[发明专利]双重图形曝光掩模制造方法及双重图形曝光方法无效

申请号：	201010240544.7	申请日：	2010-07-23
公开（公告）号：	CN102346368A	公开（公告）日：	2012-02-08
发明（设计）人：	朴世镇	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	G03F1/72	分类号：	G03F1/72;G03F7/20;G03F7/00
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	骆苏华
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	一种双重图形曝光掩模制造方法及一种双重图形曝光方法，其中双重图形曝光掩模制造方法包括：提供目标图形，所述目标图形包括第一图形和第二图形，所述第一图形包括至少两个分立的第一子图形，相邻的第一子图形之间具有相同的第一间隙，所述第一图形的第一子图形的特征尺寸小于第二图形的特征尺寸；根据所述第一图形形成第三图形，所述第三图形包括与第一子图形对应的分立的第二子图形；提取第三图形中的偶数位的第二子图形，并保持偶数位的第二子图形位置不变，形成第四图形；将第二图形写入第一掩模版；将第四图形写入第二掩模版。本发明提供的双重图形曝光掩模制造方法简单且分解精度高。
搜索关键词：	双重图形曝光制造方法
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【主权项】：

一种双重图形曝光掩模制造方法，其特征在于，包括：提供目标图形，所述目标图形包括第一图形和第二图形，所述第一图形包括至少两个分立的第一子图形，相邻的第一子图形之间具有相同的第一间隙，所述第一图形的第一子图形的特征尺寸小于第二图形的特征尺寸；根据所述第一图形形成第三图形，所述第三图形包括与第一子图形对应的分立的第二子图形，所述第二子图形位置与第一间隙位置对应，相邻的第二子图形之间具有第二间隙，所述第二间隙位置与第一子图形位置对应，所述第二子图形的尺寸等于第一间隙的尺寸，所述第二间隙的尺寸等于第一子图形的尺寸；提取第三图形中的偶数位的第二子图形，并保持偶数位的第二子图形位置不变，形成第四图形；将第二图形写入第一掩模版；将第四图形写入第二掩模版。

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摘要：本申请公开了一种光罩的缺陷修复方法及光罩。其中，该缺陷修复方法包括：打开光罩的原始数据文件以获取光罩的原始图形，并通过修正原始图形以获取光罩的参考图形；采用扫描机台对部分光罩进行扫描，以获取光罩缺陷的SEM图形；将参考图形和SEM图形进行对比，以定位光罩中的缺陷的位置；修补光罩中的缺陷。该方法从光罩的原始数据文件获取光罩的参考图形，因而该方法能够获得任何光罩的参考图形，从而解决了难以找到光罩的参考图形的问题。

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摘要：本发明提供一种用于修正掩模的倾角的设备。所述设备包含：掩模支撑主体，其经配置以支撑其上形成有图案的掩模；掩模支撑主体移动单元，其经配置以改变掩模支撑主体的XY平面的倾角；照相机单元，其为穿过设置在基质支撑件上的基质的激光束拍照，以产生激光束穿透图像；以及控制单元，其经配置以控制掩模支撑主体移动单元，由此改变掩模的XY平面的倾角，以使得当激光束穿透图像偏离参考焦点图像时，激光束穿透图像与参考焦点图像匹配。

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摘要：本发明公开了一种用于设备的方法，该设备用于制造或使用掩膜版或显示基板，包括如下步骤：提供母版；设置测量点步骤：根据待测掩膜版或显示基板在母版上设置多个测量点，所述多个测量点对应于将对待测掩膜版或显示基板进行像素位置精度测量的位置；测量误差值步骤：将母版置于设备的坐标系下，在各个测量点处测量设备与母版之间的误差值。

