[发明专利]电容器和制备电容器的方法有效

专利信息
申请号: 201880002918.6 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN111615751B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 陆斌;沈健 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: H01L29/92 分类号: H01L29/92
代理公司: 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 代理人: 孙涛;毛威
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请实施例公开了一种电容器和制备电容器的方法。所述电容器包括:电极层,包括相互分离的第一电极和第二电极;叠层结构,包括n层电介质层和n+1层导电层,所述n层电介质层和所述n+1层导电层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构,所述叠层结构形成至少两个柱状结构,n为正整数;互联结构,用于将所述n+1层导电层中的奇数层导电层电连接至所述第一电极,将所述n+1层导电层中的偶数层导电层电连接至所述第二电极。本申请实施例的技术方案,能够提高电容器的容值密度。
搜索关键词: 电容器 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市汇顶科技股份有限公司,未经深圳市汇顶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880002918.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 隔离电容、隔离通信电路-202310753607.6
  • 尹健;林晓伟;祝靖;李海松 - 无锡芯朋微电子股份有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-10-27 - H01L29/92
  • 本发明公开了一种隔离电容、隔离通信电路,该隔离电容包括:P型衬底(100)、位于衬底之上的N型埋层(101),位于N型埋层(101)之上的深N阱(102)和P阱(103),位于P阱(103)上的第一电极(107)和第二电极(108),位于P阱(103)和第一电极(107)之间的第一介质层(112),位于第一电极(107)和第二电极(108)之间的第二介质层(113)。利用本发明方案,可以降低高压电容所引起的寄生电容,从而降低高压隔离电路的设计难度,提高电路的可靠性。
  • 电容器、其制造方法及其使用方法-202310733657.8
  • 马俊;邹文松 - 南方科技大学
  • 2023-06-20 - 2023-07-25 - H01L29/92
  • 本发明提供了一种电容器、其制造方法及其使用方法,电容器包括承载结构、异质结堆叠结构、第一电极和第二电极,异质结堆叠结构连接于承载结构,异质结堆叠结构包括多个相互层叠的异质结,每一异质结包括势垒层和沟道层,同一异质结中:势垒层和沟道层相互层叠从而在沟道层中形成二维电子气,沟道层位于势垒层背对承载结构的一侧;第一电极和第二电极连接于异质结堆叠结构背对承载结构的一侧表面;异质结堆叠结构还可以具有鳍状结构。该电容器具有多个导电沟道,电容器的电阻较小,电容器的Q值较高;而且,通过改变电容器两端的电压,可以改变电容器的电容。
  • 基于MIM电容的半导体器件-202320042892.6
  • 李文武;杨金权 - 江苏润石科技有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-04-07 - H01L29/92
  • 本申请提供了一种基于MIM电容的半导体器件,包括:衬底;及在衬底上的至少三个金属层;其中,至少三个金属层包括第一金属层、第二金属层和第三金属层,第一金属层为导线走线层,第二金属层为屏蔽层,第三金属层包括第一子层和第二子层,且第一子层和第二子层在第三金属层所在的层上不连接;及MCT中间层,设于第二金属层和第三金属层之间,MCT中间层包括第一联接点和第二联接点,MCT中间层在第一联接点处通过第一通孔电连接于所述第一子层,并在第二联接点处通过第二通孔电连接于第二子层。本申请通过对MCT中间层的改进,实现了一种在MIM电容之间的薄膜电阻器,提高了半导体器件的集成度,节省了面积。
  • 电容器和制备电容器的方法-201880002918.6
  • 陆斌;沈健 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2018-12-25 - 2023-02-28 - H01L29/92
