专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于FPGA的JPEG-LS编码器的实现方法-CN202310836199.0在审
  • 刘贵鹏;刘泽萍 - 兰州大学
  • 2023-07-10 - 2023-09-29 - H04N19/42
  • 本发明涉及一种基于FPGA的JPEG‑LS编码器的实现方法,依次包括上下文建模、边缘检测、自适应预测修正、预测残差计算、Golomb编码参数K计算、预测误差映射、对预测误差MErrval进行Golomb编码、上下文参数更新,以及码流拼接。本申请一方面能够完全不借助软件,只在硬件基础上实现JPEG‑ls无损高压缩率编码器功能。另一方面,舍弃了JPEG‑LS标准中的游程长度编码,降低了硬件实现的复杂性,减少了所设计编码器硬件资源的消耗,本申请还通过优化golomb编码参数K的计算以及golomb编码方式,最终得到压缩率为18%~25%的编码器。
  • 一种基于fpgajpegls编码器实现方法
  • [发明专利]一种GaN薄膜及其制备方法-CN202011005050.0有效
  • 赵桂娟;邢树安;刘贵鹏;汤金金 - 兰州大学
  • 2020-09-23 - 2023-09-22 - H01L33/12
  • 本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜,包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层,所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层,所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜;所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层,所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜,通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得,不仅成本低廉,且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。
  • 一种gan薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种并发数为6的4:2压缩器-CN202310864686.8在审
  • 刘贵鹏;黄国华;赵桂娟 - 兰州大学
  • 2023-07-14 - 2023-09-19 - H03M7/30
  • 本发明涉及一种并发数为6的4:2压缩器,包括计算进位部分和接收后级进位部分;所述4:2压缩器的输入信号为第一路输入信号、第二路输入信号、第三路输入信号,和第四路输入信号,进位输入信号为第一路进位输入信号和第二路进位输入信号,输出信号为第一路输出信号和第二路输出信号,进位输出信号为第一路进位输出信号和第二路进位输出信号。本发明所述的4:2压缩器对于单bit的尾数部分积可以直接纳入计算,在总体计算过程中减少了消耗的资源,缩短关键路径;大大提升了树形部分积压缩部分的性能,但不会对其他部分的结构造成影响,具有普适性。
  • 一种并发压缩器
  • [发明专利]一种基于FPGA的射频信号质量优化算法及设备-CN202211201196.1有效
  • 刘贵鹏;牛建强;刘程程;马璐佳;赵桂娟 - 兰州大学
  • 2022-09-29 - 2023-07-28 - G06F13/42
  • 本发明涉及一种基于FPGA的高效率高精度软件无线电(SDK)射频信号质量优化算法及设备。本发明所述的设备包括信号发生器、AD/DAC、FPGA、示波器和上位机;本发明所述的算法基于上述设备,具体包括:首先通过输入高速接口模块GTX将第一路射频信号S1和第二路射频信号S2输入;其次将其分别存入DDR3中;再从DDR3中读出作为相位解算算法模块的输入,从而求出两路信号的相位差,所述相位解算算法包括FFT算法、Cordic算法;将相位差和第一路射频信号S1输入到相位校准模块中,从而得到与第二路射频信号S2同频同相的校准后的信号QPSK_Singal,所述相位校准算法主要为QPSK算法;最后通过输出高速接口模块GTX输出校准后的信号QPSK_Singal和第二路射频信号S2。
  • 一种基于fpga射频信号质量优化算法设备
  • [发明专利]一种区分4H-碳化硅表面的方法-CN202210510883.5有效
  • 赵桂娟;茆邦耀;刘贵鹏;汤金金;吕秀睿 - 兰州大学
  • 2022-05-11 - 2023-06-30 - G01N21/84
  • 本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法,所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面;然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程;再对腐蚀后4H‑SiC样品进行盐酸酸洗;最后用光学显微镜观察4H‑SiC的AB面,根据其各向同性或各向异性的腐蚀行为来确定该表面自由能的大小,从而判定出具有各向异性腐蚀行为的高表面自由能的表面为4H‑SiC样品的Si面,而具有各向同性腐蚀行为的低表面自由能的表面为4H‑SiC样品的C面。本方法对于检测样品的要求低,且无论待测样品是否完好,是否具有缺陷,腐蚀过程中的腐蚀温度和腐蚀时间均较短,结果均可靠;而且采用光学显微镜进行观测,操作简单,成本低。
  • 一种区分碳化硅表面方法
  • [实用新型]内衬层部件高质量卷取装置-CN202223163284.5有效
  • 陆林;马强;王皓明;孟烁;杜桐;刘贵鹏;薛彦学;史来军 - 桦林佳通轮胎有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-04-18 - B65H18/10
  • 本实用新型涉及内衬层部件高质量卷取装置,它包括装置架(1)、工字轮(2)、驱动轴(3)和减速电机(4),工字轮(2)两端分别设有定位轮(5),工字轮(2)通过定位轮(5)转动安装在装置架(1)上,驱动轴(3)转动安装在装置架(1)上,驱动轴(3)内设有方轴(32),方轴(32)的一端与轮轴(21)轴端上的方孔(22)相配合,另一端与装置架(1)上的气缸(6)轴向相连并转动配合,减速电机(4)安装在装置架(1)上,减速电机(4)轴通过链条(7)与驱动轴(3)相连。它采用中心定位和驱动方式,可保证工字轮在卷取内衬层部件的过程中运行平稳、轴向定位准确,使内衬层部件在工字轮里位置稳定、不变形。
  • 内衬部件质量卷取装置

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