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[实用新型]一种便于清洁除尘的可拆卸式热交换设备-CN202321202752.7有效
发明人： 顾国栋;单红宇;黄屹峰;彭晓云;崔慧权 -专利权人：远东能源集团有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F28D7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于清洁除尘的可拆卸式热交换设备，包括箱体，以及位于箱体内的热交换本体，且热交换本体与箱体内侧壁可拆卸连接；箱体内顶部设有主动齿轮，主动齿轮两侧分别设有一个与其啮合传动的传动齿轮；主动齿轮、传动齿轮的中心轴均为与其内部连通的管件，且主动齿轮、传动齿轮上分别设有与各自中心轴连通的出风孔，箱体顶部设有通过第一通风管、第二通风管分别与主动齿轮、传动齿轮的中心轴转动密封套接的风机；主动齿轮一侧设有第一齿板，第一齿板底部设有刷毛；本实用新型通过设置主动齿轮和第一齿板等，在第一齿板对热交换本体进行往复除尘时，可以带动主动齿轮等对热交换本体进行多点位的风力清洁。
一种便于清洁除尘可拆卸热交换设备

[发明专利]一种T型纳米栅及其制备方法-CN201911106728.1有效
发明人： 顾国栋;吕元杰;敦少博;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种T型纳米栅及其制备方法。所述T型纳米栅生长于具有三层介质钝化层的基片上，所述三层介质钝化层包括底层介质钝化层、中间介质钝化层和顶层介质钝化层；所述栅根穿过中间介质钝化层生长于基片上，且栅根与底层介质钝化层不接触，所述栅帽的下表面与中间介质钝化层的上表面接触。本发明提供的T型纳米栅的栅根悬空，不与钝化介质接触，栅帽覆盖于中间介质钝化层上，不但避免了没有介质承托造成的栅剥离时的倒栅，同时也可以减小栅寄生电容，达到了提升器件的频率特性的目的。
一种纳米及其制备方法

[发明专利]一种植物栽培气雾剂-CN202310710746.0在审
发明人：蔺雨阳;周天娃;刘诚诚;沈杰;兰海;蒋祺;彭建勇;代沙;张帆;李恒;张春花;唐平;和献锋;顾国栋;雍小华;潘超峰;谭章君;任建宇 -专利权人：攀枝花市农林科学研究院
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： A01N59/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种植物栽培气雾剂，该气雾剂包括基料和抛射剂，基料包括冷塑性生物胶、植物皮层渗透剂、磷酸二氢钾等物质，抛射剂选用压缩氮或二氧化碳或空气的气体。本发明制得的植物栽培气雾剂可以搭载到任何具有低承压材质的简易喷雾设备上，例如：喷雾瓶、带喷嘴易拉罐、喷水壶、电动喷雾器等，且成雾效果好，气雾微粒易于附着到植物组织上，快速渗透性佳，植物明显缩短缓苗期，植物长势效果显著。可以用于直接喷施受损根，移栽苗根系或叶片背面，也可以喷施发芽种子，有效提高成活率和发芽率，还可以缓解植物组织受日灼或冻害带来的伤害等，帮助植物度过缓苗期。
一种植物栽培气雾剂

[发明专利]一种香果树组织培养的方法-CN202310697484.9在审
发明人：代沙;刘诚诚;唐力为;兰海;蔺雨阳;周天娃;张帆;蒋祺;顾国栋;张春花;和献锋;彭建勇;李恒 -专利权人：攀枝花市农林科学研究院
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种香果树组织培养的方法，包括外植体的获取与消毒、根的分化诱导、壮根培养、芽的诱导、移栽。本发明通过先诱导根再诱导芽的组织培养方法，避免了香果树再生苗愈伤化、玻璃化、生根率不高的问题，提高了香果树组培的增殖率，大大降低了组织培养环节和育苗成本，为香果树快速繁育、资源保护以及大规模育苗提供科技支撑。通过低光照和高光照的交替培养，达到幼苗的伸长生长和壮苗培养，解决了香果树组培苗培养过程中苗矮小、生长慢的问题。木本植物组织培养存在愈伤易褐化、愈伤组织诱芽困难等问题，本发明绕开了愈伤组织诱导环节，通过叶片直接生根再诱芽，减少了愈伤组织诱导环节，改变了传统木本植物组织培养途径。
一种果树组织培养方法

