[发明专利]一种用于LED生长的图形化衬底、外延片和制备方法在审
| 申请号： | 202110798085.2 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113257970A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张剑桥;谢鹏程;米波;肖桂明;张小琼;陆前军 | 申请（专利权）人： | 广东中图半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/44;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于LED生长的图形化衬底、外延片和制备方法。该衬底包括图形化蓝宝石衬底，图形化蓝宝石衬底的一侧表面形成有多个蓝宝石图形，异质层，位于图形化蓝宝石形成有蓝宝石图形的一侧表面，蓝宝石图形被包覆于异质层的内部，且蓝宝石图形的上表面与异质层的上表面齐平。本发明通过将蓝宝石c面经过研磨和抛光处理，使得外延层的材料只在蓝宝石c面成核生长，具有良好的平整度和可控的表面粗糙度，有利于获得低缺陷的外延层，进一步降低外延层位错密度，保证外延质量；并且通过外延层、蓝宝石衬底、异质层及空气的梯度折射率差异及蓝宝石衬底中形成的凸起结构降低全反射，增加光提取率，进而提高外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 led 生长 图形 衬底 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中图半导体科技股份有限公司，未经广东中图半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110798085.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种深紫外发光二极管结构及其制备方法-202111286135.5
- 李祈昕;刘宁炀;何晨光;陈志涛;赵维;吴华龙 - 广东省科学院半导体研究所
- 2021-11-02 - 2023-10-27 - H01L33/22
- 本发明涉及一种深紫外发光二极管结构及其制备方法，包括从下至上依次叠加的衬底、缓冲层、具有台面结构的N型AlGaN层、多量子阱层、P型层，所述N型AlGaN层的台面结构上设置有N型金属电极，所述P型层上设置有P型金属电极，所述N型AlGaN层台面结构区域与N型金属电极之间设置有不连续成膜的微纳图形。深紫外发光二极管结构的制作方法中通过修复型ICP刻蚀对所述不连续成膜的微纳图形及露出的N型AlGaN层台面结构区域进行刻蚀，消除了刻蚀形成的表面态并修复刻蚀损伤，改善金属与N型AlGaN层的欧姆接触特性。
- 图形化衬底的制备方法及具有空气隙的LED外延结构-202210636079.1
- 付星星;芦玲 - 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
- 2022-06-07 - 2023-10-20 - H01L33/22
- 本发明涉及半导体领域，公开了一种图形化衬底的制备方法及具有空气隙的LED外延结构，该方法为：在衬底本体上制备出第一光刻窗口，形成图案化的牺牲层；在牺牲层以及衬底本体表面沉积形成凸起结构的材料层；在材料层上制备出图案化的第二光刻窗口；且各第二光刻窗口的部分或全部外沿线位于牺牲层中至少一个图案的外沿线以内；刻蚀掉位于第二光刻窗口内的材料层形成顶部图案层；腐蚀掉没有被顶部图案层完全包裹在内的牺牲层中的图案，形成悬空部和底部图案层；去除正性光刻胶得到具有凸起结构的图形化衬底。外延结构中空气隙的存在，会使得其发出的光在该区域内发生更多的折射和反射，能够增加出光反射，提升出光效率和亮度。
- 一种用于LED生长的复合图形化衬底、外延片和制备方法-202111577930.X
- 张剑桥;罗凯;张小琼 - 广东中图半导体科技股份有限公司
- 2021-12-22 - 2023-10-20 - H01L33/22
- 本发明实施例公开了一种用于LED生长的复合图形化衬底、外延片和制备方法。该复合图形化衬底包括蓝宝石衬底以及位于蓝宝石衬底的一侧表面的多个不对称凸起结构，不对称凸起结构的顶部中心点和底部中心点的连接线与蓝宝石衬底表面不垂直，不对称凸起结构包括蓝宝石层和异质层，蓝宝石层位于蓝宝石衬底的表面一侧，异质层位于蓝宝石层背离蓝宝石衬底的一侧。本实施例的技术方案，通过在蓝宝石衬底的c面上形成多个呈周期排布的不对称凸起结构，当光线在碰到不对称凸起结构的具有倾斜角度的侧边时，使得光线发生更多的反射，增强光的多次反射折射产生的随机化效应，增加出光几率，进而提高光提取效率，最终改善GaN基LED的能量利用率。
- 复合图形化衬底的制备方法及具有空气隙的外延结构-202210631067.X
