专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体装置-CN202210416703.7在审
  • 李義福;金完敦;金洛焕 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-20 - 2023-02-03 - H01L23/522
  • 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括:FEOL层,在基底上,包括多个单独的器件;以及第一金属层、第二金属层和第三金属层,顺序地堆叠在FEOL层上。第二金属层包括层间绝缘层和层间绝缘层中的互连线。互连线包括电连接到第一金属层的下过孔部分、电连接到第三金属层的上过孔部分以及下过孔部分与上过孔部分之间的线部分。互连线的上部的线宽在远离基底的竖直方向上逐渐减小,并且互连线的下部的线宽在远离基底的竖直方向上逐渐增大。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210089512.4在审
  • 洪元赫;李義福;金洛焕;张宇镇 - 三星电子株式会社
  • 2022-01-25 - 2022-07-29 - H01L23/522
  • 提供了一种半导体装置,其包括:衬底上的晶体管;第一金属层,其在晶体管上,并且包括电连接至晶体管的下布线;以及第一金属层上的第二金属层。第二金属层包括电连接至下布线的上布线,并且上布线包括穿通孔中的穿通件结构以及线沟槽中的线结构。穿通件结构包括:穿通件部分,位于穿通孔中,并且联接至下布线;以及阻挡件部分,其从穿通件部分竖直地延伸,以覆盖线沟槽的内表面。阻挡件部分在线结构与第二金属层的层间绝缘层之间。阻挡件部分在其下部水平处比在其上部水平处更厚。
  • 半导体装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top