“龚岩芬”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果33个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置-CN201911141924.2有效
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;龚岩芬;王建太;庞超;胡诗犇 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置，涉及半导体器件制备技术领域。该巨量转移方法首先对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底的接触面积减小。接着，将微型发光二极管阵列远离原始基底的一侧与第一临时衬底结合。然后，再次对原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底剥离，去除原始基底。最后，通过第一临时衬底，将微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。如此，通过采用临时衬底固定微型发光二极管阵列与逐次腐蚀相结合的方式减少了微型发光二极管阵列巨量转移过程中发生丢失的概率，减小了位移误差，从而提升了良品率。
巨量转移方法显示装置制作方法

[发明专利]一种透明柔性Micro-LED显示系统及其制备方法-CN202011350999.4有效
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;王建太;庞超;胡诗犇;刘久澄;龚岩芬;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开一种透明柔性Micro‑LED显示系统，采用直立石墨烯作为互联电极。本发明采用直立石墨烯作为互联电极，提高互联电极应力作用下的稳定性与可靠性。同时，直立结构能充分利用石墨烯表面丰富的电子传输通道和散热通道，提高了纵向导电性能，减小器件工作电压。同时，本发明还公开一种所述透明柔性Micro‑LED显示系统的制备方法。
一种透明柔性 micro led 显示系统及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN202011513548.8有效
发明人：胡诗犇;龚政;庞超;龚岩芬;郭婵;王建太;潘章旭;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：在衬底上依次形成栅绝缘层和栅极层；对栅极层图案化形成栅极图案层；以栅极图案层作为掩膜层，对栅绝缘层图案化形成栅绝缘图案层。由于在对栅绝缘层进行图案化处理时是直接以栅极图案层作为其掩膜层，因此，经过图案化处理的栅绝缘图案层与其上边的栅极图案层上下位置对应，两者的边缘能够对齐，进而形成自对准结构，避免了现有为实现栅极图案层和栅绝缘图案层自对准时繁琐的工艺流程，提高了薄膜晶体管制备的效率。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法-CN202011123961.3有效
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;胡诗犇;王建太;庞超;龚岩芬;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法，涉及微器件转移领域。该转移膜包括基底层、吸水层和拾取层，吸水层的一侧与基底层连接，另一侧和拾取层连接，基底层用于在吸水层吸水后与吸水层分离；拾取层用于拾取微器件，并用于将微器件转移至待转移基底上。该转移膜能完成微器件的转移，既适用于微器件从平面基底到平面基底的转移，也适用于平面基底到曲面基底的转移，转移方法简单，效率高。
转移组件器件曲面方法

[发明专利]钙钛矿量子点的制备方法和钙钛矿量子点-CN202010639613.5有效
发明人：王建太;龚政;陈志涛;郭婵;潘章旭;龚岩芬;刘久澄 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿量子点的制备方法和钙钛矿量子点，涉及显示技术领域，通过将含有镓离子的金属盐、卤化铅基前驱体和铯基前驱体混合，并搅拌后形成镓离子掺杂的钙钛矿量子点，其中，钙钛矿量子点中镓离子的掺杂比例小于或等于5％，通过高价金属镓离子的掺杂，可以提高钙钛矿量子点中的自由载流子浓度，钝化表面缺陷，从而提高荧光量子效率和稳定性。
钙钛矿量子制备方法

[发明专利]薄膜晶体管的制作方法和显示装置-CN202011566630.7有效
发明人： 龚岩芬;龚政;胡诗犇;陈志涛;潘章旭;王建太;郭婵;庞超;刘久澄 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，涉及半导体领域。本申请提供的制作方法，通过在金属层上形成图形化的光刻胶。然后对去除了光刻胶的非遮挡区的金属层进行离子注入，增加非遮挡区中与遮挡区相邻的位置处的金属层的耐腐蚀性。这样使得后续进行腐蚀后，最终剩余的金属层所形成栅极的边缘具有平缓的斜坡，与基板的接触角比较小。在后续铺设栅极绝缘层之后，栅极绝缘层在铺设时厚度比较均匀，栅极的边缘与源极或者漏极之间不容易形成薄弱区域，从而降低了被击穿的风险，因此提高了薄膜晶体管的稳定性和寿命。显示装置包括了上述制作方法制得的薄膜晶体管，因此也具有性能稳定、寿命长的特点。
薄膜晶体管制作方法显示装置

[发明专利]芯片转移方法及装置-CN201911118002.X有效
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;龚岩芬;王建太;庞超 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请一种芯片转移方法及装置。提供一包括第一透明基板层以及掺杂有热发泡剂的第一光敏胶层的第一转移基板。将第一转移基板设置有第一光敏胶层的一面靠近设置有芯片阵列的衬底与芯片阵列贴合。通过预设波长的光线对第一光敏胶层进行照射，使得第一光敏胶层从芯片阵列粘取待转移芯片。将待转移芯片转移至目标转移位置，通过预设精度的热源对第一光敏胶层的预设位置进行照射，使得所述预设位置的热发泡剂的体积发生膨胀的同时，所述预设位置的粘性减小，所述预设位置的待转移芯片易于从所述第一光敏胶层脱落。如此，提高了对芯片进行选择性转移过程的精度，同时减少了转移材料的残留。
芯片转移方法装置

