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[发明专利]半导体装置及电力变换装置-CN202310433327.7在审
发明人： 原田健司;曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供使半导体装置的散热性提高的半导体装置。还涉及电力变换装置。半导体装置具有如下特征，即，在俯视观察时具有IGBT区域(10)及二极管区域(20)各自被以直线状交替地配置的交替区域，在由俯视观察时沿交替区域的第1方向上的宽度各自具有大于或等于2种的IGBT区域(10)及二极管区域(20)构成的单元区域中，在交替区域，最靠近单元区域的中心的IGBT区域(10a)的第1方向上的宽度小于或等于其它IGBT区域(10)的第1方向上的宽度，最靠近单元区域的中心的二极管区域(20a)的第1方向上的宽度小于或等于其它二极管区域(20)的第1方向上的宽度。
半导体装置电力变换

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780082643.7有效
发明人：中田洋辅;赤尾真哉;原田健司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：半导体衬底(1)具有彼此相对的表面以及背面。栅极配线(2)以及第1及第2表面电极(3、4)形成于半导体衬底(1)的表面。第1及第2表面电极(3、4)通过栅极配线(2)而彼此分割开。绝缘膜(7)覆盖栅极配线(2)。电极层(8)跨过栅极配线(2)而形成于绝缘膜(7)以及第1及第2表面电极(3、4)之上。背面电极(9)形成于半导体衬底(1)的背面。第1镀敷电极(10)形成于电极层(8)之上。第2镀敷电极(11)形成于背面电极(9)之上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202310822279.0在审
发明人：曾根田真也;原田健司;中田洋辅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够兼顾热应力环境下的半导体装置的可靠性以及制造工序中的组装性的提高。在半导体装置的制造方法中，在半导体基板的一个主面，通过将第1导电膜堆积、图案化，从而形成第1电极，在第1电极之上，形成与第1电极所具有的图案对应的第1金属膜，在半导体基板的另一个主面，通过将第2导电膜堆积，从而形成第2电极，在第2电极之上，形成比第1金属膜薄的第2金属膜，分别在第1金属膜之上以及第2金属膜之上通过非电解镀而一起形成第3金属膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]电子锁控制方法、电子锁控制系统以及程序-CN202180089514.7在审
发明人：久井雅史;前田学;加藤辽;西田直央;原田健司;芳贺智之;海上勇二 -专利权人：松下电器（美国）知识产权公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： E05B49/00 文献下载
摘要：一种电子锁控制方法包括如下步骤：第一判断步骤，根据电子设备所生成的第一信息来判断电子锁(100)的周围的规定的区域中是否有人存在；第二判断步骤，在通过第一判断步骤判断为规定的区域中存在第一个人的情况下，根据与第一个人的移动有关的第二信息来判断第一个人是否为得到允许解开电子锁(100)的人；以及控制步骤，根据第二判断步骤的判断的结果，对电子锁(100)的上锁解锁的状态进行控制。
电子锁控制方法控制系统以及程序

[发明专利]分散液、组合物、密封部件、发光装置、照明器具、显示装置、分散液的制造方法及金属氧化物粒子的表面修饰方法-CN202180067125.4在审
发明人： 原田健司;伊藤智海;武田怜 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09C1/00 文献下载
摘要：本发明所涉及的分散液含有将甲基和苯基以规定比率进行表面修饰的金属氧化物粒子，对于对分散液进行真空干燥而获得的金属氧化物粒子，利用FT‑IR测定800cm‑1以上且3800cm‑1以下的波数范围的透射光谱，将所述透射光谱值标准化的情况下，满足IA/IB≤3.5，其中，IA是3500cm‑1下的标准化的光谱值，IB是1100cm‑1下的标准化的光谱值。
分散组合密封部件发光装置照明器具显示装置制造方法金属氧化物粒子表面修饰

