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[外观设计]奶茶杯（莲动）-CN202330203332.X有效
发明人： 秦嘉怡;陈思琪;邵瑜亮;漆承烨;李金林;涂宗财 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：奶茶杯（莲动）。2.本外观设计产品的用途：用于盛装奶茶。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
奶茶

[发明专利]集成氮化镓晶闸管的常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202210216015.6在审
发明人：余晨辉;秦嘉怡;成田恬;沈倪明;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成氮化镓晶闸管的常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法，该方法使用p‑GaN/n‑GaN/p‑GaN三层结构替代传统的p‑GaN覆盖层，从而这三层结构可与其下方n‑AlGaN势垒层形成GaN基晶闸管结构。由于GaN基晶闸管的开启电压大，集成GaN晶闸管的常闭型HEMT器件可以拥有更大的正阈值电压。当外加偏压达到阈值电压后，HEMT器件导通，此时GaN基晶闸管所需的维持电压低且可产生大电流，HEMTs将拥有大的工作漏电流。切断HEMTs的栅极电压后，在正向漏电压作用下，GaN基晶闸管将处于反向阻断状态，HEMTs会被瞬间关闭。同时，器件制备过程为纯氮化镓工艺，工艺简单。
集成氮化晶闸管常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法-CN202210186426.5在审
发明人：余晨辉;沈倪明;陈红富;秦嘉怡;成田恬;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法，其中该功率二极管是由碳化硅与氧化铝组成。本发明首先利用FP和Al2O3在SiC半导体工艺中实现横向渐变掺杂，然后将这种渐变掺杂应用到JTE结构中，用来解决传统双区JTE终端结构中击穿电压小、JTE区掺杂浓度窗口窄等问题。在Al2O3的高介电常数特性和FP技术的共同作用下会在JTE区上方产生强度合适的电场，用来调控JTE内部空穴在纵向空间当中的不均匀分布，避免空穴过于集中在Al2O3与JTE区的界面处。所以，本发明中的SiC功率二极管不仅拥有大击穿电压、宽JTE区掺杂浓度窗口，而且制备难度低、易操作，这大大提高了PiN功率二极管的工作性能。
一种板结碳化硅功率二极管及其制备方法

[发明专利]一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法-CN202111648809.1在审
发明人：余晨辉;沈倪明;秦嘉怡;成田恬;王鑫 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法，该微波二极管是由硒化铟(InSe)与黑磷(BP)组成的垂直异质结结构。本发明创造性地将制备碰撞离化雪崩渡越时间(IMPATT)微波二极管的传统材料替换成二维材料BP，并利用BP所独有的弹道雪崩机制，一种无散射的量子相干输运雪崩模式，使得该发明中IMPATT微波二极管在雪崩噪声方面明显低于传统雪崩器件，雪崩阈值电压也比传统器件降低2至3个数量级。除此之外，本发明还利用BP的双极性特征使得在制备IMPATT二极管时不需要对材料进行化学掺杂，降低器件的制备难度。与传统材料制备而成的IMPATT二极管相比，本发明中的IMPATT二极管不仅拥有较低的雪崩噪声与雪崩击穿电压，而且制备简单，从而大大提高了器件的工作性能。
一种噪声工作电压微波二极管及其制备方法

[发明专利]一种大阈值电压的常闭型高电子迁移率晶体管器件及其制备方法-CN202111319468.3在审
发明人：余晨辉;秦嘉怡;沈倪明;成田恬;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种大阈值电压的常闭型高电子迁移率晶体管器件及其制备方法，该方法创造性的使用二硫化钼(MoS2)覆盖层替代p型氮化镓(p‑GaN)覆盖层或氧化镍(NiO)覆盖层。与p‑GaN或NiO相比MoS2材料具有更高的空穴密度，更有助于耗尽铝镓氮(AlGaN)/GaN异质结构中的二维电子气体。同时，本发明创造性的在MoS2覆盖层与AlGaN势垒层中间引入六方氮化硼作为绝缘层，有效的抑制由于MoS2与AlGaN接触时形成的交错型异质结构带来的隧穿效应，从而促进阈值电压的正向移动。该方法制备的常闭型高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在无外加偏压状态下更容易实现常闭状态；阈值电压增加明显。
一种阈值电压常闭型高电子迁移率晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法-CN202111132499.8在审
发明人：余晨辉;秦嘉怡;沈倪明;陈红富;陆炎;成田恬;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法，利用氮化镓‑石墨烯衬底，通过改变给石墨烯层外加的栅极偏压，来控制外延生长模式的选择。若在石墨烯层栅极上外加正向偏压，那么石墨烯中的主要载流子类型为电子，抑制氮化镓的极性，外延生长模式选择的是传统的范德瓦耳斯外延，在石墨烯上只能生长二维范德瓦耳斯氮化镓单晶之外的薄膜。反之，若不对石墨烯层栅极施加外电压或者外加反向偏压，那么就选择远程外延，在石墨烯上将生长出二维范德瓦耳斯氮化镓单晶薄膜。本发明避免了因两种外延模式所需石墨烯厚度不同，而在生产过程中需多次制造衬底的问题。不仅可以生产高质量的氮化镓材料，还显著的节省了时间与制造成本。
一种控制范德瓦耳斯外延远程生长模式装置方法

[发明专利]一种氮化镓基器件用散热衬底及其制备方法-CN202110685205.8在审
发明人：余晨辉;沈倪明;秦嘉怡;陆炎;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基器件用散热衬底及其制备方法，其中该散热衬底的核心是由氮化镓与石墨烯所组成的周期性范德瓦尔斯结构。本发明一方面将导热系数较高的石墨烯材料应用到该散热衬底中，解决了传统衬底散热效果差等问题；另一方面还采用干法转移技术和远程外延技术来制备该散热衬底。与利用传统外延技术生长的散热衬底相比，本发明的散热衬底不仅拥有传统散热衬底的一般性能，而且节约了生产成本、增强了散热效果，更适合应用在工业规模上。
一种氮化器件散热衬底及其制备方法

[实用新型]大鼠脊髓损伤打击仪-CN201921192512.7有效
发明人：黄文涛;张华阳;曾俊文;韩强;秦嘉怡;赵茂林;刘兰;许威;蒲晨晨;吴迪梁;黄瀚 -专利权人：川北医学院附属医院
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： A61D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大鼠脊髓损伤打击仪，包括底座、操作台、金属杆、电源、升降控制器，其特征是：升降控制器上固定有一连接杆，连接杆的另一端固定有一矩形框，矩形框内固定有具有一定厚度的记忆棉，一带刻度的中空玻璃套管穿过记忆棉中心，矩形框的侧部固定有一L型支架，支架的顶部固定有一截面呈“匚”型的固定架，固定架内套装有环形调节盘，四组限位轮分别分布在环形调节盘的内外两侧，限位轮通过其中心轴固定在“匚”型固定架内并对环形调节盘进行限位，环形调节盘的外侧设有把手Ⅰ，环形调节盘内侧设有滑道，一截面呈“工”字状的滑块安装在滑道内，滑块底部固定有电磁铁。
大鼠脊髓损伤打击

[外观设计]大鼠脊髓损伤打击仪-CN201930403227.4有效
发明人：黄文涛;秦嘉怡;郑胜眉;刘兰;许威;韩强;蒲晨晨;吴迪梁;黄瀚;赵茂林 -专利权人：川北医学院附属医院
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：大鼠脊髓损伤打击仪。;2.本外观设计产品的用途：用于医学实验，模拟脊髓损伤。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
大鼠脊髓损伤打击仪

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