- 付星星;孙帅;刘鹏;芦玲 - 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
- 2022-06-06 - 2023-10-20 - H01L33/22
- 本发明涉及半导体领域，公开了一种复合图形化衬底及其制备方法和外延结构，在衬底本体的表面先后沉积材料层一和材料层二；然后涂布正性光刻胶，制备出具有周期性排布的光刻窗口；使用第一步干法刻蚀工艺依次刻蚀掉光刻窗口内的材料层二、材料层一以及部分衬底本体，形成间隔沟槽；使用第二步干法刻蚀工艺蚀刻掉被正性光刻胶覆盖的部分材料层二，暴露出部分材料层一，形成凸起结构，得到复合图形化衬底。本方法制备的衬底中的凸起结构在后续生长外延结构时，能够在N型层与各凸起结构之间形成较大的空气隙，在该空气隙的位置，会使得LED发出的光在该区域内发生更多的折射和反射，能够增加LED出光的反射，提升出光效率，提升亮度。
- 一种复合图形化衬底的制备方法及具有空气隙的外延结构-202210630620.8
- 付星星;孙帅;刘鹏;芦玲 - 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
- 2022-06-06 - 2023-10-20 - H01L33/22
- 本发明涉及半导体领域，公开了一种复合图形化衬底及其制备方法和外延结构，在衬底本体的表面沉积材料层；在材料层上涂布正性光刻胶，然后在衬底本体上制备出具有周期性排布的光刻窗口；使用第一步干法刻蚀工艺刻蚀掉光刻窗口内的材料层并进一步刻蚀掉部分衬底本体，形成间隔沟槽；使用第二步干法刻蚀工艺刻蚀掉被正性光刻胶覆盖的部分材料层，形成凸起结构，得到复合图形化衬底。本方法制备的衬底中的凸起结构在后续生长外延结构时，能够在N型层与各凸起结构之间形成较大的空气隙，在该空气隙的位置，会使得LED发出的光在该区域内发生更多的折射和反射，能够增加LED出光的反射，提升出光效率，提升亮度。
- 半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法-202111432273.X
- 王国斌;闫其昂;刘宗亮 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
- 2021-11-29 - 2023-10-20 - H01L33/22
- 本申请涉及一种半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法。其中，半导体衬底及其制备方法包括：提供半导体基础衬底；将半导体基础衬底放入刻蚀腔室内；对半导体基础衬底的材料表面进行化学分解，以形成凸起结构；以第一刻蚀功率对形成有凸起结构的半导体基础衬底进行刻蚀，以形成半导体衬底。本申请实施例形成具有凹坑结构的半导体衬底，一方面可以有效缓解应力，另一方面可以提高半导体器件中，形成于半导体衬底上的有源层的面积。
- 光提取层、紫外LED外延结构及其制备方法和应用-202311132181.9
- 请求不公布姓名 - 至芯半导体（杭州）有限公司
- 2023-09-05 - 2023-10-13 - H01L33/22
- 本发明属于紫外LED外延结构技术领域，具体涉及一种光提取层及其制备方法和应用、紫外LED外延结构及其制备方法。本发明提供的光提取层，包括由下到上依次层叠设置的非掺杂型AlGaN层和P型AlGaN覆盖层；所述非掺杂型AlGaN层上设置有填充有反射性金属的六角缺陷坑；所述填充有反射性金属的六角缺陷坑的上表面和所述P型AlGaN覆盖层接触。本发明通过腐蚀非掺杂型AlGaN层，能够产生多个六角缺陷坑，除了使表面的位错露头漏出外，还能在后续的生长中通过二次外延释放生长过程中的应力，从而提高外延结构的晶体质量；本发明通过在缺陷坑中沉积高反射金属层，可以增加外延层内部光的反射，极大的提高光提取效率。
- GaAs基发光二极管芯片及其制造方法-202110733261.4
- 肖和平;朱迪;王瑞瑞 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2021-06-30 - 2023-10-13 - H01L33/22
- 本公开提供了一种GaAs基发光二极管芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域。GaAs基发光二极管芯片包括GaAs衬底以及外延层，外延层中的粗化层的与欧姆接触层接触的一面为粗化面，粗化面上除欧姆接触层的设置区域之外的区域为粗化区域，粗化区域上形成有粗化结构；GaAs基发光二极管芯片还包括透明导电层，透明导电层铺设在粗化区域和欧姆接触层上，且透明导电层位于欧姆接触层和P型电极之间，透明导电层为掺钨的氧化铟层。此时，可以得到出光效率好、输出功率强的红外LED芯片器件。
