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[发明专利]调光玻璃及其制备方法-CN202210418894.0在审
发明人：吴小龙;张彩霞;王春雷;王昌银;梁鹏;巨小倩;陈娟;李展;王瑛;翟德深;张思凯 -专利权人：北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本申请提供一种调光玻璃及其制备方法，在调光玻璃的第一基板和第二基板之间设置调光功能层，所述调光功能层与所述第一基板和所述第二基板之间分别设有粘结层，通过在所述第一基板和所述第二基板中的至少其一靠近所述调光功能层的一侧开设凹槽，靠近所述凹槽的所述粘结层嵌入所述凹槽中。通过开设凹槽能够显著减少所述调光功能层在合片工艺过程中受到的压力，从而减少染料液晶分子的流动，改善因亮度不均导致的黑斑问题，提升调光玻璃的整体光学性能。
调光玻璃及其制备方法

[发明专利]高光提取效率的LED外延片及其制备方法-CN202311114188.8在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光提取效率的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力缓冲层包括依次层叠于N型GaN层上的第一应力缓冲层、金属反射层和第二应力缓冲层；第一应力缓冲层为Si掺AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0≤a≤0.6，0≤b≤0.2；金属反射层为Al金属层、Ga金属层、In金属层、Mg金属层中的一种或多种形成的叠层结构；第二应力缓冲层为Si掺AlcIndGa1‑c‑dN层，其中，0≤c≤0.6，0≤d≤0.3。实施本发明，可提升发光效率。
提取效率 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种林业病虫害防治用的喷药装置-CN202311165747.8在审
发明人：陈在伟;李亚杰;韩培;张合成;闫利娜;刘方方;刘慧青;潘红奎;李骆鹏;谢昀丽;张彩霞;姜林巍;马囡;丁俊敏;李迎歌;常松永 -专利权人：漯河市国林林业开发有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A01M7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种林业病虫害防治用的喷药装置，包括有无人机体、药筒、过滤器、连接环一、连接柱、喷药管、连接环二和喷头等，无人机体底部安装有药筒，药筒底部连通有过滤器，药筒底部前后两侧分别连接有连接柱和连接环一，连接柱上连接有连接环二，连接环一与连接环二之间转动式连接有喷药管，喷药管与过滤器之间通过多个软管连通，喷药管上均匀间隔设置有多个喷头。本发明通过喷头转动从而调节药液喷洒的范围与角度，使喷洒装置可以喷洒更多的区域，不需无人机来回反复喷洒，使操作更加简单方便。
一种林业病虫害防治装置

[发明专利]一种基于人工智能的超声数据存储管理系统及方法-CN202310808495.X有效
发明人： 张彩霞;钟志腾;李超勇 -专利权人：广东恒腾科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F16/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工智能的超声数据存储管理系统及方法，涉及超声数据存储技术领域，包括：S1：通过超声设备检测采集超声数据，并对采集到的超声数据进行处理，生成超声图像；S2：通过对超声图像数据进行分析，提取出所需检测区域的范围信息和超声图像数据特征；S3：对提取的所需检测区域内的超声图像数据特征进行分析，根据提取的超声图像数据特征和数据库中对于当前检测目标的相关数据，对最优超声图像的选取进行分析，截取最优超声图像；S4：对截取的超声图像数据进行存储，并采用人工智能算法对存储数据进行分类和索引。通过截取最优超声图像，对存储的超声图像的稳定性和可用性进行保证。
一种基于人工智能超声数据存储管理系统方法

