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[发明专利]一种GaN薄膜及其制备方法-CN202011005050.0有效
发明人： 赵桂娟;邢树安;刘贵鹏;汤金金 -专利权人：兰州大学
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜，包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层，所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层，所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜；所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层，所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜，通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得，不仅成本低廉，且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。
一种 gan 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种并发数为6的4:2压缩器-CN202310864686.8在审
发明人：刘贵鹏;黄国华;赵桂娟 -专利权人：兰州大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03M7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种并发数为6的4:2压缩器，包括计算进位部分和接收后级进位部分；所述4:2压缩器的输入信号为第一路输入信号、第二路输入信号、第三路输入信号，和第四路输入信号，进位输入信号为第一路进位输入信号和第二路进位输入信号，输出信号为第一路输出信号和第二路输出信号，进位输出信号为第一路进位输出信号和第二路进位输出信号。本发明所述的4:2压缩器对于单bit的尾数部分积可以直接纳入计算，在总体计算过程中减少了消耗的资源，缩短关键路径；大大提升了树形部分积压缩部分的性能，但不会对其他部分的结构造成影响，具有普适性。
一种并发压缩器

[发明专利]一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法-CN202310608691.2在审
发明人： 赵桂娟;茆邦耀;王兴梁;吕秀睿 -专利权人：兰州大学
申请日： 2023-05-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法，首先将碳化硅样品清洗并腐蚀，完成腐蚀的样品再次清洗后置于光学显微镜的暗场模式下观测，通过贯穿螺型位错和贯穿刃型位错腐蚀坑呈现的不同光学状态来对其进行区分，得出如下结果：所述光学显微镜100x放大倍数以内，正六边形暗色腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错；所述光学显微镜200x放大倍数以上，正六边形且中心暗边缘亮的腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错。所述方法不仅便于对缺陷观察与计数，更能够得到准确的缺陷密度。
一种区分碳化硅贯穿螺型位错刃型位错方法

[发明专利]一种基于FPGA的射频信号质量优化算法及设备-CN202211201196.1有效
发明人：刘贵鹏;牛建强;刘程程;马璐佳;赵桂娟 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于FPGA的高效率高精度软件无线电（SDK）射频信号质量优化算法及设备。本发明所述的设备包括信号发生器、AD/DAC、FPGA、示波器和上位机；本发明所述的算法基于上述设备，具体包括：首先通过输入高速接口模块GTX将第一路射频信号S1和第二路射频信号S2输入；其次将其分别存入DDR3中；再从DDR3中读出作为相位解算算法模块的输入，从而求出两路信号的相位差，所述相位解算算法包括FFT算法、Cordic算法；将相位差和第一路射频信号S1输入到相位校准模块中，从而得到与第二路射频信号S2同频同相的校准后的信号QPSK_Singal，所述相位校准算法主要为QPSK算法；最后通过输出高速接口模块GTX输出校准后的信号QPSK_Singal和第二路射频信号S2。
一种基于 fpga 射频信号质量优化算法设备

[发明专利]一种硅衬底上生长半极性(11-22)面氮化镓的方法-CN202211083705.5有效
发明人： 赵桂娟;茆邦耀;邢树安;刘贵鹏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。
一种衬底生长极性 11 22 氮化方法

[发明专利]一种区分4H-碳化硅表面的方法-CN202210510883.5有效
发明人： 赵桂娟;茆邦耀;刘贵鹏;汤金金;吕秀睿 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法，所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面；然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程；再对腐蚀后4H‑SiC样品进行盐酸酸洗；最后用光学显微镜观察4H‑SiC的AB面，根据其各向同性或各向异性的腐蚀行为来确定该表面自由能的大小，从而判定出具有各向异性腐蚀行为的高表面自由能的表面为4H‑SiC样品的Si面，而具有各向同性腐蚀行为的低表面自由能的表面为4H‑SiC样品的C面。本方法对于检测样品的要求低，且无论待测样品是否完好，是否具有缺陷，腐蚀过程中的腐蚀温度和腐蚀时间均较短，结果均可靠；而且采用光学显微镜进行观测，操作简单，成本低。
一种区分碳化硅表面方法

[发明专利]一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法-CN202211083708.9有效
发明人： 赵桂娟;茆邦耀;邢树安;刘贵鹏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，通过湿法腐蚀的方法，在30‑60℃的15wt％‑25wt％KOH溶液中20‑50min腐蚀后，可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽，凹槽各面分别为(1‑11)面，(011)面，(‑11‑1)面，凹槽的深度与温度和时间呈正相关。该方法为硅衬底提供了不同的晶面以及不同的形貌，为硅衬底凹槽提供更多选择性。硅衬底不同的表面有不同的性质，本发明的方法为后续制作半导体器件提供了新型的衬底表面选择。
一种制备平行凹槽图形衬底方法

[发明专利]一种基于Census变换和灰度绝对差的混合匹配双目视觉系统-CN202110247464.2有效
发明人：刘贵鹏;张铭旭;齐御京;曹智杰;赵桂娟 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06T15/00 文献下载
摘要：发明涉及一种基于Census变换和灰度绝对差的混合匹配双目视觉系统，所述系统包括相互之间电性连接的双目图像数据采集模块、FPGA图像数据处理模块和视差图输出显示模块；所述FPGA图像数据处理模块包括图像矫正、图像预处理、图像变换以及双目匹配过程；利用双目匹配的相似性检测函数记录最小值所对应的像素点，即为最佳匹配点，通过视差图输出显示模块输入显示。本发明的双目视觉系统采用的算法不仅大大减少了计算量，有效排除了光照、噪声等环境因素的影响；而且在基于传统Census变换的基础上，通过判断是否为物体边缘，来进行自适应窗口大小的Census变换，大大增加了匹配的准确性。
一种基于 census 变换灰度绝对混合匹配双目视觉系统

