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[发明专利]多孔荧光片及制作方法、高亮度的LED模组及制作方法-CN202311115468.0在审
发明人：郝茂盛;袁根如;徐志伟;陈朋;马后永;韦慧 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供的一种多孔荧光片，包括：第一基板；若干阵列排布的孔洞；形成于第一基板中，且贯穿第一基板；若干反射镜层；分别形成于孔洞的侧壁上；若干荧光结构；分别填充于孔洞中；若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；其中，在同一孔洞中形成的反射镜层，荧光结构以及其顶端对应形成的透镜结构形成荧光结构单元；其中，当多孔荧光片键合于LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有荧光结构单元。该方案解决了如何提高光线聚集度和芯片出光亮度，同时提高LED模组的分辨率的问题，以及LED模组与荧光片合并制备的工艺效率低，无法事先定制不同的多孔荧光片的问题。
多孔荧光制作方法亮度 led 模组

[实用新型]基于量子点色转换技术的LED阵列芯片结构、电子设备-CN202321162789.1有效
发明人：郝茂盛;张楠;马艳红;刘利;艾进保 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于量子点色转换技术的LED阵列芯片结构、电子设备，包括：衬底以及设置于衬底表面的第一芯片结构、第一芯片单元、第二芯片单元和第三芯片单元，且第一芯片结构、第一芯片单元、第二芯片单元以及第三芯片单元之间未设置N型外延层，以使得前述结构之间相互隔离；若干第一金属空气桥，第一金属空气桥直接连接于前述芯片单元或芯片结构之间，以使得当去除衬底，并在芯片结构中形成金属层后，第一金属空气桥与金属层互连，以在第一芯片结构中形成共阴极结构；红色色转换层与绿色色转换层，分别对应形成于剥离衬底后的芯片单元的N型外延层的出光面上。该技术方案解决了LED阵列芯片结构中光的串扰问题。
基于量子转换技术 led 阵列芯片结构电子设备

[实用新型]共阴极LED阵列芯片结构以及电子设备-CN202321162796.1有效
发明人：郝茂盛;张楠;马艳红;刘利;艾进保 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种共阴极LED阵列芯片结构以及电子设备，包括：衬底以及设置于衬底表面沿第一方向环状排列的第一芯片结构、第一芯片单元、第二芯片单元和第三芯片单元；其中，在衬底上，仅第一芯片单元、第二芯片单元、第三芯片单元以及第一芯片结构包括N型外延层，或仅第一芯片单元、第二芯片单元以及第三芯片单元包括N型外延层；以使得第一芯片结构、第一芯片单元、第二芯片单元以及第三芯片单元相互隔离；其中，所述N型外延层具有第一台阶结构；通过第一金属空气桥将芯片单元与芯片结构中的金属层互连，以解决芯片单元之间光束串扰的问题。
阴极 led 阵列芯片结构以及电子设备

[实用新型]高可靠性的micro芯片结构以及LED显示装置-CN202320374390.3有效
发明人：郝茂盛;陈朋;杨磊;魏帅帅;袁根如;张楠;马后永;马艳红 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高可靠性的micro芯片结构以及LED显示装置，其中，芯片结构包括：衬底以及若干像素单元；所述像素单元包括：自所述衬底上依次堆叠的N型外延层、发光层以及P型外延层、第一导电层以及P电极；其中，所述N型外延层上具有第一台阶；所述P型外延层上具有第二台阶；在各列以及第一行的相邻像素单元之间设有第一绝缘层以及第一连接单元；其中，所述第一绝缘层覆盖在所述发光层、P型外延层以及第一导电层的侧壁上，且所述第一绝缘层还覆盖在相邻像素单元之间、第一台阶上以及第二台阶上；所述第一连接单元覆盖在所述第一绝缘层上，且所述第一连接单元连接了相邻像素单元之间的P电极，用以实现P电极互联。
可靠性 micro 芯片结构以及 led 显示装置

[实用新型]一种Micro LED显示器件和Micro LED芯片-CN202320295743.0有效
发明人：郝茂盛;袁根如;陈朋;徐志伟;马后永;韦慧 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种MicroLED显示器件和MicroLED芯片，其中，MicroLED显示器件包括MicroLED芯片和CMOS驱动芯片，MicroLED芯片包括依次堆叠的第一绝缘层、第一ITO膜层以及所述MicroLED芯片与CMOS驱动芯片键合后分割出的若干像素点，第一绝缘层中分布多个P电极金属柱，CMOS驱动芯片包括若干正电极金属层，每一正电极金属层分别与若干的P电极金属柱电连接，以使MicroLED芯片与CMOS驱动芯片键合；若干像素点间隔设置在第一ITO膜层上，正电极金属层与像素点一一对应设置。MicroLED芯片在与CMOS驱动芯片做像素对准键合工艺时，在像素点分割出来之前，先通过多个P电极金属柱与CMOS驱动芯片进行无差别的粗对准键合，因此，对准精度要求可以降低至200μm，大大降低了像素对准键合工艺的制作难度。
一种 micro led 显示器件芯片

