专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种气凝胶凝胶时间测定系统及测定方法-CN202310745317.7在审
  • 佟天白;任河;王利娜;刘梅 - 中国航发北京航空材料研究院
  • 2023-06-21 - 2023-10-27 - G01N11/14
  • 本发明公开了一种气凝胶凝胶时间测定系统,包括:测试装置和数据处理装置。其中,测试装置用于依次间隔预设时间,对多组样本溶液的粘度值进行测量,样本溶液为水解反应后的溶胶,并根据各个样本溶液在相应时间的粘度值,得到粘度时间离散点;数据处理装置通过拟合模型对各个粘度时间离散点拟合出粘度随时间变化曲线,并在粘度随时间变化曲线中,绘制出粘度增速最快点的切线与初始粘度点的水平延长线的交点,该交点对应的时间为临界凝胶点时间,粘度增速最快点对应的时间为体系失去流动性时间。本发明还公开了一种气凝胶凝胶时间测定方法。
  • 一种凝胶时间测定系统方法
  • [发明专利]用于调整硅化镍的电阻率的工艺整合方法-CN202310657384.3在审
  • 任河;于敏锐;梅裕尔·B·奈克 - 应用材料公司
  • 2018-06-12 - 2023-10-10 - H01L23/538
  • 本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中,一种用于沉积层的方法包括:将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上,所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材,所述镍靶材和硅靶材的面向基板部分各自具有从基板的面向靶材表面的在约10度与约50度之间的角度;使气体流动到处理腔室中;向镍靶材施加射频功率并且同时向硅靶材施加直流功率;分别从硅靶材和镍靶材同时地溅射硅和镍;并且在基板上沉积NixSi1‑x层,其中x在约0.01与约0.99之间。
  • 用于调整硅化镍电阻率工艺整合方法
  • [发明专利]用于调整硅化镍的电阻率的工艺整合方法-CN201880036646.1有效
  • 任河;于敏锐;梅裕尔·B·奈克 - 应用材料公司
  • 2018-06-12 - 2023-06-23 - H01L21/285
  • 本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中,一种用于沉积层的方法包括:将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上,所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材,所述镍靶材和硅靶材的面向基板部分各自具有从基板的面向靶材表面的在约10度与约50度之间的角度;使气体流动到处理腔室中;向镍靶材施加射频功率并且同时向硅靶材施加直流功率;分别从硅靶材和镍靶材同时地溅射硅和镍;并且在基板上沉积NixSi1‑x层,其中x在约0.01与约0.99之间。
  • 用于调整硅化镍电阻率工艺整合方法
  • [实用新型]一种建筑工程防水材料检测用夹具-CN202223214157.3有效
  • 任河;张海军;高旭;张虎跃 - 河北雄安中浩科检测服务有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-03-03 - B25B11/00
  • 本实用新型公开了一种建筑工程防水材料检测用夹具,包括底座,所述底座顶部表面的中心处横向开设有移动槽,所述移动槽的内腔横向设置有调节螺杆,所述调节螺杆的左侧贯穿底座并固定连接有调节转盘,所述调节螺杆外圈表面的左右两侧均螺纹套设有调节块,所述调节块的顶部固定连接有夹持装置,所述夹持装置包括调节板。本实用新型解决了现有的夹具在夹持防水工程材料时,只能进行水平方向的夹持,不能在夹持后对夹持角度进行调节,使得夹持后的防水材料只能是水平的,造成检测人员只能通过固定角度对防水材料进行检查,从而导致无法对防水材料进行细致观察,容易出现检查不准确的问题。
  • 一种建筑工程防水材料检测夹具
  • [发明专利]介电材料的填充和处理方法-CN202180028419.6在审
  • 尤适;任河;吉田尚美;尼古劳斯·贝基亚里斯;梅裕尔·奈克;马丁·杰·西蒙斯;梁静美;石美仪 - 应用材料公司
  • 2021-04-13 - 2022-11-25 - H01L21/768
  • 本文的多个实施方式提供了使用可流动化学气相沉积(FCVD)处理而沉积的低k介电层的基于氧的处理。FCVD沉积的低k介电层的基于氧的处理期望地增加了Ebd到装置的电容和可靠性,同时移除了孔隙。多个实施方式包括用于制造半导体装置的方法和设备,包括:蚀刻设置在基板的顶上的金属层,以形成具有顶表面、第一侧和第二侧的一条或多条金属线;在足以减少或消除与一条或多条金属线的氧接触的条件下,在顶表面、第一侧和第二侧的顶上沉积钝化层;在钝化层的顶上沉积足以覆盖一条或多条金属线的厚度的低k介电材料的可流动层;和在足以退火并增加低k介电材料的密度的条件下,使低k介电材料的可流动层与氧接触。
  • 材料填充处理方法

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