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[实用新型]一种种苗病害识别喷药装置-CN202320890469.1有效
发明人：韩吉书;韩吉胜;宋甲斌 -专利权人：山东安信种苗股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A01M7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种种苗病害识别喷药装置，属于种苗的技术领域，该装置包括：承接架；摄像头，安装于所述承接架上，用于采集苗床上种苗的图像信息；喷嘴组件，安装于所述承接架上，用于对苗床上的种苗喷洒药剂；供药组件，与所述喷嘴组件连通，用于提供药剂；显示屏，安装于所述承接架侧壁，用于显示所述图像信息；控制器，与所述摄像头和所述显示屏连接，用于接收所述图像信息，并发送所述图像信息至所述显示屏。本申请具有降低工作人员的工作量的有益效果。
一种种苗病害识别装置

[实用新型]一种适用性广的蔬菜苗床下消毒装置-CN202321295856.7有效
发明人：宋甲斌;韩吉书;韩吉胜 -专利权人：山东安信种苗股份有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： A61L2/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种适用性广的蔬菜苗床下消毒装置，其包括在地面上行走的支撑机构，所述支撑机构上设置有握持机构，所述支撑机构上设置有升降机构，所述升降机构包括设置于握持机构上的控制组件，所述控制组件通过驱动组件与滑移组件连接，所述滑移组件竖直滑动连接于支撑机构上，所述滑移组件上设置有安装机构，所述安装机构上设置有喷药机构。本申请具有方便对苗床下方进行消毒，降低操作人员劳动强度的效果。
一种适用性蔬菜苗床消毒装置

[发明专利]一种劈接嫁接机-CN202310639808.3在审
发明人：韩吉书;韩吉胜;宋甲斌 -专利权人：山东安信种苗股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： A01G2/30 文献下载
摘要：本申请涉及一种劈接嫁接机，包括：底台；水平对置的转动设置于底台的第一转盘和第二转盘，所述底台对应第一转盘与第二转盘之间设置嫁接工位，还包括：多个接穗夹持治具，呈中心对称的设置于第一转盘，用于带动接穗随第一转盘的转动送至嫁接工位；多个砧木夹持治具，呈中心对称的设置于第二转盘，用于带动砧木随第二转盘的转动送至嫁接工位。本申请具有减少作业人员的等待时间，提高作业效率的效果。
一种嫁接