[发明专利]一种钙钛矿LED器件结构及其制备方法-CN201910716601.5有效
发明人：王建太;龚政;陈志涛;龚岩芬 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿LED器件结构及其制备方法，涉及半导体发光器件技术领域。钙钛矿LED器件结构的制备方法包括：在衬底上的阳极电极上依次沉积空穴注入层以及空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积钙钛矿发光层，其中，所述钙钛矿发光层包括卤化铅、卤化铯、卤化胺中的至少两种材料；在所述钙钛矿发光层上依次沉积电子传输层和阴极电极。钙钛矿LED器件结构及其制备方法能够适应需求调整钙钛矿材料的发光峰以及发光颜色。
一种钙钛矿 led 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种触摸显示装置的制造方法及触摸显示装置-CN201910030946.5有效
发明人： 龚岩芬;龚政;胡川;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明实施例涉及显示装置制造技术领域，具体而言，涉及一种触摸显示装置的制造方法及触摸显示装置，该方法采用“倒装”的方式，以玻璃盖板为基础，依次将触摸屏、微型LED阵列和薄膜晶体管背板进行贴合、集成和封装，能够避免光线在各层间反射造成的图像模糊或色彩失真，如此，能够改善触摸显示装置的显示效果。
一种触摸显示装置制造方法

[发明专利]一种微器件转移方法-CN202110695722.3在审
发明人：潘章旭;龚政;郭婵;刘久澄;龚岩芬;王建太;庞超;胡诗犇;邹胜晗;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请提供了一种微器件转移方法，涉及器件转移技术领域。首先基于一原始衬底制作多个微器件，其中，多个微器件呈阵列排布；再将转移器件的粘接脚与多个微器件对准并转移至目标衬底，其中，转移器件由形状记忆有机物材料制作而成；再对转移器件施加外部刺激，以使转移器件的粘接脚收回，且粘接脚与微器件分离。本申请提供的微器件转移方法具有效率高、良率高以及成本低的优点。
一种器件转移方法

[发明专利]补色LED器件和补色LED器件的制备方法-CN201910694497.4有效
发明人：王建太;龚政;陈志涛;卢翰伦;郭婵;龚岩芬;潘章旭;刘久澄 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种补色LED器件和补色LED器件的制备方法，涉及LED技术领域，该补色LED器件包括LED芯片和设置在LED芯片上的光转换层。其中，光转换层包含相互混合的纳米晶和补色剂。将补色剂与纳米晶相混合后涂覆在在LED芯片上形成光转换层，能够调节该补色LED器件的色温，可调形成一系列不同色温的白光LED器件，从而保证显示效果，提高白光器件的应用范围。
补色 led 器件制备方法

[发明专利]一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构-CN201910444580.6有效
发明人： 龚岩芬;龚政;陈志涛;王建太;郭婵;刘久澄;潘章旭;曾巧玉 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构，涉及半导体领域。通过基于一衬底制作图形化TFT器件的功能层与支撑结构，其中，功能层包括牺牲层，支撑结构连接于衬底与功能层，然后去除牺牲层，以通过支撑结构将图形化TFT器件的功能层支撑于衬底上方，最后将图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板，以形成TFT阵列。本申请提供的TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构具有能够制备高性能的电子元件及有效提高器件转移的成功率和良率的优点。
一种 tft 阵列制作方法转移器件结构

[发明专利]烘烤装置及电致发光器件基板的烘烤方法-CN201810343369.0有效
发明人： 龚岩芬;柳开郎 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种烘烤装置及电致发光器件基板的烘烤方法，该烘烤装置的顶针有多个，多个顶针穿过加热板以用于顶起待烘烤的基板，多个顶针至少分布于加热板的中部区域以及靠近加热板边缘的区域，且分布于靠近加热板边缘的区域的多个顶针绕加热板边缘成圈设置，这样在基板放置后，不仅在周边能够对基板形成稳定有效的支撑，在中部也能顶起基板，避免基板因重力作用发生翘曲，保证在烘烤过程中基板的各部分的受热均匀性，尤其是在烘烤过程中，基板的中部区域有支撑，可以降低高温对基板变形的影响，有利于提高成膜的均匀性，提高产品的良率。
烘烤装置电致发光器件方法

[发明专利]器件转移方法-CN202011576856.5在审
发明人：潘章旭;龚政;郭婵;龚岩芬;刘久澄;王建太;胡诗犇;庞超;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开了一种器件转移方法，涉及半导体技术领域。本申请的器件转移方法，利用水解胶层将第一衬底上的器件粘下来，然后将粘下来的器件贴合在第二衬底的粘附层上，以使水解胶层上粘附的器件与粘附层粘合，该粘附层具有不被水溶解和解粘的性质。最后将粘合于一体的临时衬底、第二衬底以及器件放入水中，水解胶层遇水溶解，临时衬底剥落，得到粘附有器件的第二衬底，完成器件的转移。本申请提供的器件转移方法利用水解胶作为转移粘附剂，可在转移后被完全清除，解决部分器件残留在临时衬底上的问题，提高了转移良率。并且水解胶可在临时衬底上大面积涂覆，能够实现大面积巨量转移，从而提高了器件转移效率。
器件转移方法

[发明专利]微LED结构和彩色显示装置-CN202011551204.6在审
发明人：刘久澄;龚政;郭婵;潘章旭;王建太;邹胜晗;龚岩芬;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种微LED结构和彩色显示装置，涉及显示技术领域。彩色显示装置包括多个所述微LED结构。微LED结构包括发光层、反射层和颜色选择层，其中，发光层至少包含电激发材料和/或光激发材料，以实现多波长激发，反射层位于发光层的一侧，颜色选择层位于发光层的另一侧，颜色选择层用于选择一种颜色的光透过。微LED结构运用到彩色显示装置中，可以兼容半导体工艺进行制备，无需采用昂贵的量子点打印设备以及复杂的巨量转移技术，生产效率和成品率较高。
led 结构彩色显示装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 33 条