字编码器的各态的编码触发阈值。本发明具有触发阈值低等优点。
  • 一种基于石墨烯的触发阈值可调光逻辑器-202111105918.9
  • 李永逵 - 湖北科技学院
  • 2021-09-22 - 2021-11-23 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于石墨烯的触发阈值可调光逻辑器,属于全光通讯技术领域。本光逻辑器包括若干第一电介质层A、若干第二电介质层B和四个石墨烯单层G,表示为ABABBBABABB1GB2BB3GB4BB4GB3BB2GB1BABABBBABA,其中B1GB2、B2GB1、B3GB4和B4GB3均表示石墨烯单层嵌入第二电介质层内形成的三明治结构;所述第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质薄片,所述光逻辑器存在四个光学分形态,光学分形态对应的电场具有局域作用,四个石墨烯单层分别嵌于其中一个分形态对应的局域电场最强位置,使石墨烯单层的三阶非线性效应得到增强,进而实现低阈值光学双稳态;所述第一电介质层和第二电介质层的厚度均为各自光学波长的1/4。本发明具有光学双稳态阈值低等优点。
  • 一种基于Rudin-Shapiro光子晶体对和石墨烯复合结构的光学双稳态-202111128630.3
  • 刘芳华 - 湖北科技学院
  • 2021-09-26 - 2021-11-23 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于Rudin‑Shapiro光子晶体对和石墨烯复合结构的光学双稳态,属于光学技术领域。包括两个对称分布的二元RS光子晶体和若干石墨烯单层,所述二元RS光子晶体包括若干第一电介质层H和若干第二电介质层L,所述Rudin‑Shapiro光子晶体对和石墨烯复合结构表示为HHHLGHHGLHHLGHHGLHHH,所述第一电介质层和第二电介质层分别为两种折射率高、低不同的均匀电介质薄片,所述第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自光学波长的1/4。本发明具有光学双稳态的阈值低等优点。
  • 一种基于鲁丁-夏皮诺光子晶体的光逻辑器-202111153627.7
  • 方明 - 湖北科技学院
  • 2021-09-29 - 2021-11-23 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于鲁丁‑夏皮诺光子晶体的光逻辑器,属于全光通讯技术领域。包括两个对称分布的二元RS光子晶体和两个石墨烯单层,二元RS光子晶体包括若干第一电介质层和若干第二电介质层,第一电介质层记为H,第二电介质层记为L,石墨烯单层记为G,二元RS光子晶体表示为HHHLHHLH,光逻辑器表示为HHHLHHLH1GH2H2GH1LHHLHHH,其中H1GH2和H2GH1均表示石墨烯单层嵌入第一电介质层内形成的三层结构,第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自光学波长的1/4,第一电介质层和第二电介质层分别为折射率高、低不同的两种均匀电介质薄片。本发明具有判决阈值低等优点。
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