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[发明专利]视频生成方法、设备、存储介质及程序产品-CN202211529568.3在审
发明人：钱靖;严计升;吴恒冠;殷晓雯;陈绮琳 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T13/40 文献下载
摘要：本申请关于一种视频生成方法、设备、存储介质及程序产品，涉及人工智能技术领域。方法包括：基于语音文案的文本进行语音合成，获得合成语音；基于合成语音获取虚拟对象的第一口型动作；基于所述合成语音获取虚拟对象的第一动作参数；第一动作参数中包含面部表情基；对第一口型动作和面部表情基中的第二口型动作进行加权求和；基于调整后的第一动作参数，通过自动渲染的方式生成包含虚拟对象的动画视频；将动画视频叠加在指定视频的视频画面上层，获得叠加有虚拟对象的目标视频。本方案能够提高虚拟对象在叠加的视频中的展示效果。
视频生成方法设备存储介质程序产品

[发明专利]广告生成方法、装置、计算机可读介质及电子设备-CN202211514795.9在审
发明人：严计升;杨秀金;吴恒冠;钱靖;庄涵;吴高 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06Q30/0241 文献下载
摘要：本申请属于广告设计技术领域，涉及一种广告生成方法、装置、计算机可读介质及电子设备，包括：获取图片素材和广告文案，对所述广告文案进行语音合成以生成与所述广告文案对应的语音信息；获取虚拟主播模型，根据所述广告文案或者所述语音信息确定与所述虚拟主播模型对应的展示参数，并根据所述图片素材、所述语音信息和所述展示参数对所述虚拟主播模型进行渲染生成虚拟主播口播视频；基于所述虚拟主播口播视频创建广告。本申请一方面能够减少人力成本，另一方面能够提升广告的多样性，而不受模板设计师的创意思路的限制，避免了PAG视频模板种类少所导致的图片素材、广告文案与模板的匹配度差的问题。
广告生成方法装置计算机可读介质电子设备

[发明专利]超声图像病变检测的分割引导去噪知识蒸馏方法及装置-CN202310865321.7在审
发明人：张云飞;蔡占毅;曹黎俊;钱靖 -专利权人：江苏济远医疗科技有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了超声图像病变检测的分割引导去噪知识蒸馏方法及装置，为解决知识蒸馏中的重构误差失灵问题，对知识蒸馏网络进行改进，搭建了学生教师分割引导的去噪网络模型，包括编码器解码教师网络，去噪的编码器解码器学生网络，分割网络。鼓励去噪后的学生网络在检测病变图像时产生与教师网络更加不同的特征表示。并且增加了一个分割网络，用额外的监督信号来指导特征融合。本发明对知识蒸馏中的重构误差失灵问题进行理论研究、推动了分割引导的去噪知识蒸馏技术在医学超声图像病变检测的广泛应用，同时能够提高医学超声图像检测的准确性和可靠性，辅助医生进行更好的诊断和评估，降低超声图像检测所需的标注量和计算资源，节省时间和成本。
超声图像病变检测分割引导知识蒸馏方法装置

[发明专利]一种原位碳基铜焊膏及其制备方法-CN202310950650.1在审
发明人：陈显平;戴东方;李金城;钱靖 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B23K35/362 文献下载
摘要：本发明属于焊接材料技术领域，具体涉及一种原位碳基铜焊膏及其制备方法，铜焊膏的组分包括：铜粉、石墨、溶剂和保护剂；铜焊膏通过以下方法制备而成：将微米球形铜的粉体、石墨粉体、溶剂和保护剂加入到球磨机中，球磨转速200rpm～800rpm，球磨时间为3h～30h，磨球直径1mm～30mm。本发明焊膏原料一次性加入到球磨机后原位成型为碳基铜焊膏，相对于现有技术不需要先做出铜剂，再清洗，再干燥，再加溶剂等步骤，避免铜粉体干燥时的团聚以及氧化风险，节约时间，更加方便，高效。采用本发明制备的碳基铜焊膏，可烧结性强，可以实现低温快速烧结，制备方法更加简单，适合产业化。
一种原位铜焊及其制备方法

[实用新型]一种分布式电力电缆-CN202320813249.9有效
发明人：冯军;张杰;钱靖 -专利权人：无锡市远登电缆有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01B7/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分布式电力电缆，涉及电力电缆技术领域，包括外部组件，所述外部组件包括导电层、防护套、防腐涂层、隔热层和绝缘层，所述导电层的内壁表面与所述防护套的外侧表面固定连接，所述防护套的外侧表面与所述防腐涂层的内壁表面涂覆连接，所述防护套的内壁表面与所述隔热层的外侧表面固定连接，本实用新型通过设有外部组件有利于电力电缆在使用过程中可以降低电缆的运行故障率，提高电缆供电的实用性，使电缆具备良好的防护性以及耐用性，当分布式电力电缆使用时，导电层避免电缆内部发生局部放电，防护套与防腐涂层增加的电缆的防护性能，以及延长电缆的耐腐蚀性，而隔热层可以避免当外界温度过高时，对电缆内部产生影响。
一种分布式电力电缆