  • 本申请实施例公开了一种电容器和制备电容器的方法。所述电容器包括:电极层,包括相互分离的第一电极和第二电极;叠层结构,包括n层电介质层和n+1层导电层,所述n层电介质层和所述n+1层导电层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构,所述叠层结构形成至少两个柱状结构,n为正整数;互联结构,用于将所述n+1层导电层中的奇数层导电层电连接至所述第一电极,将所述n+1层导电层中的偶数层导电层电连接至所述第二电极。本申请实施例的技术方案,能够提高电容器的容值密度。
  • 集成电路以及其制作方法-202210676308.2
  • 邱久容;林宏展;陈禹钧 - 蓝枪半导体有限责任公司
  • 2017-07-28 - 2022-09-09 - H01L29/92
  • 本发明公开一种集成电路以及其制作方法。该集成电路包括第一绝缘层、底板、第一图案化介电层、中板、第二图案化介电层与上板。第一图案化介电层设置于底板上。中板设置于第一图案化介电层上。部分的底板、至少部分的第一图案化介电层与至少部分的中板设置于贯穿第一绝缘层的第一沟槽中。底板、第一图案化介电层与中板构成第一金属‑绝缘层‑金属电容器。第二图案化介电层设置于中板上。上板设置于第二图案化介电层上。中板、第二图案化介电层与上板构成第二金属‑绝缘层‑金属电容器,且底板与上板电连接。
  • 一种基于集成电路进行多层并联的电容-202210185563.7
  • 曾繁中;张汝京;邹才明 - 宁波芯恩半导体科技有限公司
  • 2022-02-28 - 2022-06-10 - H01L29/92
  • 本发明公开了一种基于集成电路进行多层并联的电容,包括若干并联的电容和基板,所述电容设置于基板上方构成第一并联电容,所述电容设置于基板中构成第二并联电容;所述电容包括端电极、内电极、介质、金属通孔,所述端电极包括第一端电极和第二端电极,所述内电极包括若干层;所述第一金属通孔设置于第一端电极顶部,所述第二金属通孔设置于第二端电极顶部;本发明采用将基板做成PN结电容、MOS电容,接着做多层的大电容,集成在一起,同时改善高频低频特性;集成电路工艺机械应力很小,半导体平面工艺,均匀性好,性能稳定,多层并联,适合制作大电容,大的电容一般高频性能不好,而小容量电容则刚好相反,具有很好的高频性能。
  • 半导体装置及其制造方法-201611115520.2
  • 桑泽和伸;佐久间盛敬;新田博明;関泽充生;远藤刚廣 - 精工爱普生株式会社
  • 2016-12-07 - 2021-08-10 - H01L29/92
  • 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置混装有具有所需的击穿电压的齐纳二极管或减少了电容的电压依赖性的电容器,从而能够实现多样的电路。该半导体装置具备:半导体层;第一导电型的阱,其被配置在半导体层的第一区域内;第一导电型的第一杂质扩散区,其被配置在阱中;第一导电型的第二杂质扩散区,其被配置在半导体层的第二区域内;绝缘膜,其被配置在第二杂质扩散区上;电极,其被配置在绝缘膜上;第二导电型的第三杂质扩散区,其被配置在至少第一杂质扩散区上。
  • 一种横向结构的半导体异质结变容管装置-201810142411.2
  • 曾建平;李倩;安宁;谭为 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
  • 2018-02-11 - 2021-02-26 - H01L29/92
  • 本发明提供了一种横向结构的半导体异质结变容管装置,旨在解决现有金属电极不与异质结的二维电子气形成直接的肖特基接触导致结电容、串联电阻过大和器件频率太低的问题。本发明包括衬底、缓冲层半导体、异质结半导体结构、帽层半导体、介质层、金属阳极和金属阴极;质结半导体结构均由沟道层和势垒层组成,沟道层上存在有二维电子气;异质结半导体结构上表面开设有凹槽,金属阳极和金属阴极分别位于不同的凹槽内,金属阳极和金属阴极均与凹槽侧壁形成肖特基接触。金属阳极和金属阴极均与异质结半导体结构的二维电子气形成一维肖特基接触的横向结构变容管,大幅降低了变容管的零偏电容和串联电阻,并显著提高了电容的非线性,提升器件高频特性。
  • 电容器结构及其制造方法-201510322889.X
  • 车行远;薛杏岚 - 力晶科技股份有限公司
  • 2015-06-12 - 2019-04-16 - H01L29/92
  • 本发明公开一种电容器结构及其制造方法,该电容器结构包括:基底、介电层、第一导体层以及杯状电容器。介电层位于基底上。第一导体层位于介电层中。杯状电容器贯穿第一导体层且位于介电层中。杯状电容器包括下电极、电容介电层以及上电极。下电极的两侧壁与第一导体层电连接。电容介电层覆盖下电极的表面。上电极覆盖电容介电层的表面。电容介电层配置在上电极与下电极之间。下电极的顶面低于上电极的顶面。本发明另提供一种电容器结构的制造方法。