- 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管外延片-202310968497.5
- 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-08-03 - 2023-10-10 - H01L33/22
- 本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管外延片，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、V型坑层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述V型坑层包括依次层叠于所述N型GaN层上的缺陷阻断层和V型坑形成层；所述缺陷阻断层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一BN层、InN层和第二BN层；所述V型坑形成层为Ga
- 微发光二极管、微发光元件及显示器-202110506845.8
- 王彦钦;陈劲华;郭桓邵;黄少华;李水清 - 厦门三安光电有限公司
- 2021-05-10 - 2023-10-03 - H01L33/22
- 本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件及显示器，该微发光二极管包括半导体堆叠层，半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面，且包括顺序排列的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，第一类型半导体层位于靠近第一表面的一侧；第一表面形成有粗糙部，在预定投影方向上粗糙部的投影落在有源层的投影内部，且粗糙部的投影面积等于或小于有源层的投影面积；预定投影方向垂直于第一表面。本申请通过使粗糙部的面积不大于有源层的面积，且第一表面除粗糙部之外的区域以及半导体堆叠层的侧壁均因未被粗化而具有良好的全反射效果，增加半导体堆叠层的粗糙部出光，减小微发光二极管的出光角度，并改善该微发光二极管的色彩表现。
- 一种LED芯片制备方法及LED芯片-202311083137.3
- 郭磊;董国庆;文国昇;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-08-28 - 2023-09-22 - H01L33/22
- 本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，方法包括提供一外延片；采用第一粗化液对砷化铝镓层进行粗化，并镀膜氧化铟锡；以及制备第一电极；然后进行研磨减薄，得到第三半成品芯片；在第三半成品芯片的一面镀膜共晶合金，以形成第二电极，得到第四半成品芯片；并通过第二粗化液对处理后的第四半成品芯片上的第二电极进行粗化，得到第五半成品芯片；分离第五半成品芯片上的芯粒，并基于蓝膜对第五半成品芯片进行扩张，再对分离后的芯粒的侧壁进行粗化，得到成品LED芯片。本发明通过对砷化铝镓层进行粗化达到初步提亮的效果，再通过对分离后的芯粒的侧壁进行粗化达到进一步提亮的效果。
- 一种非平面结构的外延层、UVC-LED芯片、发光装置-202320129167.2
- 郝茂盛;袁根如;陈朋;马后永 - 上海芯元基半导体科技有限公司
- 2023-01-18 - 2023-09-08 - H01L33/22
- 本实用新型提供了一种非平面结构的外延层、UVC‑LED芯片、发光装置，该非平面结构的外延层包括：第一外延层，所述第一外延层生长于一复合衬底上周期性排布的若干第一结构之间的间隙中；第二外延层，所述第二外延层生长于所述第一外延层的第一面，包括若干生长顶峰，相邻所述生长顶峰之间的第一外延层横向闭合，形成横向闭合低谷；且所述横向闭合低谷的高度低于所述生长顶峰；N型外延层、发光层、P型外延层，按照所述第二外延层的形状，在所述第一外延层的基础上依次堆叠，以解决因A1浓度过高而导致UVC‑LED的外延层生长裂纹的问题。
- 发光装置-202310518235.9
- 大黑真一;三贺大辅 - 日亚化学工业株式会社
- 2018-06-29 - 2023-09-01 - H01L33/22
- 本发明提供一种发光装置，使发光单元单独发光的分割性良好。本发明的发光装置具有：多个发光单元；第一绝缘层；布线电极；第二电极；所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间，从所述第一半导体层露出，所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。另外，本发明的发光装置也可以具有：多个发光单元；第一绝缘层；第一电极；布线电极；所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间，从所述第一半导体层露出，所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。
