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[发明专利]SiC IGBT的制造方法和SiC IGBT-CN202310909365.5在审
发明人：冯尹;张鹏 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请提供的一种SIC IGBT的制造方法和SIC IGBT。其中，SIC IGBT的制造方法包括：提供第一导电类型的衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，在衬底的第一表面形成间隔设置的凹槽；在凹槽内填充第二导电类型的半导体材料，在衬底的第一表面上外延形成第一导电类型的漂移层，漂移层覆盖第二导电类型的半导体材料，在漂移层上外延形成第二导电类型的外延层；从衬底的第二表面开始减薄衬底至露出第二导电类型的半导体材料，在露出的第二导电类型的半导体材料上通过离子注入第一导电类型的离子而形成掺杂区；在掺杂区上形成第一金属层，并在第二导电类型的外延层上形成第二金属层；其中，第一导电类型和第二导电类型不同。本申请提供的SIC IGBT的制造方法，节约了制造成本。
sic igbt 制造方法

[发明专利]欧姆接触电极、其制备方法及碳化硅半导体器件-CN202310900854.4在审
发明人：张鹏;冯尹 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请公开了一种欧姆接触电极、其制备方法及碳化硅半导体器件。该欧姆接触电极包括：欧姆接触层，具有第一表面；阻挡结构，位于欧姆接触层的具有第一表面的一侧，且阻挡结构包括沿第一方向顺序层叠的多层阻挡层，多层阻挡层中位于最外侧的阻挡层的体积密度大于其余阻挡层的体积密度，第一方向为背离第一表面的方向；电极层，位于阻挡结构背离欧姆接触层的一侧。采用本申请的电极结构，通过两侧高致密性的阻挡结构设计，能够分批次阻挡欧姆接触层和电极层中材料的相互扩散，实现了应力的逐层释放，提高了膜层质量，从而保证了电极结构的稳定性。
欧姆接触电极制备方法碳化硅半导体器件

[发明专利]功率器件和电子设备-CN202310934544.4在审
发明人：付云鹏;冯尹;张鹏;陈伟伟;陈永华;张磊路 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率器件和电子设备，该功率器件包括：碳化硅模块；驱动结构，位于碳化硅模块的一侧；转接结构，位于碳化硅模块和驱动结构之间，转接结构与碳化硅模块和驱动结构分别电连接，驱动结构通过转接结构驱动碳化硅模块。通过设置转接结构来连接驱动结构和碳化硅模块，这样无需针对碳化硅模块单独设计驱动结构，无需更改驱动结构的引脚位置与连接走线，就可以实现碳化硅与驱动结构的连接兼容，节约了驱动结构的设计与生产成本，保证了碳化硅模块可以快速应用于市场。
功率器件电子设备

[发明专利]一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管-CN202310892312.7在审
发明人：张鹏;冯尹 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管，所述方法包括，在碳化硅外延片的P型外延层制备一类N型注入区和二类N型注入区；在外延层上制备二氧化硅层覆盖一类N型注入区、二类N型注入区以及两者之间的部分型外延层；在二氧化硅层上制备多晶硅层，刻蚀多晶硅层、二氧化硅层，露出碳化硅P型外延层；在多晶硅层及露出的外延层上制备第一金属层；在衬底远离外延层的一面制备第二金属层。本发明提供的方法相比于传统的二极管结构，增加了导电通道，从而降低导通电阻，能够降低器件的开关损耗，从而提高碳化硅二极管的整体性能；无需进行铝离子注入，能够简化器件制造工艺，有效降低生产成本。
一种碳化硅二极管制备方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202311149652.7在审
发明人：冯尹;张鹏 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该绝缘栅双极型晶体管结构包括：集电层，具有第一掺杂类型；漂移层，设置于集电层的一侧，且漂移层具有第二掺杂类型；栅极结构，设置于漂移层远离集电层的一侧；第一掺杂层，接触设置于漂移层远离集电层的一侧，第一掺杂层包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域，第一间隔区域位于栅极结构靠近漂移层的一侧，且第一掺杂层具有第一掺杂类型；第二掺杂层，第二掺杂层在第一掺杂层上的投影位于第一间隔区域两侧，分别与栅极结构和第一掺杂层接触设置，且第二掺杂层具有第二掺杂类型；发射层，接触设置于第一掺杂层远离漂移层的一侧，且发射层具有第一掺杂类型。
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]欧姆接触电极的制备方法-CN202311137558.X在审
发明人：冯尹;张鹏 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种欧姆接触电极的制备方法。本申请所述制备方法使用Ti/Ni双金属依次淀积，然后采用三次独立退火后形成欧姆接触电极。由于Ti可与C反应避免了C原子会积累在界面附近和金属表面形成碳膜或碳团簇，使得欧姆接触电极的表面形貌平整，具有较低的比接触电阻并提高了SiC欧姆接触性能。三次独立退火增强接触界面粘附性并且使用温度较低从而降低了点缺陷和扩展缺陷的发生概率，提高了器件性能和可靠性。
欧姆接触电极制备方法