  • 电容阵列-201610471343.5
  • 廖望;高炜祺;雷郎成;刘虹宏;赵思源;苏晨;刘文喆 - 中国电子科技集团公司第二十四研究所
  • 2016-06-23 - 2019-01-29 - H01L29/92
  • 本发明提供一种电容阵列,包括多个并联的电容结构,该电容结构包括上极板和下极板,其中上极板包括主上极板和次上极板,主上极板与公共端连接,次上极板接地,且主上极板与下极板构成主电容,次上极板与下极板构成次电容,针对每个电容结构,其主上极板与次上极板的面积之和均等于单位电容的上极板面积,或者其主电容与次电容的电容值之和均等于单位电容值。本发明通过在SAR ADC的电容阵列中采用上述电容结构,可以解决SAR ADC在使用多个电容值大小不同的电容结构时存在的电容失配问题。
  • 一种金属-绝缘体-金属电容结构-201410114832.6
  • 张贺丰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-03-25 - 2018-12-21 - H01L29/92
  • 本发明涉及一种金属‑绝缘体‑金属电容结构,包括上极板、下极板以及位于所述上极板和所述下极板之间的电介质,其中所述上极板和所述下极板为具有多个间隔设置部分的非平面板状结构。其中所述电容结构选用金属层‑绝缘层‑金属层的结构,在所述结构中所述上极板和所述下极板不再选用大面积的板状结构,而是由多个部分相互连接而成,从而避免了在所述电容上方形成介电层时形成山脊状突起(hill‑shape)的问题,而且所述多个部分之间相互间隔设置,在所述电容结构的上方形成层间介电层时不会形成凸起,在形成通孔或者其他图案时不会引起缺陷,可以提高器件的良率。
  • 电容及其制造方法-201810696241.2
  • 孔蔚然;钱文生 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2018-06-29 - 2018-11-23 - H01L29/92
  • 本发明公开了一种电容,包括:第一导电类型的半导体衬底;沟槽,形成于半导体衬底中;半导体柱,由填充于沟槽中的第二导电类型的半导体材料组成;半导体柱在所述沟槽的侧面处和所述半导体衬底相接触并沿所述沟槽的侧面形成纵向PN结,纵向PN结作为电容的组成部分,纵向PN结作为电容的电容密度调节结构且是利用纵向PN结所具有的横向尺寸无关的特性来调节电容的电容密度。本发明还公开了一种电容的制造方法。本发明能提高电容密度,为集成电路提供高密度电容。
  • 一种三维立体高密度薄膜积层电容及其制备方法-201510604366.4
  • 丰立贤;薛松生;沈卫锋 - 江苏多维科技有限公司
  • 2015-09-21 - 2018-10-16 - H01L29/92
  • 本发明公开了一种三维立体高密度薄膜积层电容,包括一基片、绝缘薄膜、多层电容功能层薄膜、绝缘层、绝缘钝化层、金属连接层、电极板;多层电容功能层薄膜上覆盖有一绝缘钝化层,电极板分别与电容器各导电板薄膜相连接。本发明还公开了上述电容的制备方法,通过对基片进行刻蚀,沉积绝缘层、电容功能层绝缘钝化层等步骤制备三维立体高密度薄膜积层电容。本发明的工艺简单,不需多次光刻即可形成多层电容薄膜器件;对薄膜层数无限制,理想状况下,只要电容器尺寸足够大,电容功能层薄膜层数可为任意有限数,而成本不显著增加;可调节各薄膜使其多在纵向空间分布,可极大缩小电容器尺寸;器件由半导体薄膜工艺制作,环境耐受性、可靠性高。
  • 一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构-201810142683.2
  • 曾建平;安宁;李倩;谭为 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
  • 2018-02-11 - 2018-08-03 - H01L29/92
  • 本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构,旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础,导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置,包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层、第一层低掺杂层、宽禁带的势垒层、第二层低掺杂层和第二层重掺杂导电层;第一层低掺杂层、宽禁带的势垒层和第二层低掺杂层形成异质结势垒结构。外延结构包括金属阳极、金属阴极和上述GaN基异质结变容管装置;金属阳极和金属阴极之间存在凹槽,凹槽的底部为第一层重掺杂导电层。本发明功率特性较好,不会限制倍频源的输出功率特性,可以实现大功率应用,可以用于大功率输入奇次倍频电路。