- 倒装深紫外LED及其制备方法-202110841199.0
- 范谦;倪贤锋;曹荣兵;崔莹 - 苏州汉骅半导体有限公司
- 2021-07-26 - 2023-09-01 - H01L33/22
- 本发明提供一种倒装深紫外LED，包括：衬底、n型外延层、量子阱层和p型外延层、粗化种层、粗化结构、盖片层、反射层以及p型欧姆接触和n型欧姆接触。本发明中，在所述n型外延层、所述量子阱层和所述p型外延层的侧壁上生长多晶的粗化种层，并且在所述粗化种层上继续生长表面粗糙的粗化结构，可以增加量子阱层侧面的出光角度，减少倒装深紫外LED侧面光的全反射，并且在所述反射层的作用下，通过所述粗化种层和所述粗化结构透出的光可以完全反射至所述盖片层并出光，从而提高器件整体的出光效率。
- 发光二极管及发光装置-202310483861.9
- 王志贤;张清坡;江军;彭钰仁 - 泉州三安半导体科技有限公司
- 2023-04-28 - 2023-08-29 - H01L33/22
- 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构、第一粗化结构和第二粗化结构，外延结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层位于第一半导体层和第二半导体层之间，第一粗化结构设置在第二半导体层的远离发光层的出光面，第二粗化结构设置在第一粗化结构的侧表面。通过在第一粗化结构的侧表面上设置第二粗化结构，能够有效提高发光二极管的光提取效率，增强发光二极管的出光性能。
- 一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料及其制备方法-201811234462.4
- 李树强;江风益;刘军林;王光绪;陈芳;郭醒 - 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
- 2018-10-23 - 2023-08-29 - H01L33/22
- 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
- 一种切割道粗化的反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法-202310634586.6
- 吴向龙;闫宝华 - 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 2023-05-31 - 2023-08-25 - H01L33/22
- 本发明涉及一种切割道粗化的反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法，属于光电子技术领域。本发明通过在ICP刻蚀切割道的过程中，调节APC(自动压力控制器)插板阀的角度，利用刻蚀过程中的生成物作为掩膜，达到切割道粗化效果。该方法不需要额外进行一次湿法腐蚀，且对切割道内剩余GaP的厚度没有严格的要求，因此工艺简单，便于生产作业。本发明利用ICP刻蚀形成切割道的过程中同时完成了粗化切割道，不需额外进行湿法工艺粗化，简化了制备工艺，大幅减少工艺流程，相较于现有制备方法的生产周期，本发明的生产周期减少了5％，极大地提高了生产效率，降低生产成本。同时不会造成GaP过腐蚀，提高了良率。
- 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310769690.6
- 郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-06-28 - 2023-08-22 - H01L33/22
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V坑准备层、V坑层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；V坑准备层包括依次层叠于N型GaN层上的模板层、GaN填平层和第一AlGaN层；模板层包括多个阵列分布于N型GaN层上的MoSe
- 表面粗糙化方法-202310328502.6
- 王晓冉;徐耿钊;刘争晖;张春玉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2023-03-30 - 2023-08-11 - H01L33/22