[发明专利]半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测量方法-CN202310836567.1在审
发明人：冯尹;张鹏 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测试方法，该装置包括图形结构和定位结构；图形结构具有相背设置的淀积面和定位面，图形结构按预设图形形状沿预设方向开设有若干淀积孔，且各淀积孔贯穿淀积面和定位面；定位结构与图形结构连接，定位结构用于对待淀积的半导体晶圆定位，以使得半导体晶圆与图形结构的定位面平行，且对齐图形结构的各淀积孔。通过图形结构上的具有预设图形形状的淀积孔对半导体晶圆进行金属淀积，使得该半导体晶圆无需经过光刻、刻蚀的工序步骤，有效地精简了欧姆接触的检测工序，且能够缩短检测的时间，在产品出现异常时，能够更快地发现，减少受影响的产品的数量。
半导体金属装置简易欧姆接触测量方法

[发明专利]晶圆测试的控制方法、控制装置、存储介质和电子设备-CN202311051513.0在审
发明人：张鹏;冯尹 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆测试的控制方法、控制装置、存储介质和电子设备。该控制方法包括：在探针卡的探针与晶圆接触的情况下，接收探针台发送的第一启动信号，其中，探针卡中具有气体通道，气体通道连接有阀门，以使得气体通道在阀门开启的情况下输送保护气体；根据第一启动信号控制阀门开启，并对晶圆上的第一待测器件进行晶圆测试；在完成对第一待测器件的晶圆测试的情况下，关闭阀门；通知探针台将晶圆移动至第二待测器件，以使第二待测器件和探针接触，并对第二待测器件进行晶圆测试。通过本申请，减少了保护气体与探针卡的接触时间，使得探针卡上的元器件和探针的温度降低，实现了增加探针的寿命的目的。
测试控制方法装置存储介质电子设备

[发明专利]MPS二极管及其制作方法-CN202311071499.0在审
发明人：张鹏;冯尹 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种MPS二极管及其制作方法。该MPS二极管包括：半导体基底，包括顺序层叠的半导体衬底、第一外延层和第二外延层，第一外延层的厚度大于第二外延层的厚度，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度，且半导体基底具有第一掺杂类型；掺杂区，自第二外延层远离第一外延层的一侧表面延伸至第一外延层中，掺杂区具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反；沟槽结构，自掺杂区远离半导体基底一侧的部分表面延伸至掺杂区中；欧姆接触层，至少覆盖沟槽结构的侧壁和底部。通过本申请，增加了MPS二极管中的欧姆接触层与掺杂区的接触面积，从而能够有效提高器件的抗浪涌能力，使得MPS二极管的性能得到大幅度提升。
mps 二极管及其制作方法

[发明专利]碳化硅半导体结构的制作方法和碳化硅半导体结构-CN202311071504.8在审
发明人：冯尹;张鹏 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅半导体结构的制作方法和碳化硅半导体结构，该方法包括：提供第一基底层，其中，第一基底层的材料为碳化硅；对第一基底层的表面进行第一热氧化处理，形成第一氧化层，并去除第一氧化层，得到第二基底层；对第二基底层的表面进行第二热氧化处理，形成第二氧化层，并去除第二氧化层，得到第三基底层，第二热氧化处理的温度小于第一热氧化处理的温度，第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度；对第三基底层的表面进行第三热氧化处理，形成栅氧化层，第三热氧化处理的温度小于第二热氧化处理的温度。该方法解决了栅氧化层进行热氧化过程中在界面处形成C残留，导致沟道迁移率退化并影响栅氧化层性能的问题。
碳化硅半导体结构制作方法

[发明专利]托盘组件-CN202310885682.8在审
发明人：陈永华;冯尹;付云鹏;张鹏;张磊路;薛文君 -专利权人： 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B65D19/38 文献下载
摘要：本申请涉及一种托盘组件，托盘组件包括：托盘和提手，包括托盘和提手，所述托盘包括沿厚度方向相背设置的第一放置面和第二放置面；提手可枢转地连接于托盘的外周壁，提手的旋转轴线平行于第一放置面，提手具有第一位置和第二位置，当提手位于第一位置时，提手的远离旋转轴线的一端位于第一放置面的一侧，当提手位于第二位置时，提手的远离旋转轴线的一端位于第二放置面的一侧。根据本申请实施例的托盘组件，通过设置第一放置面和第二放置面，可以提高托盘的利用率。同时，提手的旋转轴线平行于第一放置面和第二放置面，可以使提手相对于第一放置面和第二放置面翻转，进而可以使得提手的灵活度高，可以根据实际需求转动提手来拿取或放置托盘。
托盘组件

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