[发明专利]分散液、组合物、密封部件、发光装置、照明器具、显示装置、分散液的制造方法及金属氧化物粒子的表面修饰方法-CN202180067117.X在审
发明人： 原田健司;伊藤智海;武田怜 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09C1/00 文献下载
摘要：本发明所涉及的分散液含有利用至少1种硅烷化合物进行表面修饰的金属氧化物粒子和溶剂，硅烷化合物含有甲基或甲基及碳原子数为2以上的烃基，在对于通过真空干燥对分散液进行干燥而获得的金属氧化物粒子，利用傅立叶变换式红外分光光度计测定800～3800cm‑1的波数范围的透射光谱，以所述范围内的所述透射光谱的最大值成为100、最小值成为0的方式将所述透射光谱值标准化的情况下，满足以下式(1)。IA/IB≤3.5(1)。
分散组合密封部件发光装置照明器具显示装置制造方法金属氧化物粒子表面修饰

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910031363.4有效
发明人：曾根田真也;原田健司;中田洋辅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够兼顾热应力环境下的半导体装置的可靠性以及制造工序中的组装性的提高。在半导体装置的制造方法中，在半导体基板的一个主面，通过将第1导电膜堆积、图案化，从而形成第1电极，在第1电极之上，形成与第1电极所具有的图案对应的第1金属膜，在半导体基板的另一个主面，通过将第2导电膜堆积，从而形成第2电极，在第2电极之上，形成比第1金属膜薄的第2金属膜，分别在第1金属膜之上以及第2金属膜之上通过非电解镀而一起形成第3金属膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]分散液、组合物、密封部件、发光装置、照明器具、显示装置、分散液的制造方法及金属氧化物粒子的表面修饰方法-CN202180067126.9在审
发明人： 原田健司;伊藤智海;武田怜 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C08K9/06 文献下载
摘要：本发明所涉及的分散液含有利用含有甲基和碳原子数为2以上的烃基的至少1种硅烷化合物和至少1种硅酮化合物进行表面修饰的金属氧化物粒子，对于对分散液进行真空干燥而获得的金属氧化物粒子，利用FT‑IR测定800cm‑1以上且3800cm‑1以下的波数范围的透射光谱，将所述透射光谱值标准化的情况下，满足以下式(1)：IA/IB≤3.5(1)。“IA”是3500cm‑1下的标准化的光谱值，“IB”是1100cm‑1下的标准化的光谱值。
分散组合密封部件发光装置照明器具显示装置制造方法金属氧化物粒子表面修饰

[外观设计]轨道盘玩具-CN202130227338.1有效
发明人：高城雄太;原田健司 -专利权人：株式会社多美
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： 21-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：轨道盘玩具。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于形态可变化的轨道盘玩具，并且可与其他轨道玩具连接使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.参考图1~3中施加红色的部分为透明；使用状态参考图中，A为盖部，B为门部，C为轨道部，D为主体部，E和F为其他轨道玩具。
轨道玩具

[发明专利]分散液、组合物、密封部件、发光装置、照明器具、显示装置及分散液的制造方法-CN202180024588.2在审
发明人：伊藤智海;原田健司;大塚刚史 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明所涉及的分散液含有由硅烷化合物和硅酮化合物进行了表面修饰的金属氧化物粒子，对于使分散液真空干燥而得到的金属氧化物粒子，在利用FT‑IR测定800cm‑1以上且3800cm‑1以下的波数范围的透射光谱时，满足IA/IB≤3.5(IA是3500cm‑1下的光谱值，IB是1100cm‑1下的光谱值)，以金属氧化物粒子和表面修饰材料的合计质量与甲基苯基硅酮的质量比成为30:70的方式将分散液和甲基苯基硅酮进行混合，去除疏水性溶剂时的粘度为9Pa·s以下。
分散组合密封部件发光装置照明器具显示装置制造方法