[发明专利]一种用于增强热交换效率的管壳式热交换设备及使用方法-CN202310492667.7在审
发明人：单红宇;顾国栋 -专利权人：远东能源集团有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： F28D7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于增强热交换效率的管壳式热交换设备，包括换热壳，设置在换热壳内部的换热组件，转动连接在换热壳端部且与换热组件连通的管板，以及设置在管板两侧的封头；换热组件包括与管板的中心孔槽连通且沿壳体轴心设置的第一换热管，滑动设置在第一换热管上的导流组件，多个与第一换热管平行的第二换热管；第二换热管穿过导流组件，且第二换热管的两端分别与管板上设有的外围孔槽一一对应连通；本发明通过设置导流组件、流速控制组件、扰流组件有效增强了管壳式热交换设置的热交换效率，同时装置具备制造成本低、易于维修更换的优势。
一种用于增强热交换效率管壳设备使用方法

[发明专利]单边带调制系统、方法、装置及终端设备-CN202210089550.X有效
发明人：杨大宝;梁士雄;顾国栋;邢东;刘波;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H04L27/04 文献下载
摘要：本申请适用于太赫兹电路技术领域，提供了单边带调制系统、方法、装置及终端设备，该系统包括：相移网络功分器，用于将输入的信号分成两路信号，且两路信号相位差为45度，将两路信号输入单片集成电路；单片集成电路，用于将两路IQ低频信号和两路信号的二次倍频信号进行混频调制，得到两路上变频信号，将两路上变频信号输入射频输出波导合成器；射频输出波导合成器，用于将两路上变频信号进行同相合成，同相合成后的信号为调制后的信号，输出调制后的信号。本申请通过单片集成电路处理输入信号和相移网络功分器对太赫兹信号进行功分和幅度相位的控制，可以提高单边带调制器的性能，获得与现有技术相比更高的频谱利用率和上变频输出功率。
单边带调制系统方法装置终端设备

[发明专利]具有定时自动多点补充润滑油功能的防爆离心式冷水机组-CN202310465816.0在审
发明人： 顾国栋 -专利权人：远东能源集团有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F04D25/06 文献下载
摘要：本发明公开了具有定时自动多点补充润滑油功能的防爆离心式冷水机组，包括依次通过冷媒管组连接的蒸发器、离心压缩机、冷凝器以及节流装置，且离心压缩机上设有防爆结构；离心压缩机包括第二齿轮箱、第一齿轮箱以及蜗壳，第一齿轮箱内设有低速转轴以及高速转轴，且低速转轴上套设有大齿轮，高速转轴上套设有小齿轮；大齿轮端面上设有一端与其固定连接的转动杆，第一齿轮箱内设有转动杆驱动的第一传动组件；第一齿轮箱内设有储油箱以及通过散热管与其连通的中转箱，且第一齿轮箱内设有用于冷却润滑油的冷却设备；本发明通过低速转轴的转动圈数来间接定时，从而实现根据转动圈数自动多点补充润滑油的功能。
具有定时自动多点补充润滑油功能防爆离心冷水机组

[发明专利]一种双T型纳米栅及其制备方法-CN201911107664.7有效
发明人： 顾国栋;吕元杰;敦少博;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种双T型纳米栅及其制备方法。所述双T型纳米栅生长在具有介质钝化层的基片上，所述介质钝化层包括底层介质钝化层和顶层介质钝化层；所述双T型纳米栅自下而上依次包括栅根、栅腰和栅帽；其中，所述栅根穿过介质钝化层生长于基片上，且栅根与底层介质钝化层不接触，所述栅腰的下表面与顶层介质钝化层的上表面接触。本发明提供的双T型纳米栅栅根和栅帽悬空，不与介质钝化层接触，栅腰覆盖在顶层介质钝化层上，增加了双T型栅的稳定性，而且，双T型结构增加了栅帽与介质钝化层之间的距离，有利于进一步减小寄生电容，同时避免了没有介质承托造成的栅剥离时的倒栅，达到了提升器件的频率特性的目的。
一种纳米及其制备方法