  • 半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置-201210426774.1
  • 杨俊平;张大鹏 - 天钰科技股份有限公司
  • 2012-10-31 - 2018-05-22 - H01L29/92
  • 本发明涉及一种半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置。该半导体电容包括:下电极板,该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区,该电容井区与该扩散区均具有第一导电型,且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度;绝缘层,该绝缘层设置于该下电极板上;及上电极板,该上电极板设置于该绝缘层上;其中,该电容井区包括第一子井区,该第一子井区至少为该电容井区的部分区域,该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度,以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70%。该半导体电容以及具有该半导体电容的半导体装置的工作性能较好。
  • 自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容-201410360940.1
  • 赵利川;李昱东;闫江 - 中国科学院微电子研究所
  • 2014-07-25 - 2018-04-06 - H01L29/92
  • 本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法,包括步骤提供待刻蚀层;刻蚀待刻蚀层,以形成第一孔槽;进行叠层的淀积,所述叠层至少包括三层材料层,且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性;进行平坦化,直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除;根据刻蚀选择性,在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层,以形成第二孔槽。本发明可以灵活调节孔槽的尺寸,易于刻蚀、质量高且成本低。
  • 金属‑氧化物‑金属电容器-201210587585.2
  • 张炯;金之杰;伊藤明 - 安华高科技通用IP(新加坡)公司
  • 2012-12-28 - 2018-03-27 - H01L29/92
  • 本发明涉及金属‑氧化物‑金属电容器。半导体结构可实现金属‑氧化物‑金属电容器。当设计规则从一层至下一层改变时,结构可改变电容器的交叉板的方向。例如,当金属化宽度或间隔设计规则从层M3变化至层M4时,相比于M4,该结构可以使得电容器迹线在M3上在不同的方向(例如,垂直于彼此)上延伸。在遵循相同设计规则的层中,例如,层M1、M2以及M3,该结构可以使得电容器迹线在层M1、M2以及M3中在相同的方向上延伸。以这种方式,电容器迹线很大程度地重叠而不会在具有相同设计规则的层上未对准,并且该结构避免了当设计规则变化时电容器迹线的未对准。
  • 变容器-201310516070.8
  • 李思翰;曾珮玲;林哲辉;林志昇 - 财团法人工业技术研究院
  • 2013-10-28 - 2018-03-09 - H01L29/92
  • 本发明揭露一种变容器。一基底具有第一表面与第二表面以及位于上述基底的第一开口以及第二开口。一导电材料填充于上述第一与第二开口,以分别形成一第一晶圆穿孔以及一第二晶圆穿孔。一第一电容耦接于上述第一晶圆穿孔以及一第一端点之间。一第二电容耦接于上述第二晶圆穿孔以及一第二端点之间。上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔之间的一空乏区电容的电容值是由施加于上述第一以及第二晶圆穿孔的一偏压电压所决定。
  • 高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器-201410187531.6
  • 花长煌;劭耀亭;许政庆;朱文慧 - 稳懋半导体股份有限公司
  • 2014-05-06 - 2017-12-05 - H01L29/92
  • 本发明提供一种高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器,应用于复合半导体集成电路,包括一基板、一隔离层、一第一金属层、一介电材料层、一粘合层以及一第二金属层;其中介电材料层是由复数层二氧化铪(HfO2)层与复数层二氧化硅(SiO2)层交替堆叠而成,复数层二氧化铪层的每一层的厚度大于30Å且小于100Å,借此使得复数层二氧化铪层的每一层的二氧化铪的漏电流降低以及崩溃电压提高且同时保有高电容密度;且由复数层二氧化铪层与复数层二氧化硅层交替堆叠而成的介电材料层的厚度大于500Å,借此使得电容器的崩溃电压提高至50V以上。
