专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台-CN202010742195.2有效
  • 王兴林;李彬彬;霍曜;李瑞评;苏贤达;梅晓阳;吴福仁;王振;郑皓允 - 福建晶安光电有限公司
  • 2020-07-29 - 2023-08-11 - H01L21/67
  • 本申请提供一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台,涉及半导体衬底技术领域。所述使晶片蚀刻均匀的方法包括:使晶片与用于承载晶片的第一载具的接触为线接触或类线接触;且第一载具与晶片的接触位置至少为三个;将第一载具由第二载具支撑,第二载具对晶片的蚀刻区域进行避让;使反应气体以与晶片蚀刻表面平行的方向向晶片移动并扩散至晶片蚀刻表面。本申请中的使晶片蚀刻均匀的方法通过改变反应气体的流动方向使每个晶片接触到的反应气体的时间和接触面积基本一致,以及通过改变晶片载具的结构,使晶片蚀刻表面接触反应气体的机会均同,从而使蚀刻更加均匀,缩短晶片的蚀刻时间,避免衬底局部过蚀刻的问题,进而提高衬底的品质。
  • 一种晶片蚀刻均匀方法刻蚀机台
  • [发明专利]一种图形化衬底及LED外延片-CN202310000341.8在审
  • 吴福仁;李彬彬;李瑞评;巫婷 - 福建晶安光电有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-05-23 - H01L33/22
  • 本发明通过将凸起结构的侧面设置为凹曲面状,通过增加一次反射射出的入射光区域,减小入射光的多次往返折射,减少因光的反射次数较多而产生的光衰,进而提高LED外延片的光取出效率。将凸起结构的侧面设置为凹曲面状,还可以使垂直入射到凸起结构侧面的光线入射角增加,其折射角随入射角的增加而增加,折射角等于90°时,入射角等于发生全反射时的临界角,当入射角大于等于临界角时,入射光线全部被反射回外延层中,全反射现象产生,增大了光的使用率。凸起结构采用折射率小于衬底的材料,使得临界角减小,增加全反射发生的几率,增加光线出射的机会,提高LED外延片的光提取效率。本发明在凸起结构的侧表面上形成多个不规则的坑洞结构,达到表面粗化效果,这些坑洞结构能够随机散射入射至图形化衬底的光,减少衬底对入射光的吸收,提高光的提取效率。
  • 一种图形衬底led外延
  • [发明专利]一种LED衬底及发光元件-CN202310129806.X在审
  • 李彬彬;吴福仁;李瑞评;刘建明;蔡吉明 - 福建晶安光电有限公司
  • 2023-02-17 - 2023-05-23 - H01L33/10
  • 本发明提供一种LED衬底,包括支撑衬底,及设置于支撑衬底上的晶格匹配层,支撑衬底上设置有第一层周期性凸起结构,晶格匹配层内设置有第二层周期性凸起结构,第二层凸起结构的顶点与第一层凸起结构的顶点不在同一条竖直线上,所述第二层凸起结构中相邻的两个凸起结构间的平面在竖直方向上的投影均落入第一层凸起结构的侧壁上,且不与第一层凸起结构的顶点重合。本发明所提供的LED衬底可以反射所有的入射光线,使得光线的利用率更高,从而使得光提取效率更高,本发明还提供一种发光元件,包括上述LED衬底,该发光元件的出光效率更高。
  • 一种led衬底发光元件
  • [发明专利]提高晶片蚀刻均匀性的方法及装置-CN202010734857.1有效
  • 苏贤达;李彬彬;霍曜;李瑞评;梅晓阳;王兴林;吴福仁;段学超 - 福建晶安光电有限公司
  • 2020-07-28 - 2023-03-14 - H01L21/67