[发明专利]一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器-CN202310009442.1在审
发明人：张立森;宋旭波;徐鹏;顾国栋;梁士雄;吕元杰;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器。该芯片包括：衬底。对称集成于所述衬底上的第一微带探针、第二微带探针、第一倍频支路和第二倍频支路。第一肖特基二极管模块的输入端连接第一微带探针，第一肖特基二极管模块的输出端连接第一微带线的输入端。第二肖特基二极管模块的输入端连接第二微带探针，第二肖特基二极管模块的输出端连接第二微带线的输入端。连接第一微带线的输出端和第二微带线的输出端的第三微带探针。本发明能够基于半导体制造工艺将两路倍频支路制备在同一个衬底上，并通过衬底表面的微带线实现两路倍频支路功率合成，基于同一衬底制备倍频电路并实现功率合成方式，相位一致性高，功率合成效率高。
一种赫兹倍频电路芯片倍频器

[发明专利]大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构-CN202011085010.1有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;徐鹏;吕元杰;顾国栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，属于半导体器件技术领域，包括多个串联单元，串联单元的数量为偶数，每个串联单元包括多个同向串联的肖特基结；多个串联单元反向并联。本发明提供的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，利用串联电路和并联电路的原理，采用多个同向串联肖特基结进行反向并联的形式，通过增加肖特基结个数，使得倍频器可以承受更大的输入功率，从而得到更大的输出功率。
大功率宽带赫兹倍频肖特基二极管结构

[发明专利]氮化镓双向TVS器件及制备方法-CN202310004368.4在审
发明人：吕元杰;宋旭波;刘京亮;冯志红;顾国栋;梁士雄;卜爱民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法。该器件包括：衬底；位于衬底上表面的N+氮化镓层；位于N+氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台阶结构上表面的第二正极；第一台面结构、第二台面结构、第一正极和第二正极均嵌入钝化层内，第一台面结构的下表面和第二台面结构的下表面相距预设距离，且第一台面结构和第二台面结构从下到上均由N‑氮化镓层、绝缘氮化镓层、P‑氮化镓层和P+氮化镓层构成；钝化层在对应第一正极的位置开设有第一电极窗口，在对应第二正极的位置开设有第二电极窗口。本发明能够降低氮化镓双向TVS器件的实现难度，并降低热烧毁的风险。
氮化双向 tvs 器件制备方法

[发明专利]倍频二极管芯片结构及其制备方法-CN202310004350.4在审
发明人：冯志红;卜爱民;宋旭波;吕元杰;梁士雄;顾国栋;张立森;郝晓林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种倍频二极管芯片结构及其制备方法。该结构包括：衬底；设置在衬底上的N+氮化镓层；沿第一方向，设置在衬底上，分别位于N+氮化镓层两侧的第一、第二阳极焊盘；沿第二方向，设置在衬底上，分别位于N+氮化镓层两侧的共阴极焊盘；沿第二方向，设置在N+氮化镓层上，且分别位于N+氮化镓层两侧的阴极金属，阴极金属通过阴极空气桥与共阴极焊盘对应连接；沿第一方向，设置在N+氮化镓层上的第一N‑氮化镓层和第二N‑氮化镓层；分别设置在第一、第二N‑氮化镓层上的第一、第二阳极金属；第一、第二阳极金属分别通过第一、第二阳极空气桥与第一、第二阳极焊盘对应连接。本发明能够降低寄生电阻，提升倍频器的转换效率。
倍频二极管芯片结构及其制备方法

[发明专利]用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件-CN202011085015.4有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;吕元杰;顾国栋;徐鹏;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
用于赫兹频段电容测试肖特基二极管半导体器件

[发明专利]光导开关器件-CN202011364521.7有效
发明人：周幸叶;谭鑫;吕元杰;韩婷婷;顾国栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明适用于半导体光导开关器件技术领域，提供了一种光导开关器件，包括：衬底；所述衬底的任一侧面上设置至少两条相互隔离的并行通道；所述并行通道的两端设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，所述欧姆接触区上设置的金属电极；在除所述金属电极之外的区域设置的钝化层。通过在衬底上设置多个并行通道实现电流分流，从而降低单个电流丝的电流密度，提升光导开关器件的总功率，提高开关寿命；通过设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，使光导开关在反向偏置条件下可以降低暗电流，减小功率损耗，同时避免重掺杂欧姆接触区的载流子向并行通道区注入引起的自击穿，从而提高器件耐压特性。
开关器件

[发明专利]可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件-CN202011084999.4有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;徐鹏;吕元杰;顾国栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间。本发明提供的可偏置混频肖特基二极管结构，采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，这样可以对二极管进行偏置，从而降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度。
偏置混频肖特基二极管结构半导体器件

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