[实用新型]一种非平面结构的外延层、UVC-LED芯片、发光装置-CN202320129167.2有效
发明人：郝茂盛;袁根如;陈朋;马后永 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非平面结构的外延层、UVC‑LED芯片、发光装置，该非平面结构的外延层包括：第一外延层，所述第一外延层生长于一复合衬底上周期性排布的若干第一结构之间的间隙中；第二外延层，所述第二外延层生长于所述第一外延层的第一面，包括若干生长顶峰，相邻所述生长顶峰之间的第一外延层横向闭合，形成横向闭合低谷；且所述横向闭合低谷的高度低于所述生长顶峰；N型外延层、发光层、P型外延层，按照所述第二外延层的形状，在所述第一外延层的基础上依次堆叠，以解决因A1浓度过高而导致UVC‑LED的外延层生长裂纹的问题。
一种平面结构外延 uvc led 芯片发光装置

[实用新型]倒装薄膜芯片结构-CN202320110383.2有效
发明人：郝茂盛;张楠;马艳红;刘利;艾进宝;袁根如;陈朋 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装薄膜芯片结构，包括：第一芯片模块、第二芯片模块以及键合模块；第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一P电极以及第一N电极；所述第二芯片模块与所述第一P电极以及第一N电极键合；第二芯片模块包括：基板、绝缘层、第一连接端子以及第二连接端子；所述基板内设有若干通孔且通孔内填充第一金属材料；所述通孔的第一端与所述第一P电极以及第一N电极一一对应连接；且所述若干第一P电极连接的通孔的第二端通过第二金属材料相连通，所述绝缘层内设有贯穿所述绝缘层的第一金属通道以及第二金属通道；所述第一金属通道与所述第一金属材料连接；所述第二金属通道与连接了所述第一N电极的通孔的第二端相连接。
倒装薄膜芯片结构

[实用新型]垂直薄膜芯片结构-CN202320114788.3有效
发明人：郝茂盛;张楠;马艳红;刘利;艾进宝;袁根如;陈朋 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直薄膜芯片结构，该芯片结构包括：基板、第一芯片模块、连接端子以及绝缘层；其中，所述第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一P电极以及第一N电极；所述若干第一P电极以及第一N电极位于所述第一衬底的第一面，所述连接端子与所述第一N电极的第一面相连接；所述第一N电极的第二面与所述绝缘层的第一面相连接，所述绝缘层的第二面与所述基板相连接；所述绝缘层内设置有若干第一键合结构，所述第一键合结构贯穿所述绝缘层；所述若干第一P电极的第一面通过所述若干第一键合结构实现与所述基板的键合；所述绝缘层上设置有第二键合结构，所述第二N电极通过所述第二键合结构实现与外部金属键合。
垂直薄膜芯片结构

[实用新型]具备空气桥结构的阵列micro芯片-CN202320131005.2有效
发明人：郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;魏帅帅;马后永;马艳红;杨磊 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具备空气桥结构的阵列micro芯片，包括：阵列芯片N电极；若干LED像素单元，所述LED像素单元与所述N电极相连接，每个LED像素单元均包括N型外延层、MQW层和P型外延层，所述N型外延层具有第一台阶；若干金属空气桥，所述金属空气桥覆盖在LED像素单元的N型外延层的侧壁上以及连接在所述相邻两个N电极之间；金属反射层；绝缘层，所述绝缘层填充在所述金属空气桥上；金属微结构，所述金属微结构形成在LED像素单元的N型外延层的第一台阶上且所述金属微结构连接所述金属空气桥，以使得所有的LED像素单元通过所述金属微结构与所述金属空气桥实现与所述N电极的电性连接；阵列芯片P电极；金属键合层以及导电衬底。
具备空气结构阵列 micro 芯片

[实用新型]均匀出光的micro芯片结构以及LED显示装置-CN202320104161.X有效
发明人：郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;魏帅帅;马后永;马艳红;杨磊 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种均匀出光的micro芯片结构以及LED显示装置，其中，芯片结构包括：外延单元，所述外延单元包括：N型外延层、发光层以及P型外延层；所述N型外延层的第一面上具有第一台阶，且所述发光层与P型外延层在所述第一台阶上依次堆叠；所述N型外延层的第二面为锯齿状；透镜单元，所述透镜单元设置于N型外延层上，与所述N型外延层的第二面相连接，且所述透镜单元的第一面为锯齿状，所述透镜单元的第二面具有镂空结构；所述透镜单元第一面的锯齿状与所述N型外延层的第二面相契合，所述透镜单元用于实现均匀出光；导电单元、电极单元以及N电极以及基板，所述基板与所述透镜单元的第二面相键合。
均匀 micro 芯片结构以及 led 显示装置

