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[发明专利]绝热构造体和立式热处理装置-CN201910184953.0有效
发明人：吉井弘治;山口达也;林宽之;冈田充弘;高木聪;高桥敏彦;庄司正文;北村和也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对基所述板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。
绝热构造立式热处理装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202010081889.6有效
发明人： 冈田充弘;藤井康 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备如下工序：准备基板的工序；将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序。
处理方法装置

[发明专利]清洁方法和成膜方法-CN201811346299.0有效
发明人： 冈田充弘;本山豊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止氟混入膜中的清洁方法和成膜方法。一个实施方式的清洁方法是一种执行成膜处理的成膜装置的清洁方法，在成膜处理中，在处理容器内对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜，所述清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，在将所述成膜处理之后被保管在进行了露点管理的气氛中且没有搭载所述基板的所述基板保持器具收容在所述处理容器内的状态下，向所述处理容器内供给不含氟的含卤气体，来对附着在包含所述基板保持器具的所述处理容器内的所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜进行蚀刻，以将所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜去除。
清洁方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及隔热构件-CN201711431130.0有效
发明人：高木聪;小森克彦;冈田充弘;渡边将久;高桥和也;矢野一纪;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。
装置方法以及隔热构件

[发明专利]放电装置、放电装置的设置构造、及放电装置的设置方法-CN201910145076.6有效
发明人：永留诚一;漆崎正人;冈田充弘 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可在位于比放电装置靠下风的位置抑制放电声音的音量的放电装置、放电装置的设置构造、以及放电装置。放电装置(100)包括：第一放电电极(1)以及支撑部(3)。第一放电电极(1)进行放电。支撑部(3)支撑第一放电电极(1)。支撑部(3)具有可安装于被设置构件(A)的安装面(3a)。第一放电电极(1)的前端侧部分(1b)相对于安装面(3a)延伸的方向的倾斜角度(θ1)为锐角，或者第一放电电极(1)的前端部(1a)相对于安装面(3a)的倾斜角度(θ4)为锐角。
放电装置设置构造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质-CN201710448108.0有效
发明人： 冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质。提供一种当在形成于基板的凹部形成由硅构成的导电路时形成导电性优异的硅膜的技术。在形成于表面的凹部的下层形成单晶硅层，通过各向异性蚀刻使单晶硅层相对于晶圆露出，该晶圆在凹部的底面和侧面自下层侧起依次形成有SiN膜、SiO2膜以及第一Si膜。并且，在通过湿蚀刻去除了第一Si膜的表面的自然氧化膜之后，利用HBr气体去除第一Si膜的表面的杂质和损伤层，之后形成第二Si膜。因此，第二Si膜与SiO2膜紧密接合，且以厚且均匀的膜厚形成。因而，在对晶圆进行加热时，第二Si膜的粒子尺寸变大，从而导电性变得良好。
半导体装置制造方法热处理以及存储介质

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体制造装置-CN201710469560.5有效
发明人： 冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的制造方法和半导体制造装置。在向表面形成有凹部的被处理体供给含有硅的成膜气体来用硅填充凹部内以形成硅层时，能够防止硅层中含有空隙或形成接缝。向被处理体(晶圆W)供给成膜气体，来在被处理体的表面的凹部(42)内形成硅膜(44)。接着，向被处理体供给包含卤素气体和粗糙抑制气体的处理气体，对处理气体提供热能使其活性化，对形成于凹部(42)的侧壁的硅膜(44)进行蚀刻来扩大凹部(42)的开口宽度，其中，卤素气体用于对硅膜(44)进行蚀刻，粗糙抑制气体用于抑制被卤素气体蚀刻后的硅膜(44)的表面粗糙。然后，向被处理体供给成膜气体，使硅堆积于残留在凹部(42)内的硅膜上来填充硅。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202080007255.4在审
发明人：吉备和雄;藤田滋继;铃木健二;冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法，包括：平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成该第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘膜上的区域且是被隔离膜包围的区域内。在层叠工序中，在基板的表面层叠掩模膜。在孔形成工序中，以使被埋入至第一孔的导电材料的上表面的至少一部分露出的方式，在掩模膜形成第二孔。在第二埋入工序中，在第二孔埋入导电材料。在去除工序中，去除掩模膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202010500322.8在审
发明人：高桥毅;冈田充弘;藤井康;布重裕;川崎真司;桑田拓岳;高木俊夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
处理方法装置

[发明专利]硅膜的成膜方法和基板处理装置-CN201910142632.4在审
发明人： 冈田充弘;宫原达也;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。
硅膜成膜蚀刻基板处理装置成膜工序膜厚表面平滑性蚀刻气体基底薄膜期望

[发明专利]膜形成方法和基板处理装置-CN201910126154.8在审
发明人：林宽之;兼村瑠威;高木聪;冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及膜形成方法和基板处理装置。[课题]提供能形成具有良好的表面粗糙度的膜的膜形成方法。[解决方案]一实施方式的膜形成方法具备如下工序：有机物去除工序，向基底供给含氢气体和含氧气体，将有机物去除，所述有机物附着于在前述基底的表面产生的氧化膜；氧化膜去除工序，在前述有机物去除工序后，向前述基底供给含卤素气体和碱性气体，将形成于前述基底的表面的氧化膜去除；和，成膜工序，在前述氧化膜去除工序后，在前述基底的表面成膜为规定的膜。
基底膜形成氧化膜去除工序有机物去除工序基板处理装置表面粗糙度含卤素气体氧化膜去除有机物去除表面成膜成膜工序含氢气体含氧气体碱性气体氧化膜有机物附着

[发明专利]锗膜的成膜方法和成膜装置-CN201510494158.3有效
发明人： 冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明提供锗膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法用于在被处理体的被处理面上形成锗膜，其中，该锗膜的成膜方法包括：工序一，向容纳有所述被处理体的处理室内供给氨基硅烷系气体；工序二，向所述处理室内供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体；以及工序三，向所述处理室内供给锗源气体，使所述工序三中的处理温度为所述锗源气体产生热分解的温度以上且300℃以下。
方法装置

[发明专利]非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201410764284.1有效
发明人：高桥和也;古泽纯和;冈田充弘;米仓大雅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。
非晶硅结晶方法化硅膜半导体装置制造

[发明专利]支承体构造及处理装置-CN201510023531.7有效
发明人：浅利伸二;冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供支承体构造及处理装置。该支承体构造用于在处理容器构造(42)内支承被处理体(W)，该处理容器构造(42)在收容有多个上述被处理体(W)的状态下供处理气体从一端朝向另一端流动而进行规定处理，该支承体构造包括顶板部(48)、底部(50)和多个支承支柱(60)，多个支承支柱(60)将上述顶板部和上述底部连结起来，沿着其长度方向形成有用于支承上述被处理体的多个支承部(88)，并且，上述支承部的在上述处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于上述支承部的在上述处理气体的流动方向的上游侧的间距。由此，能够提高被处理体的膜厚的面内均匀性。
支承构造处理装置

[发明专利]填充沟道的方法和处理装置-CN201410228924.7有效
发明人：铃木大介;高桥和也;冈田充弘;小森克彦;小野寺聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。
填充沟道方法处理装置

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