[发明专利]金属硅化物的选择性沉积和选择性氧化物移除在审
| 申请号： | 201980074914.3 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN113348532A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 雷蒙德·洪;金南成;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶;郑崔;克里斯托弗·艾尔斯;安德鲁·库梅尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司;加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/311;H01L21/324;C23C16/46;C23C16/42;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开内容的实施方式涉及选择性金属硅化物沉积方法。在一个实施方式中，加热具有含硅表面的基板，并且含硅表面被氢封端。将基板暴露于MoF |
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| 搜索关键词： | 金属硅 选择性 沉积 氧化物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