[发明专利]含调节组件的纤维混凝土添加料纤维粉碎装置及其应用-CN202310878991.2在审
发明人：孙鹏;张忠武;郭士清;王静;司有宝;王琦;张彩霞;庄宇;姜静;张翰天;王朋;李化明 -专利权人：佳木斯大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明适用于纤维混凝土添加料纤维粉碎技术领域，提供了含调节组件的纤维混凝土添加料纤维粉碎装置，包括框体、进料筒、隔板一、调节组件和研磨组件，隔板一与框体的内壁固定连接，隔板一的两侧设置有粉碎组件，用于对材料进行粉碎；调节组件设置在框体上，调节组件的工作端与隔板一底部设置的粉碎组件滑动连接，用于控制粉碎的体积；研磨组件设置在框体中，并通过锥齿轮组与粉碎组件的驱动端传动连接，用于实现对材料的筛选和研磨工作；本装置在使用时，可实现对材料的多级粉碎，使得粉碎工作进行的更加彻底，能够根据需要调整粉碎后材料的体积，还通过设置的研磨组件，对材料进行更细致的研磨工作，以便于满足不同的使用需求。
调节组件纤维混凝土添加粉碎装置及其应用

[发明专利]一种快恢复二极管的制备方法-CN202310981842.9在审
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;李佳豪;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：步骤S1，于衬底上形成外延层；步骤S2，于外延层表面两侧分别形成场氧化区；步骤S3，于外延层中形成多个第一注入区，第一注入区贯穿外延层至衬底中；步骤S4，于外延层中形成多个第二注入区，第二注入区分别位于第一注入区表面；步骤S5，于外延层中形成多个第三注入区，然后快速退火；步骤S6，背面减薄，然后于衬底背面形成第四注入区；步骤S7，于第四注入区中形成多个第五注入区；步骤S8，于第四注入区的下表面形成第六注入区；步骤S9，淀积形成正面金属层和背面金属层。有益效果：器件反向恢复时间短、反向恢复峰值电流小、反向恢复电荷少，且具有较软的反向恢复特性。
一种恢复二极管制备方法

[发明专利]含研磨组件的纤维混凝土添加料纤维粉碎装置-CN202310878748.0在审
发明人：孙鹏;张忠武;郭士清;王静;司有宝;王琦;张彩霞;庄宇;姜静;张翰天;王朋;李化明 -专利权人：佳木斯大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明适用于纤维混凝土添加料纤维粉碎技术领域，提供了含研磨组件的纤维混凝土添加料纤维粉碎装置，包括框体、进料筒、隔板一、调节组件和研磨组件，隔板一与框体的内壁固定连接，隔板一的两侧设置有粉碎组件，用于对材料进行粉碎；调节组件设置在框体上，调节组件的工作端与隔板一底部设置的粉碎组件滑动连接，用于控制粉碎的体积；研磨组件设置在框体中，并通过锥齿轮组与粉碎组件的驱动端传动连接，用于实现对材料的筛选和研磨工作；本装置在使用时，可实现对材料的多级粉碎，使得粉碎工作进行的更加彻底，能够根据需要调整粉碎后材料的体积，还通过设置的研磨组件，对材料进行更细致的研磨工作，以便于满足不同的使用需求。
研磨组件纤维混凝土添加粉碎装置

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311188712.6在审
发明人：印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P‑GaN层、P‑InGaN层，P‑GaN层中Mg的掺杂浓度＜P‑InGaN层中Mg的掺杂浓度；Mg3N2层的生长温度＜P‑GaN层的生长温度＜P‑InGaN层的生长温度；Mg3N2层的生长压力＞P‑GaN层的生长压力＞P‑InGaN层的生长压力。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、降低工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种LED外延片、制备方法及LED芯片-CN202310967037.0有效
发明人：印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、制备方法及LED芯片，LED外延片包括衬底及在所述衬底上依次沉积的有源层，所述有源层包括M个周期结构，所述周期结构包括量子阱层及量子垒层，所述量子阱层包括#imgabs0#前阱层、AlN组合层及#imgabs1#后阱层，所述量子垒层包括BN前垒层、#imgabs2#组合层及BN后垒层。通过复合的量子阱层，可使所述量子阱层内产生应力，以此抵消部分量子阱与量子垒之间的应力差，提高所述有源层内电子与空穴波函数的重叠程度，通过复合的量子垒层，其具有较大的导带偏移和较小的价带偏移特性，可提高空穴的注入效率，有效提高器件的发光效率。
一种 led 外延制备方法芯片

