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[发明专利]仿真控制方法、仿真系统及存储介质-CN202310193250.0在审
发明人：阙鸿杰;孙健;骆薇薇 -专利权人：苏州汇川控制技术有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G05B17/02 文献下载
摘要：本发明公开一种仿真控制方法、仿真系统及存储介质，方法应用于仿真系统，仿真系统包括PLC模块、电机及驱动机理模块及三维动画模型，该方法包括：电机及驱动机理模块根据PLC模块发送的轴控制指令生成电机控制信息；根据电机控制信息驱动三维动画模型执行与轴控制指令对应的操作，其中，PLC模块获取三维动画模型基于操作确定轴控制指令的执行结果，在执行结果与轴控制指令的目标执行结果不匹配时，确定执行结果的校准提示信息。本发明的方法通过在仿真系统中加入电机及驱动机理模块，获取三维动画模型执行轴控制指令，轴动作时的电机电气信息，获知电机运行数据，对构建的虚拟产线模型进行健康监测，达到预测实际装配线时能够正常控制及运行的目的。
仿真控制方法系统存储介质

[发明专利]机械产品优化方法、装置、设备及可读存储介质-CN202210968347.X在审
发明人：李奔;骆薇薇;孙健 -专利权人：苏州汇川控制技术有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本申请公开了一种机械产品优化方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括步骤：获取待优化的产品的第一载荷数据；输入所述第一载荷数据至有限元降阶模型，得到所述产品的动力学特性；所述有限元降阶模型是基于训练数据集对未训练有限元降阶模型进行迭代训练得到的；基于所述动力学特性，对所述产品进行优化。本申请实现了通过有限元降阶模型来对第一载荷数据进行计算得到产品的动力学特性(即求解得出动力学特性)，而该过程的耗时要远少于基于多体动力学理论和有限元软件进行数值仿真的过程的耗时，因此，本申请极大地减少了求解得出动力学特性所需花费的时间，从而使得产品优化过程的耗时也大大减少，进而提高了产品优化过程的效率。
机械产品优化方法装置设备可读存储介质

[发明专利]电机降阶模型仿真方法、装置、设备及可读存储介质-CN202210785205.X在审
发明人：李睿;王双翼;梁艳威;骆薇薇 -专利权人：苏州汇川控制技术有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电机降阶模型仿真方法、装置、设备及计算机可读存储介质，所述方法包括：根据所述直线电机的CAE模型构建当前仿真任务；在所述当前仿真任务下，根据预设的直轴电流区间、预设的交轴电流区间、预设的位移量区间以及预设的电流激励公式进行计算，以得到所述直线电机的三相磁链和推力的数据集合；将所述数据集合输入至预设的电压方程框架和运动方程框架以得到电机降阶模型仿真结果。通过将本发明中的电机降阶模型仿真方法应用于电机降阶模型仿真设备，实现了对直线电机的降阶模型方法，提高了直线电机的仿真效率。
机降模型仿真方法装置设备可读存储介质

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制作方法-CN201710078169.2有效
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氮化镓半导体器件及其制作方法，该方法包括：在基底的第一表面生长含铟的缓冲层，该缓冲层包括含铟的AlxGa1‑xN层，其中，0≤x≤1；在缓冲层背离基底一侧表面形成非有意掺杂的第一氮化镓层；在第一氮化镓层背离缓冲层一侧表面形成含碳掺杂的第二氮化镓层；在第二氮化镓层背离第一氮化镓层一侧形成非有意掺杂的第三氮化镓层；在第三氮化镓层背离第二氮化镓层一侧形成AlyGaN1‑yN层，其中，0＜y≤1。利用该方法制作的氮化镓半导体器件可提高所述氮化镓半导体器件的击穿电压，降低所述氮化镓半导体器件在制作过程中，出现裂纹的概率，提高所述氮化镓半导体器件的性能。
氮化半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件-CN201710069165.8有效
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高。
一种衬底生长氮化薄膜方法结构功率器件

[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制作方法-CN201710083258.6在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓功率器件及其制作方法，该氮化镓功率器件包括：基底；设置在基底上的多个功率器件单元；功率器件单元具有栅极、源极以及漏极；栅极包括：平行且相对设置的第一子栅极以及第二子栅极；连接第一子栅极以及第二子栅极的曲面子栅极；第一子栅极具有第一端，第二子栅极具有与第一端相对设置的第二端；曲面子栅极分别与第一端以及第二端连接；其中，漏极位于第一子栅极与第二子栅极之间；曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度。本发明技术方案通过改变栅极结构，设置曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度，能够增大栅极曲面部分的耐压能力，可以有效提高氮化镓功率器件栅极的曲面部分耐硬击穿能力。
子栅极氮化镓功率器件面子功率器件单元第一端基底漏极耐压能力相对设置栅极结构硬击穿源极制作平行

