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[发明专利]钛触点形成-CN202211480298.1在审
发明人： D·南迪;G·杜威;T·加尼;N·哈拉蒂普;M·J·科布林斯基;A·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：形成至硅锗(SiGe)的钛触点包括形成硅化钛层，其中通过在升高的温度下使硅烷(乙硅烷、丙硅烷等)流过钛层来提供用于硅化钛层的硅。硅化钛层可以帮助限制跨硅化钛‑硅锗界面可能发生的钛和锗相互扩散的量，这可以减少(或消除)在随后的退火和其他高温工艺期间SiGe层中空隙的形成。也可以经由硼和锗注入对SiGe层的其上形成钛层的表面进行预先非晶化，以进一步改善SiGe层抗微空隙形成的鲁棒性。所得到的钛触点是热稳定的，因为它们的电阻在经受下游退火和高温处理过程之后基本上保持不变。
触点形成

[发明专利]硅化钛接触部和低温、高锗、高硼SIGE:B PEPI-CN202211455280.6在审
发明人： D·南迪;C·邦伯格;D·兰卡斯特;G·杜威;S·K·帕蒂尔;M·J·科布林斯基;A·S·穆尔蒂;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开的发明名称是“硅化钛接触部和低温、高锗、高硼SIGE:B PEPI”。描述了具有受限外延源极或漏极结构的全环绕栅极集成电路结构。例如，集成电路结构包括子鳍上方的多个纳米线。栅极叠层在多个纳米线和子鳍之上。外延源极或漏极结构在多个纳米线的相对端上。外延源极或漏极结构包括：i）锗和硼的第一PMOS外延（pEPI）区域；ii）在接触部位置处、在第一pEPI区域上的硅、锗和硼的第二pEPI区域；iii）在第二pEPI区域上的硅化钛导电接触材料。
硅化钛接触低温 sige pepi

[发明专利]麦克风组件-CN201910454817.9有效
发明人： C·E·弗斯特;H·汤姆森;M·德吕京斯基;D·南迪;O·N·哈姆哈恩 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F1/324 文献下载
摘要：本公开涉及麦克风组件。具体地，该麦克风包括微机电系统(MEMS)电路和集成电路。所述MEMS电路被构造成将语音信号转换为电信号，并且所述集成电路耦接到所述MEMS电路并被构造成接收该电信号。所述集成电路和所述MEMS电路从外部主机接收时钟信号。所述时钟信号用于使所述MEMS电路和所述集成电路第一时间段在全系统操作模式下操作并且在第二时间段在操作的语音活动模式下操作。所述语音活动模式具有第一功率消耗，所述全系统操作模式具有第二功率消耗。所述第一功率消耗小于所述第二功率消耗。所述集成电路被构造成在检测到语音活动时产生中断并且向主机发送所述中断。
麦克风组件

[发明专利]具有富硅帽盖层的低温高锗高硼SiGe:B pEPI-CN202211011540.0在审
发明人： D·南迪;C·邦伯格;R·沙阿;G·杜威;N·哈拉蒂普;M·J·科布林斯基;A·S·默西;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有被限制的外延源极或漏极结构的全环栅集成电路结构。例如，一种集成电路结构，包括位于子鳍状物上方的多条纳米线。栅极堆叠体位于所述多条纳米线和所述子鳍状物之上。外延源极或漏极结构位于所述多条纳米线的相反末端上。所述外延源极或漏极结构包括：i)由锗和硼构成的第一PMOS外延(pEPI)区域，ii)在接触位置处位于所述第一pEPI区域上的由硅、锗和硼构成的第二pEPI区域，以及iii)位于第二pEPI区域之上的包含硅的帽盖层。包含钛的导电接触部材料位于该帽盖层上。
具有富硅帽盖层低温高锗高硼 sige pepi

[发明专利]用于热稳定性和低PMOS接触电阻率的利用锗和硼注入物预非晶化的富硅覆盖层-CN202211016764.0在审
发明人： D·南迪;M·J·科布林斯基;G·杜威;C-H·崔;H·W·肯内尔;B·J·克里斯特;A·阿利亚鲁昆朱;C·邦伯格;R·沙阿;R·米恩德鲁;S·M·塞亚;C·穆纳辛哈;A·S·默西;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有受限的外延源极或漏极结构的全环栅集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括在子鳍状物之上的多个纳米线。栅极堆叠体在多个纳米线和子鳍状物上方。外延源极或漏极结构在多个纳米线的相对端上。外延源极或漏极结构包括锗和硼、以及保护层，保护层包括至少部分地覆盖外延源极或漏极结构的硅和锗。包括硅化钛的导电触点在外延源极或漏极结构上。
用于热稳定性 pmos 接触电阻率利用注入物预非晶化覆盖层

