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[发明专利]一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法-CN202310174874.8在审
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;洪孟羽;陈匡磊;尚金森;都娴;罗雨欣 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。
一种二维可重构晶体管及其制备方法调控

[发明专利]一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法-CN202310174922.3在审
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;洪孟羽;都娴 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法，包括：绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组；基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域，其中，悬空沟道区域用于抑制静态电流；第一电极组包括：输出电极和输入电极，介电层包括：第一介电层和第二介电层，第二电极组包括：驱动电极和接地电极。本发明制备的同质结型逻辑反相器制备方法简便可行，具有普适性，能够有效抑制了逻辑反相器运行时静态电流的上升，从而降低功耗，并且能够提高逻辑反相器的工作寿命和服役稳定性。
一种二维同质逻辑反相器及其制备方法

[发明专利]半导体工艺设备及其清洗方法-CN202211212745.5在审
发明人：都娴;何忠义;郝亮;荣威 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备及其清洗方法，该设备包括工艺腔室、用于向工艺腔室内通入气体的进气装置、用于抽出工艺腔室内气体的抽气装置，以及用于激发工艺腔室内气体形成等离子体的上电极装置，其特征在于，进气装置包括喷嘴、设置在喷嘴中的多个进气通道，以及气体分配组件，其中，不同的进气通道的出气方向不同；气体分配组件与多个进气通道连接，且用于与气体供应源连接，气体分配组件用于选择性地将气体供应源与至少一个进气通道连通，以能够在进行清洗工艺时，依次对各个进气通道和工艺腔室的内部进行清洗。本发明提供的半导体工艺设备及其清洗方法，可以有效提高对各个进气通道的清洁效果，降低刻蚀副产物掉落在晶圆上的风险。
半导体工艺设备及其清洗方法

[发明专利]一种静电自掺杂二极管及其制备方法-CN202210429697.9有效
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;汤文辉;洪孟羽;都娴 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电自掺杂二极管及其制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述静电自掺杂二极管的结构包括：依次堆叠的绝缘衬底、漏极、介电层、二维半导体层和源极，其中，二维半导体层需要与漏极接触。本发明制备的静电自掺杂二极管具有服役稳定性好、普适性好等优异性能，同时，加工工艺简单。本发明提供的制备方法旨在避免化学掺杂，物理掺杂，缺陷调控等手段带来的材料极性不稳定的问题，提出一种简便可行，无损可逆的二极管构筑新途径。
一种静电掺杂二极管及其制备方法