[发明专利]一种适用于医学影像目标分类的样本选择偏差缓解方法-CN202310437022.3在审
发明人：张云飞;蔡占毅;钱靖;陆峦华;于新桃 -专利权人：江苏济远医疗科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于医学影像目标分类的样本选择偏差缓解方法，在小样本图像分类基础上，研究通过特征变换解决小样本任务中新类数据偏移问题，构建新集样本特征变换网络模型。新类和基类共享特征提取方式，利用新类样本特征向特定的方向偏斜、接近于特定基类样本特征方向的特点，以特定基类特征的平均作为任务质心，新类移除它们在任务质心方向的投影，从而增加新类样本特征的数据差异，提高新类特征的辨识度。本发明对小样本学习样本选择偏差问题的理论研究、小样本学习在医学影像目标分类的广泛应用具有重要的意义。同时，对我国突破小样本学习实现跨域理论瓶颈起到重要推动作用。
一种适用于医学影像目标分类样本选择偏差缓解方法

[实用新型]一种阻燃耐高温铝合金电缆-CN202321152258.4有效
发明人：冯军;张杰;钱靖 -专利权人：无锡市远登电缆有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01B7/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阻燃耐高温铝合金电缆，涉及铝合金电缆技术领域，包括第一线缆，所述第一线缆的外壁活动连接有分隔机构，所述分隔机构的内壁活动连接有第二线缆，所述分隔机构的内部活动连接有第三线缆，分隔机构在需要对线缆进行分隔的时候来介入第一线缆、第二线缆和第三线缆之间来进行分隔工作，在分隔完毕后来对间距进行调节控制工作，通过分隔机构的设置可以有效的对线缆之间的接触位置进行分隔，在工作的过程中线缆之间不贴合可以有效的避免出现意外情况的时候出现连带反应，让每个线缆都可以有独立的工作空间，随着与锥头接触的位置升降，锥头与线缆之间接触位置的直径也在变化，在变化过程中进行间距调节工作。
一种阻燃耐高温铝合金电缆

[发明专利]掺杂镀铜碳纳米管的多尺寸铜颗粒复合焊膏及其制备方法-CN202310950349.0在审
发明人：陈显平;李金城;戴东方;钱靖 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B23K35/362 文献下载
摘要：本发明属于焊接材料技术领域，具体涉及一种掺杂镀铜碳纳米管的多尺寸铜颗粒复合焊膏及其制备方法，焊膏包括溶剂型还原剂、有机溶剂以及质量占比57.5％～62.5％的2～4μm的微米级铜颗粒、32.5％～37.5％的0.2～0.8μm的亚微米级铜颗粒、4.2％～4.6％的20～80nm的纳米级铜颗粒0.4％～0.8％的镀铜碳纳米管，以上组分混合制备而成焊膏；其中，镀铜碳纳米管的制备方法为：将外径为20～80nm、长度为10～50μm的碳纳米管通过磁控溅射设备沉积上铜颗粒，然后将碳纳米管通过电化学沉积的方式镀铜。本发明提供了一种具有高导电性、高导热性和高熔点的新型焊料，以满足功率器件低温烧结和高温运行的要求。
掺杂镀铜纳米尺寸颗粒复合及其制备方法

[发明专利]一种聚乳酸组合物及其制备方法-CN202310821681.7在审
发明人：王雨龙;高梦云;蒋旭敏;王喜蒙;陈建旭;钱靖;胡江林;麻宁;王磊 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C08G63/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚乳酸组合物及其制备方法，该聚乳酸为0.1％～99.9％含生物基酸链段的聚乳酸和0.1％～99.9％含醇链段的聚乳酸的组合物，该聚乳酸组合物具有良好的加工性能和降解性能。
一种乳酸组合及其制备方法

[实用新型]充电器-CN202320611200.5有效
发明人：谢伟;钱靖 -专利权人：安克创新科技股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01R13/502 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种充电器。充电器包括插头组件、充电主体和铰接组件；插头组件上设有第一导电件；充电主体包括线路板和主体壳，线路板设置在主体壳内，主体壳的第一侧面上设有与第一导电件对应的避让孔；铰接组件包括第一连接件和第二连接件，第一连接件与插头组件连接，第二连接件与主体壳连接，第一连接件与第二连接件转动连接，使得插头组件存在收纳状态和使用状态。该充电器实现了插头组件相对于充电主体的翻转折叠，在不增加充电器整体尺寸的情况下，减少了充电器的长度或高度，便于携带，有效提高了用户体验感。
充电器

