[发明专利]一种基于离子栅MoS2 有效
| 申请号： | 202111088535.5 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113871472B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨玉超;刘昌;袁锐;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/10;H01L29/06;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于离子栅MoS |
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- 2014-12-24 - 2021-09-07 - H01L29/772
- 描述了使用锗纳米线形成的场效应晶体管结构。在一个示例中，所述结构具有：沿着预定约束取向形成在衬底上的锗纳米线；在所述纳米线的第一端处的所述纳米线的第一掺杂区，所述第一掺杂区限定源极；在所述纳米线的第二端处的所述纳米线的第二掺杂区，所述第二掺杂区限定漏极；以及在所述源极和所述漏极之间形成在所述纳米线之上的栅极电介质。
- 一种半导体器件及其制造方法和电子装置-201710240508.2
- 李勇 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 2017-04-13 - 2021-08-17 - H01L29/772
- 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：半导体衬底；外延层，覆盖所述半导体衬底的表面，所述外延层具有第一导电类型；第一纳米线，悬空设置在所述外延层的上方；第二纳米线，悬空设置在所述外延层的上方，并与所述第一纳米线间隔设置；第一源区和第一漏区，设置在所述第一纳米线中，其中，所述第一源区具有第二导电类型，所述第一漏区具有所述第一导电类型；第二源区和第二漏区，设置在所述第二纳米线中，所述第二源区具有所述第一导电类型，所述第二漏区具有所述第二导电类型，其中，所述第一漏区和所述第二源区之间通过所述外延层电连接。
- 场效应管及其制备方法-201811445475.6
- 郑小平;叶振强;孙振源;欧湛;李志杰;刘佳明;李佳 - 清华大学
- 2018-11-29 - 2021-03-26 - H01L29/772
- 本发明涉及一种场效应管，包括衬底、石墨烯层以及栅介质层。衬底包括六方氮化硼层。石墨烯层包括相对的第一表面和第二表面。第一表面与六方氮化硼层接触。第二表面包括氢化区。栅介质层覆盖于氢化区。场效应管通过设置六方氮化硼层作为石墨烯层的衬底，可以改善衬底与石墨烯层的接触。因为六方氮化硼与石墨烯的单层结构相似，两者的晶格匹配度高，且六方氮化硼层的表面光滑平整无陷阱。六方氮化硼层可以有效降低石墨烯层与衬底的接触不佳对载流子迁移率的负面影响，有利于增加石墨烯层的载流子迁移率，从而增加截止频率。同时，石墨烯层通过氢化区与栅介质层接触可以进一步减少栅介质层因为接触不佳对载流子迁移率的负面影响。
- 专利分类
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