- 本发明公开了一种表面粗糙化方法。表面粗糙化方法包括：制备得到MicroLED器件，其中MicroLED器件中p型氮化镓层的外表面具有预定角度范围的斜切角；将MicroLED器件置于预先制备的腐蚀溶液中，经过预定时长后在p型氮化镓层的外表面形成粗糙化结构。通过在制备MicroLED器件过程中在p型氮化镓层的外表面形成斜切角度，一方面通过形成斜切角度可以使表面容易形成粗糙化结构，降低了制备工艺的难度和复杂度，另一方面通过调整斜切角度的大小，可控制表面粗糙化的程度。
- 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310706975.5
- 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-06-15 - 2023-07-18 - H01L33/22
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的N型半导体层、第一V型坑开口层、第一多量子阱层、V型坑调整层、第二多量子阱层和P型半导体层；第一多量子阱层的周期数≥第二多量子阱层的周期数；V型坑调整层包括V型坑填平层和第二V型坑开口层；第一V型坑开口层开口得到第一V型坑，V型坑填平层填平第一V型坑，第二V型坑开口层开口得到第二V型坑；第二V型坑的开口尺寸＜第一V型坑的开口尺寸。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率和抗静电能力。
- 微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置-202210863137.4
- 刘召军;黄炳铨;张珂 - 深圳市思坦科技有限公司
- 2022-07-20 - 2023-07-14 - H01L33/22
- 本公开提供一种微型LED器件制备方法、微型LED器件及显示装置。该方法包括：提供外延片；将外延片刻蚀出台面结构阵列并使最外围台面结构有倾斜侧面；在每个台面结构上依次设置电流扩散层和金属层；在以上结构上设置钝化层，并在钝化层上开设第一接触孔和第二接触孔以使第一接触孔暴露出部分金属层且第二接触孔暴露出部分半导体层；在暴露出的金属层上设置第一电极并在露出的半导体层及与其相邻的钝化层上设置金属引线，金属引线的位于钝化层上方的部分作为第二电极；在第一电极和第二电极上设置金属凸点，得到微型LED芯片阵列；通过金属凸点将芯片阵列与驱动基板倒装键合，得到微型LED器件。根据该方案，可弥补阴极和阳极的高度差。
- 一种高光效发光二极管外延片及其制备方法-202310456376.2
- 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-04-26 - 2023-07-11 - H01L33/22
- 本发明提供了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法，属于LED半导体的技术领域。该外延片包括GaN基衬底以及依次沉积在GaN基衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层和p型GaN层；其中，空穴注入层具有与多量子阱层适配的V形坑结构，其包括依次沉积在多量子阱层的V形坑结构侧壁上的AlN层和MgN纳米棒层，以及依次沉积在MgN纳米棒层上的MgAlGaN包覆层和MgInGaN层。通过本申请，可以有效降低载流子易被穿透位错处的非辐射复合中心所捕获，以及提升空穴从V形坑侧壁的注入效率、均匀性，从而提升发光二极管的发光效率。
- 一种异质纳米图形衬底及其制备方法和应用-202310417910.9
- 康香宁;张浩东;陈志忠;潘作坚;邓楚涵;聂靖昕;董勃言;王大奇;李俞辰;沈波 - 北京大学
- 2023-04-18 - 2023-07-04 - H01L33/22
- 本发明公布了一种异质纳米图形衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明利用异质纳米图形材料和蓝宝石材料对腐蚀液的选择性，通过化学腐蚀的方法实现将GaN从衬底上剥离而不引入损伤。采用本发明实现了外延质量的提高和衬底的有效剥离，有效解决了湿法剥离过程中的均匀性控制问题，提高了后续制备的Micro‑LED性能和良品率。
- 一种LED芯片及发光装置-202310453334.3
- 王晶;王志贤;张清坡;江军;杨洋 - 泉州三安半导体科技有限公司
- 2023-04-25 - 2023-07-04 - H01L33/22
- 本申请提供一种LED芯片及发光装置，该LED芯片包括外延结构，外延结构具有出光面以及与出光面相对的背面，外延结构的出光面为具有凹陷式微图案的粗化表面，凹陷式微图案包括若干微坑结构，若干微坑结构在所述出光面呈规律性排布或者不规律排布，其中所述规律性排布包括方形排布或者蜂窝式排布，相邻微坑结构之间的间隔距离介于200nm～800nm。上述微坑结构为凹陷式微图案，使得LED芯片的出光面除了微图案以外的区域保持连续的平面结构，此时在采用吸嘴吸附转移LED芯片时，吸嘴能够与出光面的连续平面结构部分形成良好的吸附，形成真空环境，不会出现漏气等问题，实现较高的LED芯片转移成功率及转移效率。
