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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810567981.6有效
发明人：林文新;曾富群;林鑫成;胡钰豪;吴政璁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基底、阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一漏极区、一源极区以及一栅极区。基底具有一第一导电型。阱设置于基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第二掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第一掺杂区与第二掺杂区在空间上彼此分隔。漏极区设置于阱之中，并具有第二导电型。源极区设置于阱之中，并具有第二导电型。栅极区设置于阱之中，并位于源极区与漏极区之间。栅极区具有第一导电型并重叠第一掺杂区。采用本发明方案可以有效提升结型场效应晶体管JFET的空乏能力及驱动电流，并降低JFET的通道截止电压。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201711201454.5有效
发明人：林文新;胡钰豪;林鑫成;吴政璁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括：本体区，位于基板中，具有第一导电类型；飘移区，位于基板中，具有与第一导电类型相反的第二导电类型；源极区，位于本体区中，具有第二导电类型；漏极区，位于飘移区中，具有第二导电类型；隔离区，位于源极区与漏极区之间的飘移区中；栅极，位于本体区与飘移区之上；源极场板，电连接源极区；漏极场板，电连接漏极区；及第一栅极板，电连接栅极，其中第一栅极板对应设置于栅极的上方，且第一栅极板与栅极在俯视图中的形状大抵相同。本发明能够在不需增加额外金属绕线面积的情形下，降低栅极电阻，并使元件均匀导通，可缩短开关的关闭时间，减少切换耗损。
横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201710535726.9有效
发明人：吴政璁;林鑫成;林文新;胡钰豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体装置。此装置包括一外延层形成于一半导体基底上。半导体基底内包括具有第一导电型的一第一掺杂区，且外延层内包括具有第二导电型的一基体区以及具有第一导电型的一第二掺杂区及一第三掺杂区。第二掺杂区及第三掺杂区分别位于基体区两相对侧。一源极区及一漏极区分别位于基体区及第二掺杂区内，且一栅极结构位于外延层上。源极区下方且邻近于基体区底部处包括具有第二导电型的一第四掺杂区。第四掺杂区的掺杂浓度大于基体区的掺杂浓度。本发明亦提供上述高压半导体装置的制造方法。本发明可降低或消除基体效应而避免驱动电流随着施加于源极区的电压的增加而下降，进而提升或维持高压半导体装置的效能。
高压半导体装置及其制造方法

[发明专利]高压半导体器件及其形成方法-CN202010692681.8在审
发明人：林文新;林鑫成;胡钰豪;吴政璁;陈秋豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高压半导体器件及其形成方法，所述高压半导体器件包括基底，栅极结构、漏极、第一绝缘结构、以及漏极掺杂区。栅极结构设置在基底上。漏极则设置于基底内，并位于栅极结构的一侧。第一绝缘结构设置于基底上，位于栅极结构的下方且部分重叠于栅极结构。漏极掺杂区设置于基底内，位在漏极与第一绝缘结构下方并且具有不连续的一底面。
高压半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN201910170892.2有效
发明人：林庭佑;涂祈吏;林鑫成;胡钰豪;吴政璁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包含：衬底、第一绝缘层、第二绝缘层、第一密封环结构、第二密封环结构、以及钝化层。衬底具有晶片区以及密封环区。第一绝缘层位于衬底之上。第二绝缘层位于第一绝缘层之上。第一密封环结构埋置于第一绝缘层及第二绝缘层中且位于密封环区内，其中第一密封环结构包含金属层堆叠。第二密封环结构，埋置于第一绝缘层中且位于密封环区内，其中第二密封环结构包含环型多晶硅结构。钝化层位于第二绝缘层及第一密封环结构之上。
半导体结构