[实用新型]一种小麦田间运种运肥装置-CN202321417894.5有效
发明人：樊明;马广福;李红霞;张双喜;沈强云;曾宝安;李前荣;陈嘉;夏润;胡春香;马治虎;张彩霞;陈国华;佘奎军;杨乐;杨益春 -专利权人：宁夏农林科学院农作物研究所（宁夏回族自治区农作物育种中心）
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A01C7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小麦田间运种运肥装置，涉及运输设备技术领域，包括车厢，所述车厢底部两侧均设有底架，所述底架两端之间均安装有车轮，所述车厢底部设有与车厢内部连通的底筒，所述底筒内部设有用于输送的横置输送组件；所述车厢一侧固定连接有竖筒，所述竖筒底部设有与底筒连通的连通件，所述竖筒内部设有用于对种子进行提升的竖置输送组件；本实用新型通过设置的横置输送组件和竖置输送组件可在使用时对车厢内部的种子或肥料向外输送，进而可便于车厢内部的种子或肥料运出，同时设置的排种管可便于将输送出的种子导送到播种机内，使用方便。
一种小麦田间运种运肥装置

[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310864978.1在审
发明人： 张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。GaN基发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、第一插入层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述第一插入层包括依次生长于所述N‑GaN层上的第一AlN层、第一WS2层和第一InAlGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力和波长均匀性。
gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种橡胶密封材料及其制备方法和应用-CN202311035026.5在审
发明人：王廷梅;张彩霞;陈守兵;王齐华;张新瑞 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C08L9/02 文献下载
摘要：本发明属于密封技术领域，具体涉及一种橡胶密封材料及其制备方法和应用。本发明提供的橡胶密封材料，包括以下质量份数的原料：100份丁腈橡胶、40～80份炭黑、4.5～16份复合增塑剂、3～6份氧化锌、0.4～2份硬脂酸、1～3份2‑硫醇基苯骈咪唑、1～3份2,2,4‑三甲基‑1,2‑二氢化喹啉、0.3～2份四甲基秋兰姆二硫化物、0.2～1.5份硫磺、2～8份过氧化二异丙苯和0.5～4份N,N'‑间苯撑双马来酰亚胺；所述炭黑包括高结构炭黑和低结构炭黑；所述复合增塑剂为古马隆树脂、松明油和癸二酸二丁酯的混合物。本发明提供的橡胶密封材料具有较长的焦烧时间和较低的门尼粘度，能够提高密封材料的加工性能。
一种橡胶密封材料及其制备方法应用

[发明专利]用于Micro-LED的外延片及其制备方法、Micro-LED-CN202310864970.5在审
发明人： 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。用于Micro‑LED的外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，所述多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括势阱层和势垒层，所述势阱层包括依次层叠的AlInN层、InN层和InGaN层；其中，所述AlInN层表面设有多个经H2刻蚀处理得到的纳米孔洞。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，提高发光波长均匀性，减小发光波长偏移。
用于 micro led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310868291.5在审
发明人： 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；电子阻挡层包括：阵列分布于所述多量子阱层上的多个AlN纳米柱；生长于所述AlN纳米柱上的三维AlN层；所述三维AlN层的底部一一对应生长于所述AlN纳米柱上，其顶部生长合并，以形成多个纳米孔洞；生长于所述三维AlN层上的二维BGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法-CN202310756263.4在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和第二半导体层；所述第二半导体层包含依次层叠在所述电子阻挡层上的三维未掺杂BN层、二维N极性InBN层和P型半导体层；所述P型半导体层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为周期性交替层叠的第一P型GaN层和第一P型InAlGaN层，所述第二子层为第二P型GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升多量子阱区域的载流子的匹配度。
提升载流子匹配发光二极管外延及其制备方法

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