- 一种LED垂直硅衬底外延片及其制备方法-202310348007.1
- 涂于飞 - 郑州西亚斯学院
- 2023-04-04 - 2023-06-30 - H01L33/22
- 本发明提供了一种LED垂直硅衬底外延片，包括依次层叠于所述硅衬底粗糙上表面制备外延层，所述外延层包含依次制备的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层，在所述硅衬底光滑下表面设置压应力支撑层，所述应力支撑层表面积小于衬底的表面积，分布在硅衬底中间；所述应力支撑层包含依次在硅衬底下表面制备的应力提供层和应力加强层。所述应力提供层为NiZnSe层，所述应力加强层为AlInGaN，用于解决现有技术中硅衬底的外延层结构之间中存在着裂纹、晶格失配、内部残余应力的问题。
- 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310601506.7
- 郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-05-26 - 2023-06-30 - H01L33/22
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括图形化衬底，依次层叠于图形化衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；图形化衬底上设有多个阵列分布的凸起图形；缓冲层包括依次层叠的第一子层和第二子层；第二子层包括依次层叠的三维AlN层和二维AlN层；第一子层包括多个MoSe
- 一种硅衬底上生长半极性(11-22)面氮化镓的方法-202211083705.5
- 赵桂娟;茆邦耀;邢树安;刘贵鹏 - 兰州大学
- 2022-09-06 - 2023-06-30 - H01L33/22
- 本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。
- 一种LED芯片及发光装置-202310306218.9
- 邱新智;王志贤;张清坡;江军;郭桓邵;彭钰仁 - 泉州三安半导体科技有限公司
- 2023-03-27 - 2023-06-02 - H01L33/22
- 本申请提供一种LED芯片及发光装置，LED芯片的外延结构的出光面形成为具有微图案的粗化表面，其中，该微图案包括具有不同的尺寸特征和/或轮廓特征的多种微结构，并且多种微结构分布在出光面的不同区域。微结构的尺寸特征(例如口径、深度、高度、宽度、相邻微结构之间的间距等)直接影响LED芯片的光取出率及光型特征，微结构轮廓形状的差异也会影响LED芯片的光性表现。因此可以根据LED芯片的出光要求在出光面的不同区域布置上述多种微结构，以满足LED芯片的出光要求。本发明不同尺寸的微结构的设置有利于提高LED芯片的特定出光效果。可以根据LED芯片的不同出光要求设置不同的微结构分布，因此增加了LED芯片设计的灵活性及针对性。
- 一种AlN模板及其制备方法-202310136381.5
- 徐广源;蒋国文;樊怡翔;常煜鹏 - 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
- 2023-02-13 - 2023-05-26 - H01L33/22
- 本发明涉及一种AlN模板及其制备方法，所述AlN模板包括衬底(1)和设置在所述衬底(1)上的AlN缓冲层(2)，所述AlN缓冲层(2)上设有SiN
- 一种图形化衬底及LED外延片-202310000341.8
- 吴福仁;李彬彬;李瑞评;巫婷 - 福建晶安光电有限公司
- 2023-01-03 - 2023-05-23 - H01L33/22
- 本发明通过将凸起结构的侧面设置为凹曲面状，通过增加一次反射射出的入射光区域，减小入射光的多次往返折射，减少因光的反射次数较多而产生的光衰，进而提高LED外延片的光取出效率。将凸起结构的侧面设置为凹曲面状，还可以使垂直入射到凸起结构侧面的光线入射角增加，其折射角随入射角的增加而增加，折射角等于90°时，入射角等于发生全反射时的临界角，当入射角大于等于临界角时，入射光线全部被反射回外延层中，全反射现象产生，增大了光的使用率。凸起结构采用折射率小于衬底的材料，使得临界角减小，增加全反射发生的几率，增加光线出射的机会，提高LED外延片的光提取效率。本发明在凸起结构的侧表面上形成多个不规则的坑洞结构，达到表面粗化效果，这些坑洞结构能够随机散射入射至图形化衬底的光，减少衬底对入射光的吸收，提高光的提取效率。
- 专利分类