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202310618560.2在审
发明人：汉多科·林纳威赫;韩吉胜;崔鹏;徐明升;钟宇;崔潆心;徐现刚;李树强 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件和半导体器件的制造方法，属于半导体器件领域，包括：半导体衬底；第一半导体层；第二半导体层；栅沟槽；伪深沟槽；绝缘层；栅极；第一包裹半导体区域；第二包裹半导体区域；由碳化硅制成的第一半导体区域，具有第一导电类型并在第二半导体层上的栅沟槽周围形成；由碳化硅制成的第二半导体区域，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并在第二半导体层上的伪深沟槽周围形成；其中，第二半导体层包括一个长沟槽的区域，其中，第二半导体层与沟槽接触并且沿垂直于沟槽深度方向的方向延伸。本发明的半导体器件有利于实现更高的耐受电压和更低的导通电阻。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种高击穿电压增强型氮化镓器件及其制备方法-CN202310690732.7在审
发明人：崔鹏;代嘉铖;汉多科•林纳威赫;崔潆心;钟宇;徐明升;韩吉胜;李树强;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高击穿电压增强型氮化镓器件及其制备方法，属于微电子晶体管研究技术领域，包括衬底以及位于衬底上的AlN成核层、无掺杂GaN缓冲层、AlN插层、AlGaN势垒层、无掺杂GaN层，AlGaN势垒层上方左侧为第一p‑GaN帽层，无掺杂GaN层上方为第二p‑GaN帽层，AlGaN势垒层上方两端为金属源电极、金属漏电极，第一p‑GaN帽层上方为T型金属栅电极，第二p‑GaN帽层上方为金属基电极，本发明基于未掺杂的GaN帽层和P型掺杂的GaN帽层结构，实现了高击穿电压的增强型GaN功率器件的制备，器件结构简单，栅极调控能量强，具有易操作，工艺简单，击穿电压提高明显等优势。
一种击穿电压增强氮化器件及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅衬底上氮化镓垂直器件及其制备方法-CN202310692960.8在审
发明人：崔鹏;罗鑫;韩吉胜;钟宇;徐明升;汉多科•林纳威赫;崔潆心;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅衬底上氮化镓垂直器件及其制备方法，属于微电子研究的技术领域，氮化镓垂直器件包括n+型SiC衬底，位于n+型SiC衬底上为n+型GaN层，n+型GaN层上方为无掺杂GaN层，无掺杂GaN层上方为p型GaN层，p型GaN层上方为p+型GaN层，器件进行区域刻蚀，从上方刻蚀至无掺杂GaN层，p+型GaN层上方为阳极金属，n+型SiC衬底下方为阴极金属，阳极金属、p+型GaN层、无掺杂GaN层上方覆盖有开孔的SiO2钝化层，SiO2钝化层开孔处设有阳极金属场版。采用导电性SiC衬底上生长导电性缓冲层，从而直接将SiC衬底作为器件的漏端进行电极制备，不需要采用刻蚀或者是衬底剥离来实现垂直器件的制备，具有工艺简单，重复性高，成品率高，成本低等显著优势。
一种碳化硅衬底氮化垂直器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202310690723.8在审
发明人：崔鹏;罗鑫;韩吉胜;崔潆心;钟宇;徐明升;汉多科·林纳威赫;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法，属于微电子二极管技术领域。二极管包括由下到上依次设置的阴极金属、n+型SiC衬底、n+型GaN层、无掺杂GaN层和p型GaN层，p型GaN层上设置有阳极金属，阳极金属、p型GaN层和无掺杂GaN层上方覆盖有开孔的SiO2钝化层，SiO2钝化层开孔处设有阳极金属场版。本发明在SiC衬底上进行GaN垂直器件的制备，可实现垂直器件的三维电子通道，从而有效提高输出电流密度，降低器件导通阻值，降低器件尺寸，实现器件高功率小型化的使用。
一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于选区退火的高击穿电压增强型GaN器件及制备方法-CN202310690491.6在审
发明人：崔鹏;陈思衡;徐明升;汉多科•林纳威赫;崔潆心;钟宇;韩吉胜;李树强;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于选区退火的高击穿电压增强型GaN器件及制备方法，属于微电子器件领域，包括SiC衬底和生长在SiC衬底上的AlN成核层，AlN成核层上方依次为GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、p‑GaN帽层，p‑GaN帽层两侧分别为源电极和漏电极，p‑GaN帽层上方为SiO2钝化层和栅电极，SiO2钝化层上方为栅电极场板，栅电极场板上方为SiO2钝化层，SiO2钝化层上方为源电极场板。本发明通过对特定区域的p‑GaN进行激光快速热退火，可以对栅极下方的p‑GaN进行选区激活，从而可以通过更为简单的制备工艺得到击穿电压更高且稳定性更好的增强型GaN器件。
一种基于选区退火击穿电压增强 gan 器件制备方法

[发明专利]一种温室种苗巡检方法、系统及巡检小车-CN202310747231.8在审
发明人：宋甲斌;韩吉书;韩吉胜 -专利权人：山东安信种苗股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种温室种苗巡检方法、系统及巡检小车，属于温室种苗巡检的技术领域，该巡检方法以巡检小车为执行主体，包括：获取巡检指令，并识别所述巡检指令中的待监测区域信息，而后调用与待监测区域对应的预设的巡航路径；在按照所述巡航路径到达所述待监测区域后，获取所述待监测区域的图像信息，并识别所述图像信息中是否包含种苗，若是，则识别种苗信息，并输出所述种苗信息。由于通过巡检小车代替人工进行巡检，因此提高了巡检效率，降低了工作人员的劳动量。
一种温室种苗巡检方法系统小车

[发明专利]一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用-CN202310696789.8在审
发明人：汉多科·林纳威赫;钟宇;韩吉胜;徐明升;崔鹏;崔潆心;李树强;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用，包括：在SiC衬底正面的SiC外延层上制备高掺杂的源极区域，在SiC衬底背面制备用于漏极区域接触的微沟道结构；采用LPCVD的方法在源极区域和漏极区域同时沉积3C‑SiC薄膜；在3C‑SiC薄膜上沉积金属以实现欧姆接触。本发明采用LPCVD的方法在SiC MOSFET的源极、漏极区域沉积高掺杂的3C‑SiC薄膜。通过上述步骤制备的源极和漏极区域的3C‑SiC薄膜能够承受氧气、高湿度、高温和酸洗环境。本发明简化了欧姆接触制备工艺，提高了该步工艺的生产效率。
一种 sic 器件欧姆接触及其制备方法应用