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光罩手工修补辅助治具-201822140795.2
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摘要：一种改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，包括如下步骤：a)在外延片的衬底及外延层表面旋涂光刻胶形成第一光刻胶层；b)在第一光刻胶层上旋涂第二光刻胶层；c)利用光刻掩膜版通过曝光、曝光后烘烤及显影方法在第二光刻胶层上根据掩膜版图形尺寸光刻制备出需要的图形；d)利用步骤c)中光刻出的图形作为光刻掩膜版，将外延片进行二次曝光、显影处理，在外延片上制备得到所需图形。通过延长一次曝光后烘烤的时间和第二次曝光的时间就可以得到缺陷比较少的图形得到缺陷较少的图形，避免因为光刻掩膜版的损伤对光刻图形造成缺陷，也不需要经常替换光刻版，增加光刻成本，延长光刻掩膜版的使用期限。

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申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本实用新型公开了一种新型光刻版，包括光刻版本体；所述的光刻版本体设有光刻图像区，光刻图像区边缘设有防漏电结构，所述的防漏电结构为梯形边缘，梯形边缘设有最高边缘，最高边缘两端设有对称的阶梯边缘，分别为左侧阶梯边缘和右侧的阶梯边缘，左侧阶梯边缘和右侧阶梯边缘形状、结构相互对位镜像。通过对光刻版图形重新设计，在最边缘位置原有图形的基础上，增加一规则图形。通过增加的规则图形，避免了光刻版中正常图形边缘一圈造成的漏电打火现象。

光掩模制造方法-201310354226.7
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申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明提供一种光掩模制造方法。根据本发明的方法，首先，采用包含曝光及蚀刻等在内的工艺来形成待检光掩模；随后，在待检光掩模经过清洗后，进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补，当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时，基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除，并当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷，并于检验合格后进行贴膜处理。本发明能有效消除孤立且巨大之缺陷，提高光掩模的生产良率。

光配向掩膜版修复方法-201910010959.6
发明人：戴明鑫;李林;刘聪聪;陈林;杨俊 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明提供了一种光配向掩膜版修复方法，涉及半导体技术领域，用于对损伤后的掩膜版进行修补。其中，本发明实施例提供的光配向掩膜版修复方法，包括：先对待修复掩膜版的损伤位置涂抹第一遮光色阻，然后，在预设温度环境中对所述待修复掩膜版进行加热，最后，对所述待修复掩膜版进行清洗，以形成修复后掩膜版。

相位移光罩-201821464430.9
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本实用新型涉及一种相位移光罩，包括：透光基板；相位移垫层图案和相位移线路图案，设置在透光基板上，相位移垫层图案的长宽或直径大于等于200nm，相位移线路图案的线宽小于等于40nm，相位移垫层图案具有缺陷区域，缺陷区域为相位移光罩曝光时导致晶圆的表面出现破口的区域，缺陷区域相对于相位移垫层图案更分离于相位移线路图案；不透光层，设置在相位移垫层图案中，不透光层的第二边界位于缺陷区域的第一边界和相位移垫层图案的邻近边界之间，用于覆盖缺陷区域。本实用新型实施例通过在缺陷区域上覆盖不透光层，实现在通过相位移光罩对晶圆曝光时，在不透光层的作用下，与缺陷区域对应的晶圆表面位置处不再出现破口。

一种光刻工艺热点的自动修复方法-201410714799.0
发明人：王伟斌;朱忠华;魏芳;吕煜坤;朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明涉及DFM可制造图形设计领域，尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法，首先对版图进行光刻工艺友善性检查；之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域，最后对数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定，以提供一种合适的修复方案；该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证，实现了高程度的自动化要求，且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高，修复周期较短，一定程度上降低了时间成本。

刮伤掩模修补装置及方法-201310030316.0
发明人：李会丽;闻人青青;张俊;李志丹 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明公开了一种刮伤掩模修补装置及方法，该装置包括支架装置、缺陷检测装置以及修补模块，其中，支架装置安装在光刻机室内，所述缺陷检测装置和修补模块均安装在所述支架装置上，且所述修补模块包括多个不同尺寸的修补笔芯。所述刮伤掩模修补装置的支架装置直接安装在光刻机室内，能够在掩模刮伤时及时且快速的在光刻机内部进行修理，不影响光刻机的产能，使光刻机的功能更齐全、自动化程度更高，使掩模修补直接在光刻机内完成，充分利用了光刻机的内部空间，大幅度缩短了送修周期，且快速简便、成本低廉、不影响产能。