[实用新型]电源适配器-CN202320981336.5有效
发明人：黄建军;钱靖 -专利权人：安克创新科技股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01R13/60 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电源适配器，包括适配器主体、铰接组件及插脚组件，插脚组件通过铰接组件与适配器主体铰接，插脚组件具有展开位置以及折叠位置；铰接组件包括：固定件，与适配器主体固定连接；滑动件，沿第一方向可滑动地设置于固定件；转动件，与插脚组件固定连接，且绕第一方向转动，转动件朝向滑动件的一端设置有第一凸轮，滑动件朝向转动件的一端设置有与第一凸轮凹凸配合的第二凸轮；弹性件，弹性件的两端分别连接滑动件及固定件，且弹性件处于压缩状态。本申请实施例在展开插脚组件或者收折插脚组件时，只需拨动插脚组件至临界位置，插脚组件即可以自动弹出至展开位置或者自动收合至折叠位置，在使用时较为方便。
电源适配器

[发明专利]一种SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET的混合开关结构-CN202310848095.1在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本申请提供了一种SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET的混合开关结构，该开关结构由两条并联支路构成，第一条电流支路为SiC MOSFET，第二条电流支路为Si IGBT与低压Si MOSFET串联结构。该混合开关结构相较于现有的SiC MOSFET混合Si IGBT开关结构，增加了一个低压Si MOSFET，器件成本基本没有增加，混合开关结构中的电流大部分流经IGBT，可靠性更高，同时也解决了IGBT关断拖尾电流的问题。
一种 sic mosfet si igbt 混合开关结构

[发明专利]沟槽型碳化硅二极管器件结构及其制作方法-CN202310875624.7在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型碳化硅二极管器件结构，自下向上包括：阴极、第一欧姆接触层、N+碳化硅衬底、N‑漂移层、P型阻挡区、沟槽结构、绝缘介质层、导电材料层、P型基区、多个N型注入区、第二欧姆接触层和阳极。多个N型注入区间隔设置在P型基区内，且N型注入区厚度小于P型基区厚度。每个沟槽结构位于两个N型注入区之间，且所述沟槽结构贯穿P型基区并延伸至N‑漂移层，所述绝缘介质层位于沟槽结构的底面和侧壁，所述导电材料层填充在沟槽结构的内部空间。本发明还提供上述沟槽型碳化硅二极管器件结构的制作方法。本发明的沟槽型碳化硅二极管器件结构反向截止时的漏电流小、电流密度高、正向浪涌能力好、比导通电阻小，功率密度高。
沟槽碳化硅二极管器件结构及其制作方法

[发明专利]逆导-结型栅双极型晶体管器件及其制作方法-CN202310828129.0在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导‑结型栅双极型晶体管器件，包括结型栅双极型晶体管和结型场效应晶体管并联，所述逆导‑结型栅双极型晶体管器件的元胞结构包括：下表面设置集电极的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括交替排列的第一P+型掺杂区和N+型掺杂区；位于碳化硅衬底上方的N型缓冲层；位于N型缓冲层上方的N‑型漂移区，且N‑型漂移区顶部的两端和中间设置有栅极沟槽；位于栅极沟槽的底面和侧壁第二P+型掺杂区；位于第二P+型掺杂区上表面的栅极；位于N‑型漂移区的上方N+型发射极区以及位于N+型发射极区上方的发射极。本发明的逆导‑结型栅双极型晶体管器件全电流处理能力好、开关速度高、反向恢复能力好、可靠性与稳定性高、尺寸较小。
逆导结型栅双极型晶体管器件及其制作方法

[发明专利]碳化硅结型栅双极型晶体管器件及其制作方法-CN202310819766.1在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅结型栅双极型晶体管器件，包括：下表面设置有集电极的P+型碳化硅衬底；位于所述P+型碳化硅衬底上方的N型场截止层；位于所述N型场截止层上方的N‑型漂移区，且所述N‑型漂移区的两端设置有栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底面和侧壁的P+型掺杂区；位于所述P+型掺杂区上表面的栅极；位于所述N‑型漂移区的上表面和所述两个栅极沟槽之间的N‑型漂移区的侧面的N+型掺杂区，所述N+型掺杂区与所述P+型掺杂区无接触；以及位于所述N‑型漂移区上方的发射极。本发明还提供上述SiC结型栅双极型晶体管器件的制备方法。本发明的SiC结型栅双极型晶体管器件可靠性高、击穿电压高、开关速度快、元胞尺寸小。
碳化硅结型栅双极型晶体管器件及其制作方法

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