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[发明专利]氮化镓半导体器件及其制作方法-CN201710078169.2有效
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氮化镓半导体器件及其制作方法，该方法包括：在基底的第一表面生长含铟的缓冲层，该缓冲层包括含铟的AlxGa1‑xN层，其中，0≤x≤1；在缓冲层背离基底一侧表面形成非有意掺杂的第一氮化镓层；在第一氮化镓层背离缓冲层一侧表面形成含碳掺杂的第二氮化镓层；在第二氮化镓层背离第一氮化镓层一侧形成非有意掺杂的第三氮化镓层；在第三氮化镓层背离第二氮化镓层一侧形成AlyGaN1‑yN层，其中，0＜y≤1。利用该方法制作的氮化镓半导体器件可提高所述氮化镓半导体器件的击穿电压，降低所述氮化镓半导体器件在制作过程中，出现裂纹的概率，提高所述氮化镓半导体器件的性能。
氮化半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件-CN201710069165.8有效
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高。
一种衬底生长氮化薄膜方法结构功率器件

[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制作方法-CN201710083258.6在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓功率器件及其制作方法，该氮化镓功率器件包括：基底；设置在基底上的多个功率器件单元；功率器件单元具有栅极、源极以及漏极；栅极包括：平行且相对设置的第一子栅极以及第二子栅极；连接第一子栅极以及第二子栅极的曲面子栅极；第一子栅极具有第一端，第二子栅极具有与第一端相对设置的第二端；曲面子栅极分别与第一端以及第二端连接；其中，漏极位于第一子栅极与第二子栅极之间；曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度。本发明技术方案通过改变栅极结构，设置曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度，能够增大栅极曲面部分的耐压能力，可以有效提高氮化镓功率器件栅极的曲面部分耐硬击穿能力。
子栅极氮化镓功率器件面子功率器件单元第一端基底漏极耐压能力相对设置栅极结构硬击穿源极制作平行

[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法-CN201710083261.8在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件以及制作方法，该功率半导体器件包括：基底；设置在基底上的氮化镓层，氮化镓层包括栅极区、源极区和漏极区；栅极区的表面设置有栅极，源极区表面设置有源极，漏极区表面设置有漏极；栅极包括平行且相对设置的第一栅极区域和第二栅极区域；以及连接第一栅极区域和第二栅极区域的第三栅极区域，第三栅极区域为曲面结构；漏极位于第一栅极区域与第二栅极区域之间；源极包括平行且相对设置的第一源极区域和第二源极区域，第一源极区域与第一栅极区域对应设置，第二源极区域和第二栅极区域对应设置。本发明技术方案解决现有技术中在栅极的曲面部分容易发生表面击穿的问题。
栅极区域源极区域功率半导体器件表面设置氮化镓层相对设置漏极区源极区栅极区基底漏极源极平行表面击穿方案解决曲面结构制作

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件-CN201710069158.8在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高。
氮化镓薄膜氮化铝层生长硅衬底功率器件纳米结构缓冲层绒面热膨胀系数晶格常数物理特性中间层保证制作协调