[发明专利]用于改进的硅锗源极和漏极接触部的钛和硅的共沉积-CN202210579410.0在审
发明人： D·南迪;C-H·崔;G·杜威;H·肯内尔;O·萨阿达特;J·K·杰哈;A·奥尼;N·哈拉蒂普;A·默西;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：公开了为采用硅和锗源极和漏极材料的晶体管提供改进的接触电阻和接触界面稳定性的源极和漏极接触部、相关的晶体管结构、集成电路、系统和制作方法。这样的源极和漏极接触部包括位于硅和锗源极和漏极上的由共沉积的钛和硅构成的接触层。所公开的源极和漏极接触部提高了包括开关速度和可靠性在内的晶体管性能。
用于改进硅锗源极接触沉积

[发明专利]麦克风和在麦克风中实现的方法-CN201680010313.2有效
发明人： R·波佩尔;D·南迪;R·拉古维尔;S·乌图布;O·哈姆哈恩 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本公开涉及麦克风和在麦克风中实现的方法，具体地涉及一种麦克风系统，该麦克风系统包括：第一换能器，该第一换能器设置在第一麦克风处；第二换能器，该第二换能器设置在第二麦克风处，第一麦克风与第二麦克风物理地不同；抽取器，该抽取器设置在第二麦克风处，从第一换能器接收第一脉冲密度调制PDM数据，并且从第二换能器接收第二脉冲密度调制PDM数据，并且将第一脉冲密度调制PDM数据和第二脉冲密度调制PDM数据抽取并组合成组合脉冲编码调制PCM数据；以及插入器，该插入器设置在第二麦克风处，用于将组合脉冲编码调制PCM数据转换成组合脉冲密度调制PDM数据，并且向外部处理装置发送组合脉冲密度调制PDM数据。
麦克风实现方法

[发明专利]利用追赶缓冲器的麦克风设备和方法-CN201680040488.8有效
发明人： D·南迪;李杨;R·拉古维尔;R·A·鲍勃;A·帕夫洛夫斯基;K·S·贝特尔森;H·汤姆森;N·D·沃伦;戴维·P·罗苏姆 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：在麦克风处，在缓冲来自数据流的音频数据以创建缓冲数据的同时，在数据流中检测语音活动。向主机发送指示数据流中的语音活动的肯定检测的信号。当从主机接收到外部时钟信号时，麦克风的内部操作与外部时钟信号同步。通过第一路径选择性地发送缓冲数据流，第一路径包括缓冲器，缓冲器具有表示第一数据流移动通过所述缓冲器花费的时间的缓冲器延迟时间。通过第二路径将数据流连续地发送作为实时数据流，第二路径不包括缓冲器，实时数据流在给定时刻开始于扩展缓冲数据。缓冲数据流和实时数据流被多路复用到单条数据线上，并且将多路复用的数据流发送到主机。
利用追赶缓冲器麦克风设备方法

[发明专利]麦克风中的方法、麦克风组件、麦克风设备-CN201480072463.7有效
发明人：戴伟文;R·A·鲍勃;D·南迪;李杨;S·乌图布;C·E·弗斯特;H·汤姆森;T·卡西尔 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G10L25/78 文献下载
摘要：麦克风中的方法、麦克风组件、麦克风设备。所述模拟信号被转换成数字化数据。关于是否在所述数字化信号内存在话音活动的确定被做出。在检测到话音活动时，向处理装置发送话音活动的指示。所述指示跨越标准接口被发送，并且所述标准接口被配置为兼容与来自潜在不同的制造商的多个装置连接。
麦克风相应数字接口

