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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202210978573.6在审
发明人： 赵基熙;安相赫;李炫锡;姜埈求;李珍秀;蔡弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：底电极，位于基底上；支撑图案，位于底电极与相邻底电极之间；顶电极，覆盖底电极和支撑图案；以及介电层，位于底电极与顶电极之间，并且位于支撑图案与顶电极之间。底电极可以包括包含缝隙的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第二部分的顶端可以设置在比支撑图案的上表面低的高度处，并且第二部分的底端的一部分可以暴露于缝隙。
半导体装置

[发明专利]制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备-CN201710533807.5有效
发明人：林载顺;朴圭熙;曹仑廷;李炫锡;赵基熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。
制造半导体装置方法设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110837411.6在审
发明人： 赵基熙;姜相列;姜埈求;金泰均;朴志云;安相赫;李珍秀;李炫锡;蔡弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202110842247.8在审
发明人：姜埈求;安相赫;姜相列;李珍秀;李炫锡;赵基熙;蔡弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；第一支撑图案和第二支撑图案，在第一方向上依次堆叠在衬底上并与衬底的上表面间隔开；下电极孔，在衬底上沿第一方向延伸穿过第一支撑图案和第二支撑图案；界面膜，在下电极孔的侧壁和底表面上；下电极，在下电极孔的内部在界面膜上；电容器电介质膜，与界面膜的侧壁、界面膜的最上表面和下电极的最上表面物理接触，界面膜的最上表面形成在与第二支撑图案的上表面相同的平面上。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010801948.2在审
发明人： 赵基熙;姜俊求;李炫锡;安相赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括电容器，电容器具有底电极和顶电极、在底电极与顶电极之间的介电层以及在顶电极与介电层之间的界面层，界面层包括金属氧化物和在界面层的晶界处的附加成分。
半导体存储器装置

[发明专利]在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件-CN202010488922.7在审
发明人：李炫锡;姜埈求;赵基熙;安相赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了半导体器件。半导体器件包括下电极结构的第一部分，下电极结构的第一部分位于基底上。半导体器件包括第一支撑图案，第一支撑图案与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触。半导体器件包括下电极结构的第二部分，下电极结构的第二部分位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上。半导体器件包括上电极，上电极位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上。此外，半导体器件包括介电层，介电层位于上电极与下电极结构的第二部分之间。
在下电极结构包括支撑图案半导体器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202010406133.4在审
发明人：姜埈求;李炫锡;赵基熙;安相赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括电容器结构，其中电容器结构包括：在基板之上的底电极；在底电极的侧壁上的支撑物；在底电极和支撑物上的电介质层；以及在电介质层上并覆盖底电极的顶电极。底电极包括：基底电极层，在基板之上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；以及导电覆盖层，包括铌氮化物，在基底电极层的侧壁与电介质层之间以及在基底电极层的顶表面与电介质层之间。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201911307841.6在审
发明人： 赵基熙;姜埈求;姜相列;李炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：提供了包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括电容器，电容器包括：下电极；上电极，在下电极上；以及介电层，在下电极和上电极之间延伸。下电极可以包括接触介电层的掺杂区域，下电极的掺杂区域被构造为使电容器的电容增大。
包括电容器半导体装置制造方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201911010135.5在审
发明人：姜埈求;李炫锡;赵基熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：导电区域，所述导电区域位于衬底上；和下电极结构，所述下电极结构包括与所述导电区域间隔开的主电极部分以及位于所述主电极部分与所述导电区域之间的桥电极部分。介电层与所述主电极部分的外侧壁接触。为了制造所述集成电路器件，在所述衬底上的模制图案的孔中形成初步桥电极层，以及在所述孔中的所述初步桥电极层上形成所述主电极部分。去除所述模制图案以暴露所述初步桥电极层的侧壁，以及去除所述初步桥电极层的一部分以形成所述桥电极部分。形成与所述主电极部分的所述外侧壁接触的所述介电层。
集成电路器件及其制造方法

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