  • 本申请公开了一种提高晶片蚀刻均匀性的方法,涉及半导体相关技术领域,该方法包括以下步骤:利用晶片固定装置将晶片固定,并至少暴露出晶片的蚀刻面;使晶片绕预设轴线旋转,以使晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同。晶片固定装置能暴露出晶片的蚀刻面,减少晶片蚀刻面的被遮挡面积,蚀刻气体易到达晶片的蚀刻面并对其进行蚀刻;且晶片绕预设轴线旋转,晶片均匀地到达蚀刻速率较快的区域及蚀刻速率较慢的区域,在每个旋转周期内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同,晶片的蚀刻面能均匀地接触蚀刻气体以保证蚀刻气体均匀地蚀刻晶片。
  • 提高晶片蚀刻均匀方法装置
  • [发明专利]一种图形化衬底及其制备方法、LED芯片-CN202211199953.6在审
  • 李瑞评;陈秉扬;李彬彬;吴福仁 - 福建晶安光电有限公司
  • 2022-09-29 - 2022-11-25 - H01L33/20
  • 本发明提供一种图形化衬底及其制备方法、LED芯片。所述图形化衬底结构包括衬底,衬底具有相对的第一面侧和第二面侧;及若干个台状的凸起结构,凸起结构形成在衬底的第一面侧,凸起结构的侧面形貌为圆台状,凸起结构的顶部具有凹槽,凹槽的上表面为曲面,且凹槽的侧面形貌为弧形。本发明提供的图形化衬底结构具有特殊设计的图形结构,在生长过程中,外延材料不会在凸起结构表面生长而只能通过侧向外延生长,所以外延层的晶体质量可以大幅提升。图形结构的特殊设计,可以改变光在芯片内部散射的效果,提高器件出光效率。基于本发明的图形化衬底制备的LED芯片,性能可以得到显著提升。
  • 一种图形衬底及其制备方法led芯片
  • [发明专利]偏振元件、发光二极管以及发光装置-CN202210801135.2在审
  • 霍曜;李彬彬;吴福仁;乔新宇;李瑞评 - 福建晶安光电有限公司
  • 2022-07-07 - 2022-10-11 - G02B5/30
  • 一种偏振元件、发光二极管以及发光装置,本申请提出一种偏振元件,包括透明基板、若干条金属线和周期性阵列结构,所述若干条金属线以预设间距平行布置在所述透明基板的安装面上;每条所述金属线沿与安装面平行的方向延伸预定长度;周期性阵列结构,包括凸起或凹坑,所述周期性阵列结构设置在所述透明基板上。本申请提供的偏振元件可让Te光(TE,Transverse Electric:横向电场,TE偏振光是在y方向具有电场的振动成分的光)转化为Tm光(Transverse Magnetic:横向磁场,TM偏振光是在x方向具有电场的振动成分的光),并反射通过偏振元件,提升出光强度,进而提升偏振元件的出光效率。
  • 偏振元件发光二极管以及发光装置
  • [发明专利]一种复合图形衬底及其制作方法-CN202210885255.5在审
  • 吴福仁;李彬彬;霍曜;李瑞评;苏贤达 - 福建晶安光电有限公司
  • 2022-07-26 - 2022-09-30 - H01L33/20
  • 本发明提供一种复合图形衬底及其制作方法,复合图形衬底包括衬底以及周期性排布在衬底上方的若干图形结构,图形结构至少包括第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分,第一部的侧壁具有多条第一侧棱,使得相邻图形结构间暴露出的磊晶面占衬底表面的比例较小,有助于提高光提取率;第二部分的侧壁为弧形侧壁,使得光线在第二部分的侧壁表面反射时,能够沿各个方向进行反射,从而使得出射光更加均匀。本发明提供的复合图形衬底的制作方法,通过控制相邻图形结构之间的间距,利用相邻图形结构之间的作用力获得具有侧棱的第一部分,制作简单,能够有效节约成本,提高制作效率。
  • 一种复合图形衬底及其制作方法
  • [发明专利]一种图形化衬底及其制备方法-CN202210811145.4在审
  • 霍曜;李彬彬;吴福仁;李瑞评 - 福建晶安光电有限公司