[发明专利]高压半导体装置-CN202010263462.8在审
发明人： 胡钰豪;江小玲;江岳竺;黄翊翔 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包括：衬底；基体区及阱区，位于衬底中且彼此分隔，其中基体区具有第一导电类型且阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；块体区及源极，位于基体区中且彼此分隔，其中块体区具有第一导电类型且源极具有第二导电类型；漏极，位于阱区中；隔离区，位于阱区上且介于漏极与源极之间；栅极结构，位于基体区上且延伸至部分隔离区上；电阻器，位于隔离区上且电连接块体区和漏极或电连接漏极及/或源极。
高压半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710320448.5有效
发明人：林文新;林鑫成;吴政璁;胡钰豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其半导体装置包括一半导体基底、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一第四掺杂区。半导体基底具有一第一导电型。第一阱形成于半导体基底中，并具有一第二导电型。第一阱具有一第一区域以及一第二区域。第一区域的掺杂浓度高于第二区域的掺杂浓度。第二阱具有第一导电型，并形成于第一区域之中。第一掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。第二导电型不同于第一导电型。第二掺杂区具有第一导电型，并形成于第二阱之中。第三掺杂区具有第一导电型，并形成于第二区域之中。第四掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201710310685.3有效
发明人：林鑫成;胡钰豪;林文新;吴政璁;马洛宜·库马 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体装置及其形成方法，其中半导体装置包含具有第一导电类型的半导体基底，以及设置于半导体基底内的第一阱，其中第一阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含设置于半导体基底内和第一阱下的埋置层，其中埋置层具有第一导电类型且接触第一阱。半导体装置更包含设置于半导体基底上的源极电极、漏极电极和栅极结构，其中栅极结构位于源极电极和漏极电极之间。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710844807.7有效
发明人：邱建维;林鑫成;胡钰豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，其中半导体基底包含第一区和第二区，埋置层设置于半导体基底的第一区内且具有第一导电类型，其中埋置层的掺质浓度高于半导体基底的掺质浓度，外延层设置于半导体基底上，第一元件设置于半导体基底的第一区上，其中第一元件包含双载子‑互补金属氧化物半导体‑双扩散金属氧化物半导体晶体管，以及第二元件设置于半导体基底的第二区上，其中第二元件包含超高压晶体管。本发明可有效防止设置于半导体基底的第一区的BCD晶体管产生闩锁效应，进而避免BCD晶体管因短路而烧毁。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201710438574.0有效
发明人：吴政璁;林鑫成;胡钰豪;林文新 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括一基底、一第一阱、一第一掺杂区、一第二阱、一第二掺杂区、一场氧化层、一第一导电层、一第一绝缘层以及一第二导电层。基底具有一第一导电型。第一阱形成在基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区形成在第一阱之中，并具有第二导电型。第二阱形成在基底之中，并具有第一导电型。第二掺杂区形成在第二阱之中，并具有第一导电型。场氧化层设于基底上，并位于第一与第二掺杂区之间。第一导电层重叠场氧化层。第一绝缘层重叠第一导电层。第二导电层重叠第一绝缘层。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]高压半导体结构-CN201510876048.3有效
发明人：林鑫成;林文新;胡钰豪;秦玉龙 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高压半导体结构，包括一基板、一第一掺杂区、一阱、一第二掺杂区、一第三掺杂区、一第四掺杂区以及一栅极结构。基板具有一第一导电型。第一掺杂区具有第一导电型，并形成在基板中。阱具有一第二导电型，并形成在基板中。第二掺杂区具有第二导电型，并形成在第一掺杂区中。第三掺杂区具有第一导电型，并形成在阱中。第四掺杂区具有第二导电型，并形成在阱中。栅极结构形成在基板之上，并重叠部分第一掺杂区及阱。通过实施本发明，可令绝缘栅双极晶体管元件快速地被导通。
高压半导体结构

[发明专利]上桥电路-CN201510546186.5有效
发明人：秦玉龙;林鑫成;林文新;胡钰豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种上桥电路，适用于切换式转换器，包括：第一晶体管、上桥驱动电路、电容以及主动式二极管。第一晶体管接收第一信号而产生设定信号。上桥驱动电路接收升压节点的升压电压以及浮动参考节点的浮动参考电压，并根据设定信号控制上桥晶体管将输入电压提供至浮动参考节点。电容耦接于升压节点以及浮动参考节点之间。主动式二极管将供应电压提供至升压节点。当升压电压高于供应电压时，主动式二极管根据控制电压，将供应电压与升压节点隔离。主动式二极管更包括耦接至升压节点的第一第一型阱，并且上桥驱动电路是位于第一第一型阱。
电路

[发明专利]切换式转换器以及升压装置-CN201510545990.1有效
发明人：秦玉龙;林鑫成;林文新;胡钰豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种切换式转换器，包括：上桥驱动器、上桥晶体管、下桥驱动器、下桥晶体管、电容以及主动式二极管。上桥驱动器接收自举节点的自举电压以及浮动参考节点的浮动参考电压，并产生上桥输出信号。上桥晶体管根据上桥输出信号，将输入电压提供至浮动参考节点。下桥驱动器产生下桥输出信号。下桥晶体管根据下桥输出信号，将浮动参考节点耦接至接地端。电容耦接于自举节点以及浮动参考节点之间。主动式二极管将供应电压提供至自举节点。当自举电压高于供应电压时，单向开关元件根据控制电压，将供应电压与自举节点隔离。
切换转换器以及升压装置

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN201410147865.0有效
发明人：杜尚晖;黄志仁;张睿钧;林鑫成;胡钰豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的半导体装置与其形成方法，半导体装置包括第一导电型的基板，以及漏极区、源极区、与阱位于基板中。位于漏极区与源极区之间的阱具有第二导电型，且第一导电型与第二导电型相反。此装置还包括多个掺杂区于阱中。掺杂区水平地与垂直地互相偏离。每一掺杂区包含第一导电型的较下部分，与较下部分上的第二导电型的较上部分。通过本发明提供的半导体装置与其形成方法，可以在半导体装置增加击穿电压的情况下，而不会增加装置面积或开启电阻。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410312453.8有效
发明人：林鑫成;杜尚晖;胡钰豪;林文新 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括具有一第一导电类型的一基板以及设置于该基板上的该第一导电类型的外延结构。该半导体装置还包括设置于该外延结构与该基板之内的具有一第二导电类型的一第一掺杂浓度的一井区。该半导体装置还包括一漏极区与一源极区，设置于该外延结构内，且分别位于该井区之内与之外。该半导体装置还包括具有该第一导电类型的一主体区，位于该源极区之下，以及一对第一掺杂区与第二掺杂区，设置于该漏极区与该源极区之间的该井区内。所述第一掺杂区与该第二掺杂区朝向该主体区而延伸至该井区之外。本发明能够在不增加晶体管的导通电阻或尺寸的前提下，而增加半导体装置的崩溃电压。
半导体装置掺杂区第一导电类型外延结构源极区基板井区漏极区主体区崩溃电压导电类型导通电阻晶体管制造掺杂延伸

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