[发明专利]衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统在审
申请号: | 201510585911.X | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN105063575A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 蒋国文;冉军学;王其忻;胡强 | 申请(专利权)人: | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 510670 广东省广州市高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统,衬底托盘设置有多个沿反射率监控圆环间隔设置的第一衬底放置区至第N衬底放置区;其中,自第一衬底放置区起,相邻两个衬底放置区的间隔分别为第一间隔至第N间隔,第一间隔至第N间隔中包括有至少一个定位间隔,且其余间隔的距离相同,定位间隔的距离与任意相邻衬底放置区的间隔的距离不同。获取采集反射率数据并绘制为反射率柱形图,由于在衬底托盘的第一间隔至第N间隔中设置至少一个定位间隔,进而通过相邻衬底放置区的间隔的距离和反射率柱形图中相邻柱形的间隔的距离对定位间隔进行确定,并通过衬底托盘的转动方向,以最终确定发射率柱形图中每个柱形所对应的衬底。 | ||
搜索关键词: | 衬底 托盘 定位 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种衬底定位方法,应用于MOCVD生长工艺中沿反射率监控圆环实时采集衬底托盘上衬底表面的薄膜的反射率的过程,其特征在于,所述衬底托盘设置有多个沿反射率监控圆环间隔设置的第一衬底放置区至第N衬底放置区;其中,自所述第一衬底放置区起,相邻两个衬底放置区的间隔分别为第一间隔至第N间隔,所述第一间隔至第N间隔中包括有至少一个定位间隔,且其余间隔的距离相同,所述定位间隔的距离与任意相邻衬底放置区的间隔的距离不同,N为不小于2的整数,所述衬底定位方法包括:获取采集的反射率数据;根据所述反射率数据绘制反射率柱形图;根据所述衬底托盘的转动方向、相邻衬底放置区的间隔的距离和反射率柱形图中相邻柱形的间隔的距离,确定所述反射率柱形图中每个柱形所对应的衬底。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的