[发明专利]麦克风-CN201580053409.2有效
发明人： J·尼尔森;A·S·莫滕森;R·R·拉尔森;R·波佩尔;D·南迪;J·米特嘉德 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H04R1/04 文献下载
摘要：麦克风。一种麦克风包括基座、设置在基座上的微机电系统(MEMS)装置、以及设置在基座上并耦接到MEMS装置的前端处理设备，该前端处理设备被配置为将从MEMS装置接收的模拟信号转换成数字信号。麦克风还包括DSP设备，该DSP设备是具有计算机存储器的数字编程装置，该DSP设备被配置为处理从前端处理设备接收的数字信号。MEMS装置、前端处理设备以及DSP设备被封装在单个麦克风外壳或组件内。在操作期间，DSP设备产生DSP噪声。DSP设备包括基本上防止DSP噪声到达或干扰MEMS装置或前端处理设备的操作的降噪结构。
声学捕捉装置中的信号处理平台

[发明专利]麦克风、麦克风系统及操作麦克风的方法-CN201480029545.3有效
发明人： C·E·弗斯特;H·汤姆森;M·德吕京斯基;D·南迪;O·N·哈姆哈恩 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H04R3/06 文献下载
摘要：本公开涉及麦克风、麦克风系统及操作麦克风的方法。具体地，该麦克风包括微机电系统(MEMS)电路和集成电路。所述MEMS电路被构造成将语音信号转换为电信号，并且所述集成电路耦接到所述MEMS电路并被构造成接收该电信号。所述集成电路和所述MEMS电路从外部主机接收时钟信号。所述时钟信号用于使所述MEMS电路和所述集成电路第一时间段在全系统操作模式下操作并且在第二时间段在操作的语音活动模式下操作。所述语音活动模式具有第一功率消耗，所述全系统操作模式具有第二功率消耗。所述第一功率消耗小于所述第二功率消耗。所述集成电路被构造成在检测到语音活动时产生中断并且向主机发送所述中断。
vad 检测麦克风及其操作方法

[发明专利]用于非线性和时变回波消除的参考麦克风-CN201580063355.8在审
发明人： D·南迪 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H04R3/02 文献下载
摘要：接收远端信号，该远端信号来自远端用户并在扬声器处被广播。确定用于回波传递函数的信号，并在如下信号之间选出该信号远端信号或从紧邻扬声器设置的近场麦克风接收到的回波参考信号。相比于扬声器信号，近场麦克风以可忽略的能级感测从扬声器广播的远端信号，同时感测近端语音和环境噪音。至少部分地基于所选信号来确定回波传递函数，并且该回波传递函数代表扬声器和远场麦克风之间的声路径的特性，该远场麦克风与近场麦克风相比，设置在距扬声器更远的距离处。至少部分地基于回波传递函数来确定估计回波。从由远场麦克风接收到的信号中减去所估计的回波，该减去步骤有效于消除在从远端麦克风接收到的信号中存在的回波。
用于非线性回波消除参考麦克风

[发明专利]低功率声学装置和操作方法-CN201580053474.5在审
发明人： S·乌图布;O·哈姆哈恩;D·南迪;M·沃克;R·波佩尔 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H04R1/08 文献下载
摘要：根据本公开的一个方面，一种操作声学系统的方法包括检测超声波信号，并且对接收到的超声波信号进行模式匹配，以确定接收到的超声波信号何时是希望的超声波信号。该方法包括在接收到的超声波信号是希望的超声波信号时，向至少一个电子组件发送信号。该方法包括在接收到的超声波信号不是希望的超声波信号时，按低功率状态来操作所述麦克风。
功率声学装置操作方法

[发明专利]VAD检测设备和操作该VAD检测设备的方法-CN201480068989.8在审
发明人： H·汤姆森;D·南迪 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：在处理装置处，接收来自第一麦克风的第一信号和来自第二麦克风的第二信号。第一信号指示在第一麦克风处语音信号是否已经被确定，并且第二信号指示在第二麦克风处语音信号是否已经被确定。当所述第一信号指示潜在的语音活动或者所述第二信号指示潜在的语音活动时，所述处理装置被激活以接收数据并且针对触发字所述数据被检查。当发现所述触发字时，信号被发送至应用处理器以进一步处理来自第一麦克风和第二麦克风中的一个或更多个的信息。当没发现触发字时，所述处理装置被重置成停用数据输入，并且允许第一麦克风和第二麦克风进入或维持操作的事件检测模式。
vad 检测设备操作方法

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