[发明专利]排出玩具-CN202110546283.X在审
发明人：高城雄太;原田健司 -专利权人：株式会社多美
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： A63H17/44 文献下载
摘要：本发明提供一种在排出汽车玩具时演出效果高的排出玩具。排出玩具具备螺旋状斜坡和包围螺旋状斜坡的围绕体，在螺旋状斜坡上设置有卡止最下方的所述汽车玩具而阻止汽车玩具的移动的卡止部，多台汽车玩具能够沿着轨道载置，在围绕体上设置有将汽车玩具向外部排出的第一排出口，并且在通过旋转而第一排出口与所述螺旋状斜坡的下端部一致时，解除基于所述卡止部的卡止而使汽车玩具从第一排出口排出。
排出玩具

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202210071008.1在审
发明人：池田宗谦;新田哲也;原田健司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供抑制了耐压降低的半导体装置及半导体装置的制造方法。IGBT区域(10)具有：n型载流子积蓄层(2)，其与n‑型漂移层(1)接触而设置于n‑型漂移层(1)的第1主面(1a)侧，与n‑型漂移层(1)相比n型杂质浓度高；p型基极层(15)，其设置于n型载流子积蓄层(2)和1主面(1a)之间；n+型的发射极层(13)，其选择性地设置于p型基极层(15)的表层部；以及栅极电极(11a)，其设置为隔着绝缘膜与n+型发射极层(13)及p型基极层(15)相对，二极管区域(20)具有p型阳极层(25)，其设置于n‑型漂移层(1)和第1主面(1a)之间，并设置于距离第1主面(1a)的深度比n型载流子积蓄层(2)和n‑型漂移层(1)的边界深的位置为止。
半导体装置制造方法

[发明专利]不正当通信检测方法、不正当通信检测装置及程序-CN202180005389.7在审
发明人：前田学;芳贺智之;海上勇二;西田直央;久井雅史;田原整;原田健司;藏野隆 -专利权人：松下电器(美国)知识产权公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：不正当通信检测方法，检测将包括第一设备及第二设备的2个以上的设备能够相互通信地连接的设施内网络中的不正当的通信消息的不正当通信检测方法，从第一设备接收待从第一设备向第二设备发送的通信消息(S3001)；在从第一设备接收到通信消息的情况下，取得表示处于设施中的人及2个以上的设备中的至少1个的状态的第一信息，并且，在从第一设备接收到的通信消息是包含控制第二设备的设备控制命令的通信消息的情况下，基于第一信息，判定是否执行关于设备控制命令的处理(S3006)；在判定为执行关于设备控制命令的处理的情况下，执行处理(S3008)。
不正当通信检测方法装置程序

[发明专利]半导体装置-CN202111105778.5在审
发明人：曾根田真也;原田健司;大塚翔瑠 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，其目的在于，在RC‑IGBT中确保动作区域，并且降低恢复损耗。在RC‑IGBT(100、101)的俯视观察时，边界区域(50)的单位面积中的n+型源极层(13)的占有比率比IGBT区域(10)的单位面积中的n+型源极层(13)的占有比率小，边界区域(50)的单位面积中的p+型接触层(14)的占有比率比IGBT区域(20)的单位面积中的p+型接触层(14)的占有比率小。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110836558.3在审
发明人： 原田健司;大塚翔瑠;大木博文 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供减少元件损坏的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、晶体管区域、二极管区域、边界沟槽栅极以及载流子控制区域。边界沟槽栅极设置于晶体管区域与二极管区域之间的边界部。载流子控制区域被作为半导体基板的表层而设置于比位于边界沟槽栅极与沟槽栅极之间的源极层更靠近边界沟槽栅极处。该载流子控制区域所包含的第1导电型的杂质浓度比源极层所包含的第1导电型的杂质浓度高，或者，该载流子控制区域所包含的第2导电型的杂质浓度比源极层所包含的第2导电型的杂质浓度低。
半导体装置

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