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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于PGA或PGIA的低电容开关-CN201780053662.7有效
发明人： S·赫雷拉;A·K·杰夫里 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：描述低电容n‑沟道模拟开关电路、p‑沟道模拟开关电路和全CMOS传输门(T‑栅极)电路。电阻去耦可用于将开关或T‑栅极与AC接地隔离。与通过场效应晶体管(FET)的主体区域分开的半导体区域，例如通过绝缘体，可以耦合到或驱动到类似于输入电压或其他期望的偏置电压的电压(例如运算放大器输出)有助于降低开关或T‑栅极的寄生电容。开关或T‑栅极可以帮助提供改善的频率带宽或频率响应。该开关可用于可编程增益放大器(PGA)或可编程增益设备放大器(PGIA)或其他过量开关电容会降低电路性能的电路。
用于 pga pgia 电容开关

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