[实用新型]压控振荡器的偏置电路有效

专利信息
申请号: 201220325352.0 申请日: 2012-07-06
公开(公告)号: CN202663357U 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 盛怀茂;陈敏强 申请(专利权)人: 汉凌微电子(上海)有限公司
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32;G05F3/26
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王江富
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种压控振荡器的偏置电路,包括第一组电流镜、第二组电流镜;第一组电流镜包括第一MOS管、第二MOS管,第一MOS管、第二MOS管为类型相同;第二组电流镜包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管,第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管与第一MOS管、第二MOS管类型相反;第五MOS管的栅极、漏极与第六MOS管的栅极及第二MOS管的漏极相连;第五MOS管的源极与第三MOS管的漏极、栅极以及第六MOS管的源极相连;第六MOS管的漏极与第四MOS管的栅极及第七MOS管的栅极相连;第七MOS管的源极、漏极与第三MOS管的源极及第四MOS管的源极接电源电压;第四MOS管的漏极接压控振荡器。本实用新型的压控振荡器的偏置电路,能减小器件的尺寸。
搜索关键词: 压控振荡器 偏置 电路
【主权项】:
一种压控振荡器的偏置电路,偏置电路包括第一组电流镜、第二组电流镜;所述第一组电流镜包括第一MOS管、第二MOS管,第一MOS管、第二MOS管为类型相同的晶体管;所述第二组电流镜包括第三MOS管、第四MOS管,第三MOS管、第四MOS管为与第一MOS管、第二MOS管类型相反的晶体管;所述第一MOS管的栅极、漏极及所述第二MOS管的栅极接基准电流源,所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极接地;其特征在于:所述第二组电流镜还包括第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管,所述第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管为与第一MOS管、第二MOS管类型相反的晶体管;所述第五MOS管的栅极、漏极与所述第六MOS管的栅极及所述第二MOS管的漏极相连;所述第五MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极、栅极以及所述第六MOS管的源极相连;所述第六MOS管的漏极与所述第四MOS管的栅极以及所述第七MOS管的栅极相连;所述第七MOS管的源极、漏极与所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的源极接电源电压;所述第四MOS管的漏极用于和压控振荡器相连。
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  • 2018-12-04 - 2019-02-19 - H03B5/32
  • 本发明涉及一种安装热敏电阻的石英晶体谐振器,包括基座、石英晶体和热敏电阻,基座上端面中部和下端面中部分别开有第一内凹槽和第二内凹槽,第一内凹槽的底面上布置有第一电极部,第一电极部通过导电银胶与石英晶体的一端相连,基座下端面四角上均布置有端子部,第二内凹槽的底面上布置第二电极部,第二电极部上安装有热敏电阻,端子部由第一端子、第二端子、第三端子和第四端子,第一电极部的第一电极通过基座内的导通电路与第一端子相连,第二电极与第三端子相连,第二电极部包括第三电极和第四电极,第三电极通过电路与第二端子相连,第四电极通过电路与第四端子相连。本发明具有制造成本低、性能稳定特点。
  • 基于耦合传输线的InP HBT压控振荡器-201610694905.2
  • 吕红亮;葛玮璠;张义门;张玉明;武岳 - 西安电子科技大学
  • 2016-08-19 - 2019-02-19 - H03B5/32
  • 本发明公开一种基于耦合传输线的InP HBT压控振荡器,包括偏置单元、振荡单元、稳流电阻R1。在振荡单元中引入两条耦合传输线作为压控振荡器的谐振元件,同时实现压控振荡和变压调谐。本发明提出的压控振荡器以耦合传输线取代了直流阻塞电容,解决了交叉耦合结构压控振荡器中由于直流阻塞电容的寄生效应所引起频率退化的问题,提高了振荡频率。本发明在不使用变容管的情况下就能够实现压控振荡调频,且可以得到较宽的调频范围,本发明无变容管的应用,克服了现有技术中因为变容管工艺限制造成的调频范围窄,和版图面积增大的问题。
  • 一种恒温晶体振荡器及其工作方法-201811594185.8
  • 赵生双;王巨;尹丽利;陈金和;罗梦佳;苏霞;贾晓龙;齐华;赵程 - 北京无线电计量测试研究所
  • 2018-12-25 - 2019-02-15 - H03B5/32
  • 本发明属于恒温石英晶体振荡器技术领域,特别涉及一种恒温晶体振荡器,包括:模拟开关,与恒温晶体振荡器的主振级和温补晶体振荡器分别连接,还与温度传感电路连接;稳压电路(1),分别与控温电路和所述温度传感电路连接;所述恒温晶体振荡器的主振级与隔离缓冲级(1)连接;所述温补晶体振荡器与隔离缓冲级(2)连接,放大输出级与所述隔离缓冲级(1)和所述隔离缓冲级(2)分别连接,使得恒温晶体振荡器启动时,其输出频率为温补晶体振荡器频率,而在恒温区温度升温到接近恒温点时,输出频率切换为恒温晶体振荡器自身的频率,以此达到降低恒温晶体振荡器的起始频差的目的。
  • 一种高防护性片式补偿石英晶体振荡器-201821220101.X
  • 周利明 - 苏州市利明电子有限公司
  • 2018-07-31 - 2019-01-25 - H03B5/32
  • 本实用新型公开了一种高防护性片式补偿石英晶体振荡器,包括安装基板、防护罩、集成电路裸片,所述集成电路裸片的表面边缘处固定安装有金属护圈,所述防护罩的表面安装有配合滑槽,所述防护罩的顶端设置有预留槽,所述防护罩的内壁表面安装有导向柱,所述金属护圈内侧的集成电路裸片表面固定安装有振荡器主体,所述振荡器主体一侧的集成电路裸片表面安装有三个片式电容,所述安装基板的底端表面安装有金属块,所述金属块两侧的安装基板底端表面皆安装有电子线路条。本实用新型通过设置有一系列的结构,使得该振荡器可便于安装的同时,具备一定的防拆卸功能,并提高结构稳定性,利于后续的使用。
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