[实用新型]芯片驱动键合结构及芯片结构-CN202320112110.1有效
发明人：郝茂盛;张楠;马艳红;刘利;艾进宝;袁根如;陈朋 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种芯片驱动键合结构及芯片结构，该芯片驱动键合结构包括：芯片电极、驱动背板电极；芯片电极设置于芯片上，且芯片电极不位于芯片的出光面；芯片的出光面与驱动背板相贴合；驱动背板电极设置于驱动背板上，且驱动背板电极不位于芯片与驱动背板之间；芯片电极与驱动背板电极之间相互连接。该芯片结构包括：芯片、驱动背板、芯片驱动键合结构。本实用新型的技术方案，对平整度要求低、不容易出现虚焊、器件可靠性高、成本低。
芯片驱动结构

[发明专利]一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法-CN202310060677.3在审
发明人：郝茂盛;袁根如;陈朋;马后永 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法，该方法包括：提供一复合衬底，其中，复合衬底包括第一衬底以及形成在第一衬底上的图形化层，图形化层包括周期性排布的若干第一结构；生长第一外延层，第一外延层形成于周期性排布的若干第一结构之间的间隙中，且填满间隙；生长第二外延层，第二外延层形成于第一外延层上，且控制第二外延层的纵向生长速率，以使得第二外延层具有若干生长顶峰；且控制第二外延层的横向生长速率，以使得第二外延层相邻的生长顶峰之间形成横向闭合低谷；且横向闭合低谷的高度低于生长顶峰；按照第二外延层的形状，在第二外延层的表面依次生长N型外延层、发光层、P型外延层。
一种平面结构外延及其芯片制备方法

[发明专利]一种Micro LED芯片及其制备方法和Micro LED显示器件及其制备方法-CN202310156451.3在审
发明人：郝茂盛;袁根如;陈朋;徐志伟;马后永;韦慧 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种MicroLED芯片及其制备方法和MicroLED显示器件及其制备方法，其中，MicroLED显示器件的制备方法包括：S1、提供一外延片；外延片包括一次堆叠的生长衬底、N‑GaN层、发光层和P‑GaN层；S2、在P‑GaN层的表面形成第一ITO膜层；S3、在第一ITO膜层表面沉积第一绝缘层；S4、在第一绝缘层上形成若干个周期性排列的凹孔；S5、在凹孔中形成P电极金属柱；S6、将P电极金属柱与CMOS驱动芯片上的正电极金属层连接，以实现MicroLED芯片与CMOS驱动芯片的键合；S7、去除生长衬底；S8、将N‑GaN层减薄；S9、在外延片上形成分割槽，分割槽贯穿N‑GaN层、发光层和P‑GaN层以形成多个LED像素点，每个LED像素点与对应的正电极金属层对齐，并且每个LED像素点分别对应若干个P电极金属柱。
一种 micro led 芯片及其制备方法显示器件

[实用新型]高对比度的micro芯片结构以及LED显示装置-CN202222659543.7有效
发明人：郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;马后永;马艳红;岑岗;魏帅帅 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高对比度的micro芯片结构以及LED显示装置，其中，高对比度的micro芯片结构包括：转移基板、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第三导电层、外延层、CMOS基板、N电极以及P电极，并且所述芯片结构还包括贯穿所述第一绝缘层与所述第二导电层的第一通孔以及贯穿所述外延层的第二通孔，其中，第一通孔内填充导电材料，所述第二瞳孔内填充绝缘反射材料，通过第一通孔、第二通孔以及在第二通孔内填充绝缘反射材料的设计，使得像素点的发光通过第二通孔的表面投射出去，从而减少各个独立像素相互之间的影响，大大减小了不同像素之间的光学串扰，实现了显示颜色的更精确控制以及更高的颜色对比度。
对比度 micro 芯片结构以及 led 显示装置

[发明专利]LED芯片的制作方法、LED芯片、设备的制作方法以及设备-CN202211398271.8在审
发明人：郝茂盛;岑岗;陈朋 -专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片的制作方法，包括：形成键合有临时转移衬底的若干LED芯片模组结构；LED芯片模组结构包括：依次堆叠的N型外延层、发光层以及P型外延层；所述临时转移衬底键合于所述P型外延层上；提供第一基板；所述第一基板包括若干第一基板单元；第一基板单元包括N电极和P电极；将所述LED芯片模组结构中的所述N型外延层与对应所述第一基板单元键合，同时去除所述临时转移衬底，以将所述若干LED芯片模组结构整体转移到所述第一基板上；将每个所述LED芯片模组结构中的所述P型外延层与对应的所述P电极电性连接，所述N型外延层与对应的所述N电极电性连接；对所述若干LED芯片模组进行整体封装。
led 芯片制作方法设备以及

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