一种半透膜掩模版LCVD修补系统-201721254299.9
发明人：李跃松;张建国;罗俊辉 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本实用新型公开了一种半透膜掩模版LCVD修补系统，使用激光扫描的方式，扫描光斑小于1um，可以均匀扫描沉积出一块可以控制厚度和均匀性的铬层，从而实现半透膜掩模版修补。该修补系统包括：激光器、光栅光阀、滤光组件、振镜以及物镜组件，所述激光器发出的光源经过整形成一线光源，所述线光源照射在所述光栅光阀后反射形成一均匀线光源，所述均匀线光源照射在所述振镜后经所述物镜组件聚集照射在掩模版上，所述掩模版设置在一XY平台上，通过所述振镜在所述掩模版上形成一块方形均匀激光扫描光斑，分解羰基铬并沉积铬到所述掩模版。

一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法-201610979266.4
发明人：施维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明提供一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法，涉及半导体技术领域。所述修复方法包括：提供光刻掩膜版，所述光刻掩膜版包括透明基底以及形成在所述透明基底表面上的遮光图案，其中，在所述遮光图案外部的透明基底上形成有缺陷孔；在所述缺陷孔中形成透明材料。通过本发明的修复方法，在光刻掩膜版的透明基底上的缺陷孔中形成透明材料，以减小照射到缺陷孔中的入射光和照射到缺陷孔外侧的透明基底表面上的入射光之间的光程差，进而避免由于缺陷孔在晶圆上成像问题的出现，改善光刻掩膜版的质量，提高利用该光刻掩膜版成像的准确性和精度，进而提高半导体器件制备工艺的良率和形成器件的性能。

掩膜版及夹具模组-201721258638.0
发明人：吕文旭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本实用新型提供一种掩膜版及夹具模组。该掩膜版包括呈面状形式的掩膜版本体，包括相对设置的两个夹持组，每一夹持组中包括至少两个夹持部，且其中的两个夹持部朝不同方向延伸。所述掩膜版通过在相对的侧边边缘分别设置至少两个朝不同方向延伸的夹持部，使得夹持部形成为夹持拉力所施加方向的引导，当采用夹具沿每一夹持部的延伸方向施加拉力时，掩膜版本体所接受拉力可以朝向不同方向，拉力可以被分解为相互垂直的两个方向，不但能够改善掩膜版本体的延展性，而且能够避免掩膜版本体的褶皱产生。

用于修复掩模的方法-201710358246.X
发明人：游信胜;严涛南;王文娟;秦圣基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明的实施例提供了一种修复掩模的方法，包括检查掩模以定位掩模的缺陷的缺陷区域。获取缺陷区域的空中影像的相位分布。确定成像系统的点扩散函数。基于缺陷区域的空中影像的相位分布和点扩散函数来确认掩模的一个或多个修复区域。对掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。

永久修复光刻掩模的材料缺损的缺陷的方法和装置-201710106325.1
发明人： J.奥斯特;K.科尔尼洛夫;T.布雷特;H.施耐德;T.霍夫曼 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明涉及一种永久修复光刻掩模(105、210、220)的材料缺损的缺陷(260、270、280)的方法，该方法包括以下步骤(a)在掩模(105、210、220)的待修复位置处提供至少一个含碳前驱气体和至少一个氧化剂；(b)在材料缺损的位置处借助于至少一个能量源(127)引发所述至少一个含碳前驱气体的反应，从而在材料缺损的位置处沉积材料，其中沉积的材料(460、670、880)包括反应的至少一个含碳前驱气体的至少一个反应产物；以及(c)控制所述至少一个氧化剂的气体体积流速，以使沉积的材料(460、670、880)的碳比例最小化。