  • 2022-07-11 - 2022-09-16 - H01L33/20
  • 本申请公开了一种图形化衬底及其制备方法,图形化衬底包括:衬底,衬底具有相对的第一面侧和第二面侧;若干个台状的凸起结构,凸起结构形成在衬底的第一面侧,凸起结构包括由不同材料形成的第一部分和第二部分,并且第二部分位于第一部分的上方,凸起结构顶表面的粗糙度介于0.2nm~200nm,凸起结构的顶面直径与凸起结构的高度之比为1:50~10:1。凸起结构的第二部分的材料为透明非晶材料,不易于外延层的形核;顶部平台结构使外延层的生长模式为变为横向生长,顶部区域的外延层穿透型位错密度更低,可得到更高质量的外延层;顶部平台的粗糙结构使更多的光线反射回外延层,减少因进入衬底造成的吸收与损失,从而增加图形化衬底对光的反射率。
  • 一种图形衬底及其制备方法
  • [实用新型]用于蓝宝石衬底的图形化结构及图形化衬底-CN202122429581.9有效
  • 霍曜;李彬彬;吴福仁;李瑞评 - 福建晶安光电有限公司
  • 2021-10-09 - 2022-06-24 - H01L33/20
  • 本实用新型提供一种用于蓝宝石衬底的图形化结构及图形化衬底,包括:底面,多个第一晶面、第二晶面、第三晶面、第四晶面、第五晶面以及第六晶面;各第一晶面与底面之间有第一夹角,多个第一晶面周向阵列排布;各第二晶面与底面之间有第二夹角,各第二晶面位于两个第一晶面之间;各第三晶面与底面之间有第三夹角,第三晶面的相邻两个侧边分别与第一晶面和第二晶面的侧边连接;各第四晶面与底面之间有第四夹角,第四晶面的相邻两个侧边与第二晶面和第三晶面的侧边连接;第五晶面与底面之间有第五夹角,各第五晶面的侧边与第三晶面的侧边连接;第六晶面与底面之间有第六夹角,第六晶面的侧边与第三晶面的侧边连接,多个第六晶面的顶端汇聚成一点。
  • 用于蓝宝石衬底图形结构
  • [实用新型]一种等离子体刻蚀机的腔体-CN202121966773.7有效
  • 吴福仁;霍曜;李彬彬;李瑞评 - 福建晶安光电有限公司
  • 2021-08-20 - 2022-03-15 - H01J37/32
  • 本实用新型提供了一种等离子体刻蚀机的腔体,包括分子泵、进气口、抽气口、匀气盘、载盘,所述进气口位于腔体顶部,所述抽气口位于腔体侧壁处,所述分子泵位于抽气口处,所述匀气盘上开有多个通气孔,所述通气孔为内外两圈呈环形分布,所述通气孔的开口位置、孔径大小、开口方向、开口角度或间距可调整,以使通过所述进气口导入所述腔体的反应气体均匀分流后导出腔体,从而达到提高整盘晶片刻蚀的速率,提高等离子体刻蚀均匀性的效果。
  • 一种等离子体刻蚀
  • [发明专利]偏振元件、发光二极管以及发光装置-CN202180003069.8在审
  • 霍曜;李彬彬;吴福仁;乔新宇;李瑞评;黄少华;曾晓强;杨剑锋 - 福建晶安光电有限公司
  • 2021-07-16 - 2021-12-31 - G02B5/30
  • 本申请公开了一种偏振元件、发光二极管以及发光装置,该偏振元件包括透明基板、若干条金属线和保护层,若干条金属线以预设间距平行布置在透明基板的安装面上;每条金属线沿与安装面平行的方向延伸预定长度;保护层包括覆盖每条金属线顶部的第一部分保护层和覆盖每条金属线侧壁的第二部分保护层,所有金属线的第一部分保护层连成一体,相邻金属线的第二部分保护层之间留有间隙。本申请利用保护层覆盖金属线的顶部和侧壁,防止金属线因与外界环境接触而被氧化或者腐蚀,提高偏振元件的耐热性和可靠性,且使所有金属线顶部的第一部分保护层连成一体,相邻金属线侧壁处的第二部分保护层之间存在间隙,以进一步提高偏振元件的偏光性能。
  • 偏振元件发光二极管以及发光装置

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