[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法-CN201710083261.8在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件以及制作方法，该功率半导体器件包括：基底；设置在基底上的氮化镓层，氮化镓层包括栅极区、源极区和漏极区；栅极区的表面设置有栅极，源极区表面设置有源极，漏极区表面设置有漏极；栅极包括平行且相对设置的第一栅极区域和第二栅极区域；以及连接第一栅极区域和第二栅极区域的第三栅极区域，第三栅极区域为曲面结构；漏极位于第一栅极区域与第二栅极区域之间；源极包括平行且相对设置的第一源极区域和第二源极区域，第一源极区域与第一栅极区域对应设置，第二源极区域和第二栅极区域对应设置。本发明技术方案解决现有技术中在栅极的曲面部分容易发生表面击穿的问题。
栅极区域源极区域功率半导体器件表面设置氮化镓层相对设置漏极区源极区栅极区基底漏极源极平行表面击穿方案解决曲面结构制作

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件-CN201710069158.8在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高。
氮化镓薄膜氮化铝层生长硅衬底功率器件纳米结构缓冲层绒面热膨胀系数晶格常数物理特性中间层保证制作协调

[实用新型]GaN半导体器件-CN201721026139.9有效
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；所述AlxGa1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管(MISFET Transistor)特性中散布问题。 1
氮化铝镓半导体器件氮化镓层氮化镓铝层缓冲层晶种层基板本实用新型二维电子气薄膜结构氮化铝层蚀刻工艺依次层叠有效控制栅极接触氮化铝复合膜晶体管薄膜散布生长

[实用新型]GaN半导体器件-CN201721026156.2有效
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；设置于所述AlxGa1‑xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p‑GaN层。上述GaN半导体器件的结构，在生长出2DEG用AlGAN薄膜后，于p‑GaN layer蒸镀前插入氮化铝层的结构，即，p‑GaN/AlN/AlGaN复合膜或p‑GaN/AlGaN/AlN/AlGaN复合膜，去除在后续工艺中为栅极蚀刻时剩下的P类氮化镓层，改善p‑GaNHEMT器件特性的散布。
gan 半导体器件

[发明专利]GaN半导体器件及其制备方法和应用-CN201710702142.6在审
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN半导体器件，包括基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGaN1‑xN层；所述AlxGaN1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管(MISFET Transistor)特性中散布问题。
gan 半导体器件及其制备方法应用

[实用新型]含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件-CN201621437259.3有效
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层上部的缓冲层以及设在该缓冲层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本实用新型通过在氮化铝中掺杂一定浓度的硅，在硅衬底上中生长包含硅掺杂氮化铝层的籽晶层，硅掺杂氮化铝与硅原子的晶格失配数比较接近，硅掺杂氮化铝层在硅基底上更好的成长，可以有效的阻止硅由衬底扩散进入氮化镓外延层，减少了硅与氮化镓的反应，改善了氮化镓或氮镓铝/氮化镓薄膜的品质，提高了半导体器件的工作性能。
含有掺杂氮化半导体器件

[发明专利]GaN半导体器件及其制备方法和应用-CN201710702909.5在审
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN半导体器件，包括基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；设置于所述AlxGa1‑xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p‑GaN层。上述GaN半导体器件的结构，在生长出2DEG用AlGAN薄膜后，于p‑GaN layer蒸镀前插入氮化铝层的结构，即，p‑GaN/AlN/AlGaN复合膜或p‑GaN/AlGaN/AlN/AlGaN复合膜，去除在后续工艺中为栅极蚀刻时剩下的P类氮化镓层，改善p‑GaN HEMT器件特性的散布。
gan 半导体器件及其制备方法应用

[实用新型]氮化镓半导体器件-CN201621398209.9有效
发明人：李东键;金荣善;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓半导体器件，所述氮化镓半导体器件包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层以及电极；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层。该氮化镓半导体器件为了改善击穿电压及漏电(leakage)的特性，将多层的非掺杂氮化镓层(Un‑doped GaN)和碳掺杂氮化镓层(C‑doped GaN)交叉生长，能改善高阻抗层的品质使其能生长得更厚，可以使底部上升的位错弯曲。
氮化半导体器件

[实用新型]SBD器件-CN201621404535.6有效
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SBD器件及其制备方法，该SBD器件，包括金属层；设置在所述金属层上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的重掺杂n‑GaN层；设置在所述重掺杂n‑GaN层上的微量掺杂n‑GaN层；设置在微量掺杂n‑GaN层上的肖特基阻挡金属层。上述SBD器件设计垂直原子构造，能防止横向器件构造中发生的热逃逸现象。
sbd 器件

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