半导体装置的制造方法-201611024469.4
发明人：石训全;李岳勋;朱远志;秦圣基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本公开的实施例提供半导体装置的制造方法，此方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。

修复光掩模的方法-201611017298.2
发明人：蔡尚纶;李岳勋;朱远志;秦圣基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本公开提供一种修复光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一图案化特征部件。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。辨识光掩模上的一缺陷区。形成一修复特征部件于光掩模上的缺陷区上方。形成修复特征部件包括形成一第一图案化材料层于缺陷区上方以及形成一第二图案化材料层于第一图案化材料层上方，以形成修复特征部件。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。

降低光掩模板条纹的方法及装置-201410211411.5
发明人：邓振玉;张沛;李跃松 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明适用于光掩模生产领域，尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置，所述方法包括下述步骤设计制作光掩模检测板；根据划分间隔通过光掩模检测板对光掩模板的涂胶或不同区域的光强度进行矩阵测量，测量每个矩阵点，得到每个矩阵点的偏差；将图形按照矩阵点划分间隔进行分割，分割成小单元，按照分割后图形每个顶点所在的坐标测量小单元矩阵中的四个点围成的区域，根据小单元矩阵中的四个点求出此点的偏差，在进行光刻前对图形进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因，对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补，使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况，使得降低光掩模板出现条纹的情况。

一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法-201610959557.7
发明人：胡超;王兴平;尤春;刘维维;沙云峰;刘浩;季书凤;朱希进;钱奇;薛文卿 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明公开了一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，包括如下步骤(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。本发明的修补方法不需要专用的修补设备，可以仅依靠现有工艺设备完成，操作方便，能对图形区内大面积金属残留进行有效的清除；大大降低了修补机台的压力，而且二次曝光只是针对特定缺陷区域进行，因此大大加快了二次曝光速度；减少了基板报废率，节约了基板。

一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法-201610945708.3
发明人：胡超;王兴平;尤春;刘维维;沙云峰;刘浩;季书风;朱希进;钱奇;薛文卿 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明公开了一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。本发明的修补方法不需要专用的修补设备，可以仅依靠现有工艺设备完成，操作方便，能对图形区内大面积金属残留进行有效的清除；大大降低了修补机台的压力，而且二次曝光只是针对特定缺陷区域进行，因此大大加快了二次曝光速度；减少了基板报废率，节约了基板。

控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法-201610585192.6
发明人：李德建;陈力钧;朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
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摘要：本发明提供了一种控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，包括：第一步骤：在掩膜版存储机中布置紫外曝光单元；第二步骤：将掩膜版放置在紫外曝光单元密闭腔室中；第三步骤：利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射。

一种光掩模图案的修复方法-201410222368.2
发明人：吴苇;王云海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G03F1/72
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一种玻璃光罩倒角装置-201520591113.3
发明人：不公告发明人 -专利权人：广州市仕元光电有限公司
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摘要：本实用新型提供了一种玻璃光罩倒角装置，包括：用于放置玻璃光罩的滑轮导轨、用于玻璃光罩倒角的金刚砂轮、用于调节砂带的被动辊轴、以及用于驱动主动辊轴运转的驱动装置，主动辊轴、被动辊轴和金刚砂轮之间由砂带连接，被动辊轴和金刚砂轮的运转则由主动辊轴通过砂带带动。本实用新型所述一种玻璃光罩倒角装置，通过驱动装置带动主动辊轴旋转，主动辊轴通过砂带使被动辊轴和金刚砂轮高速旋转，当玻璃光罩通过滑轮导轨向左移动时，玻璃光罩的边角与高速旋转的金刚砂轮磨擦，使玻璃光罩的边角变光滑，以及玻璃光罩的四个直角在砂带上磨钝，实现去除玻璃光罩锋利边角的功能。克服了平板磨边机倒角处理时间长、边缘不整齐和倒角角度质量差的问题。