[发明专利]一种基于FPGA的浮点乘加器及计算方法-CN202211275784.X在审
发明人：刘贵鹏;黄国华;赵桂娟 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F7/57 文献下载
摘要：本发明公开一种基于FPGA的浮点乘加器及计算方法。本发明包括数据分配器、浮点乘法器层、浮点加法器阵和累加器。所述计算方法通过延拓乘法器层以及加法器阵来使用更多片内资源提升速度上限，其延拓的过程中乘法器层、加法器阵以及累加模块内容无需改动，对于本领域内普通技术人员而言，根据不同FPGA芯片资源配置不同乘法器层内乘法器数量十分简单且高效，提高了运算时间上限。
一种基于 fpga 浮点乘加器计算方法

[发明专利]一种AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法-CN202011414698.3有效
发明人：汪连山;李方政;赵桂娟;孟钰琳;杨少延;魏鸿源;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。
一种 algan bn 多量结构深紫 led 及其制备方法

[实用新型]一种建筑工程领域的建筑板材快速清洗装置-CN202122698857.3有效
发明人： 赵桂娟 -专利权人： 赵桂娟
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种建筑工程领域的建筑板材快速清洗装置，属于建筑工程技术领域，以解决现有的板材清洗装置不能有效的根据板材的实际尺寸对其进行固定，且现有的清洗装置不能快速有效的进行清洗的问题；包括装置主体；所述装置主体主体设置为方形结构，且装置主体内部安装有夹持机构；所述装置主体包括：侧板，侧板固定设置于装置主体顶部两侧；所述装置主体外侧固定设置有连接装置，且连接装置外侧设置有驱动机构；所述驱动机构外侧安装有清洗机构，且清洗机构底部固定设置有辅助装置；通过设置有竖杆以及连接块和连接板，实现了使两组夹持架同时反方向移动的效果，起到了根据板材的宽度对其进行有效固定的作用。
一种建筑工程领域建筑板材快速清洗装置

[实用新型]一种环形腔单纵模脉冲激光器-CN202121431275.2有效
发明人：王雨雷;赵桂娟;白振旭;吕志伟 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环形腔单纵模脉冲激光器，所述激光器包括：泵浦源、增益介质、六镜环形谐振腔腔镜，所述六镜环形谐振腔腔镜为8字形光路，腔镜由凹面输出镜、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜、第四反射镜、凹面反射镜组成；所述凹面输出镜和所述凹面反射镜之间设置有非线性晶体，所述第一反射镜和所述第二反射镜之间设置有孔径光阑，所述第二反射镜和所述第三反射镜之间设置有光单向单元，所述第三反射镜和所述第四反射镜之间设置有脉冲产生器，在所述凹面输出镜后设置有二向分色镜。本实用新型解决了现有技术中的激光器单纵模率低、易产生空间烧孔效应、输出波形不对称以及输出能量不稳定的问题。
一种环形腔单纵模脉冲激光器

[发明专利]一种腐蚀4H-碳化硅表面的方法-CN202110846927.7在审
发明人： 赵桂娟;茆邦耀;刘贵鹏;薛德胜 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种腐蚀4H‑碳化硅表面的方法，并对腐蚀后的4H‑SiC表面的缺陷进行检测。本发明通过摩尔质量比为18‑22的KOH和K2CO3做腐蚀剂，将4H‑SiC样品在540‑560℃的温度下腐蚀15‑25min，能够得到边界清晰，缺陷形貌及分布均清晰可见的良好的腐蚀效果。为准确统计腐蚀后样品中TSD的六角形蚀坑缺陷提供可能，更是便于对缺陷的区分、观察和计数，得到更精确的缺陷密度。从而为判断最终半导体器件的可靠性提供良好依据。
一种腐蚀碳化硅表面方法

[发明专利]一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法-CN202110561315.3在审
发明人： 赵桂娟;黄河源;邢树安;吕秀睿;茆邦耀;刘贵鹏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-05-22 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法，包括衬底，所述衬底包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化层，所述氧化层上刻蚀有二硫化铼沟道，所述场效应管还包括生长在源漏接触区的漏源电极、覆盖所述二硫化铼沟道的栅氧化层以及位于硅衬底底部的金属引线，所述栅氧化层上生长有栅电极，所述漏源电极包括依次位于所述氧化层之上的Cr电极和Au电极。本发明的场效应管具有较高的开关电流比，且有效降低了器件尺寸缩小带来短沟道效应，同时顶栅和背栅的结构也有助于源漏电流的调控。
一种基于硫化场效应及其制造方法

[发明专利]一种非接触式n型4H-碳化硅晶圆电阻率测量方法-CN202110561309.8在审
发明人：刘贵鹏;茆邦耀;汤金金;吕秀睿;邢树安;黄河源;赵桂娟 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-05-22 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于微区拉曼系统的非接触式n型4H‑SiC晶圆电阻率测量方法。通过微区拉曼光谱测试系统测得晶圆中不同位置的LO声子和等离子体耦合峰(LOPC)，通过拟合得到LOPC峰峰位和半高宽。将峰位和半高宽输入到电阻率分析程序，得到不同位置处电阻率数值。分析程序将电子浓度和电子迁移率分成网格格点，计算每一个网格点对应的LOPC峰位值、半高宽和电阻率值，建立LOPC峰位值、半高宽和电阻率值对应的网表。
一种接触碳化硅电阻率测量方法

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