[发明专利]一种蔬菜种苗自动分级喷灌系统及方法-CN202310720737.X在审
发明人：韩吉书;韩吉胜;宋甲斌 -专利权人：山东安信种苗股份有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： A01G27/00 文献下载
摘要：本申请涉及蔬菜育种的技术领域，尤其是涉及一种蔬菜种苗自动分级喷灌系统及方法，其包括机架、栽种机构和喷灌机构，所述栽种机构包括移动组件、穴盘和苗床，所述苗床通过所述移动组件滑移设置在所述机架上，所述苗床上设置有多个用于培育种苗的穴盘，所述喷灌机构设置在所述机架上并对经过的苗床进行喷淋，所述机架上设置有分级控制机构，所述分级控制机构包括标识件、识别件和控制组件，所述标识件设置在所述苗床上，所述识别件设置在所述机架上，所述识别件识别所述标识件的记录信号并传输给所述控制组件，所述控制组件设置在所述机架上并控制所述喷灌机构出水量。本申请具有减少对种苗产品质量影响的效果。
一种蔬菜种苗自动分级喷灌系统方法

[发明专利]一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法-CN202310430551.0在审
发明人：崔鹏;陈思衡;钟宇;李汉和;徐明升;崔潆心;李树强;韩吉胜;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法，包括：1)在固定漏端偏压下，测试得到不同栅偏压下GaN基HEMT的S参数；2)计算不同栅偏压下GaN基HEMT的栅电容Cg；3)根据不同栅长下的栅电容Cg，得到寄生电容Cext和栅本征电容Cint；再通过对栅本征电容Cint随栅偏压的变化曲线进行积分，进而得到栅下二维电子气电子面密度。该方法基于不同栅长下电容值，将栅电容中边缘效应产生的电容和栅下电容进行了分别进行了提取，有效提取出栅下电容和电子浓度；具有简单，直接，低成本，有效，可操作性强等优点。
一种确定 gan 晶体管纳米尺寸二维电子密度方法

[发明专利]一种保温被收放结构及方法-CN202310761167.9在审
发明人：韩吉书;韩吉胜;宋甲斌 -专利权人：山东安信种苗股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： A01G9/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种保温被收放结构及方法，属于温室保温被收防的技术领域，该收放结构包括：展开电机；收拢电机；分离件，设置有两组，基于触发条件，在保温被展开时，其中一组用于实现所述展开电机的输出轴与钢丝绳卷轴同轴连接，另外一组用于实现所述收拢电机的输出轴与保温被卷轴分离；在保温被收拢时，其中一组用于实现所述展开电机的输出轴与钢丝绳卷轴分离，另外一组用于实现所述收拢电机的输出轴与保温被卷轴同轴连接。由于展开电机与收拢电机不在存在联系，因此降低了对两电机的控制难度，从而降低了对控制系统的要求。
一种保温被收放结构方法

[发明专利]一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法-CN202310430500.8在审
发明人：崔鹏;罗鑫;徐明升;崔潆心;钟宇;李汉和;李树强;韩吉胜;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法，属于微电子器件技术领域。膜层结构自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和帽层；金属电极穿过帽层生长在势垒层上。本发明在退火前增加了Asher+HCl循环处理这一步骤，通过氧气等离子处理和盐酸结合进行多次循环工艺，实现了低损伤、低刻蚀速率、刻蚀厚度可控的刻蚀技术，此外，Asher处理可以去除光刻显影后残留在表面的光刻胶，盐酸清洗可以去除GaN帽层表面形成的自然氧化物，从而保证金属电极与材料之间的直接接触，奠定退火后形成良好欧姆接触的基础。结果表明，随着Asher处理次数的增加，比接触电阻率呈线性下降。
一种 gan hemts 降低器件欧姆接触阻值方法

[发明专利]一种瓜类顶插嫁接机-CN202310494842.6在审
发明人：韩吉书;韩吉胜;宋甲斌 -专利权人：山东安信种苗股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： A01G2/30 文献下载
摘要：本申请涉及植物嫁接技术的领域，公开了一种瓜类顶插嫁接机，其包括机架、砧木处理装置、砧木调位装置、接穗处理装置和接穗调位装置，所述砧木处理装置连接在所述机架上，所述砧木处理装置用于对砧木进行打孔处理，所述砧木调位装置连接在所述机架上，所述砧木调位装置用于将经过打孔处理的砧木夹取至嫁接位置，所述接穗处理装置连接在所述机架上，所述接穗处理装置用于对接穗进行斜切处理，所述接穗调位装置连接在所述机架上，所述接穗调位装置用于接穗夹取至嫁接位置。本申请具有实现瓜类顶插嫁接的批量化生产，提高瓜类植株顶插嫁接生产效率的效果。
一种瓜类顶插嫁接

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