一种玻璃光罩针孔类缺陷修补加温装置-201520198714.8
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申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本实用新型提供了一种玻璃光罩针孔类缺陷修补加温装置，包括：热风枪加温器、用于固定热风枪加温器并可升降的气缸装置和用于控制热风枪加温器的温度控制电路。本实用新型所述玻璃光罩针孔类缺陷修补加温装置，通过使用热风枪加温器、温控电路对加温温度按工艺要求进行控制，使得对玻璃光罩针孔类缺陷修补实现了局部的加温方式，避免了原有生产工艺中所述因局部修补而玻璃光罩整版加温的缺点，克服了因玻璃光罩整版加温和散热时间长以及影响玻璃光罩整版清洗困难的缺点，同时，由于使用了温度控制电路，使得热风枪加温器加温的工艺时间和温度、以及温度报警等加温参数都能调节设置，实现了玻璃光罩针孔类缺陷修补加温装置的智能控制。

一种玻璃光罩黑缺陷去除装置-201520198660.5
发明人：不公告发明人 -专利权人：广州市仕元光电有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本实用新型提供了一种玻璃光罩黑缺陷去除装置，包括：用于放置玻璃光罩的具有桥梁结构的移动平台、用于观察玻璃光罩黑缺陷的显微系统、用于发射激光的激光发生器，以及用于供应激光发生器电源的激光电源系统。本实用新型所述一种玻璃光罩黑缺陷去除装置，通过设置龙门式三坐标移动平台、自由切换倍率的显微系统、激光发生器和激光控制器，实现通过激光光斑高温气化去除玻璃光罩黑缺陷的功能。克服了背景技术中所述通过蚀刻液手动去除玻璃光罩黑缺陷可操作性差且容易造成玻璃光罩黑缺陷周围有效图形损伤的弊端。

光掩模铬版修补的合束系统-201520017324.6
发明人：罗俊辉;曾献斌 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本实用新型属于图纹面的照相制版的制造设备技术领域，旨在提供一种光掩模铬版修补的合束系统，包括合束总成、偏振分光元件、以及光路转折总成。本实用新型，通过在同一设备平台上设置用以修复光掩模铬版的黑缺陷的第一分束装置和用以填补白缺陷的第二分束装置，并让第一分束装置发出的P-偏光由偏振分光元件直接透射而出，还让第二分束装置发出的S-偏光由该偏振分光元件从P-偏光的同一光轴线上反射而出，这样，即可实现P-偏光和S-偏光从同一光轴线射出，并经由同一光路转折总成处理，最终照射到光掩模铬版上，由此，一张光掩模铬版的修和/或补均可在该合束系统上完成，大大地节省了人力和工时，一定程度上还节约了设备的占用面积。

相偏移光罩的缺陷处理方法-201210484778.5
发明人：黄金 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明公开了一种相偏移光罩的缺陷处理方法，直接寻找缺陷，并进行刻蚀，之后进行第一次清洗和第二次清洗，分别将刻蚀液及缺陷处理后的残留物清洗掉，如此节省了大量的时间，同时，相偏移光罩的相位和穿透度在处理缺陷过程后不达标的可能性也降低了。此外，第一次清洗去除刻蚀液避免了第二次清洗时酸液与刻蚀液等发生反应形成新的缺陷，这对于缺陷数量少的相偏移光罩有着较高的处理效率，有利于高效生产。

一种掩膜版修复方法-201210413900.X
发明人：吴苇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明公开了一种掩膜版修复方法，采用紫外光处理掩膜版的图形缺失修复后产生的halo残余缺陷，利用短波长高能量的紫外光，激发残余缺陷，使其短时间内分解，从而使得halo残余缺陷消失。并且，采用紫外光处理不会对掩膜版的相位层造成损坏，也就降低了处理的风险，同时能够避免残余缺陷在经过实际生产的大量过货使用而变得糟糕，大大延长了使用寿命，节省了生产成本。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]双重图形曝光掩模制造方法及双重图形曝光方法无效

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