  • 半导体装置-201380014865.7
  • 栉田知义;榊裕之;大森雅登 - 丰田自动车株式会社;学校法人丰田学园
  • 2013-03-14 - 2017-03-08 - H01L29/92
  • 一种半导体装置(10),包括层叠结构(100),所述层叠结构(100)包括具有第一接合部(151、153)和第二接合部(152、154)的双接合结构,在第一接合部(151、153)处宽带隙层(102、104)和窄带隙层(101、103、105)彼此层叠,在第二接合部(152、154)处窄带隙层(101、103、105)和宽带隙层(102、104)彼此层叠;以及接合至层叠结构中的每一层的电极半导体层(110、120)。每个双接合结构均包括由具有负固定电荷的第一区(131、133)和具有正固定电荷的第二区(132、134)构成的对。第一区较靠近第一接合部而较不靠近宽带隙层的中心。第二区较靠近第二接合部而较不靠近宽带隙层的中心。在每个接合部处均形成2DEG或2DHG。半导体装置用作电能存储设备例如电容器。
  • 一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构与方法-201310627799.2
  • 郑雪峰;范爽;郝跃;王冲;孙伟伟 - 西安电子科技大学
  • 2013-11-27 - 2017-01-11 - H01L29/92
  • 本发明公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构与方法,结构包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容;每个电容为两端结构,包含一个栅电极和一个欧姆电极;第一个电容的栅电极半径为R1;第二个电容的肖特基栅为环形,栅的外环半径为R1,内环半径为0.707R1;两个肖特基电容的栅极‑欧姆电极之间的距离相同,均为(R2‑R1)。方法:使用常规的半导体参数测试设备进行测量,通过分别对两个电容进行一次电学测试,就可以实现HEMT器件栅泄漏电流中体泄漏电流与表面泄漏电流的定量分离。本发明具有结构和方法简单、结果可靠的特点,能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。
  • 多晶硅电容及制造方法-201510257420.2
  • 贺冠中 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
  • 2015-05-19 - 2017-01-04 - H01L29/92
  • 本发明涉及一种多晶硅电容及制造方法,其中方法包括:在不掺杂的多晶硅层的底层注入导电杂质,形成多晶硅电容的低阻值的下极板,在不掺杂的多晶硅层的中层注入绝缘杂质,形成多晶硅电容的绝缘介质层,在不掺杂的多晶硅层的上层注入所述导电杂质,形成多晶硅电容的低阻值的上极板,形成多晶硅电容,只需要生成一层多晶硅层,从而缩短了制造时间,降低了制造成本,减少了多晶硅电容的厚度。
  • 金属氧化物金属电容器结构-201280030072.X
  • S·苏塔德雅 - 马维尔国际贸易有限公司
  • 2012-05-08 - 2016-10-19 - H01L29/92
  • 一种金属氧化物金属(MOM)电容器包括以集成电路的多个金属层和多个过孔层限定的外导电结构,包括第一相对侧壁、第二相对侧壁、具有第一开口和第二开口的腔,以及在第一相对侧壁中的开口。以集成电路的多个金属层和多个过孔层限定内导电结构。内导电结构被布置在外导电结构的腔中并且包括主体部,以及从主体部通过第一相对侧壁中的开口延伸的导电延伸部。氧化物被布置在外导电结构和内导电结构之间。
  • 电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法-201610571751.8
  • 吕耀安 - 无锡宏纳科技有限公司
  • 2016-07-20 - 2016-09-21 - H01L29/92
  • 本发明公开了一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法,包括以下步骤:在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物;在第一硅氧化物上表面覆盖一层光刻胶;之后进行光刻过程,在光刻胶上刻蚀出电容沟槽的开口;使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程,生成电容沟槽;对沟槽进行重掺杂过程,形成重掺杂硅;在重掺杂硅上生长第二硅氧化物;在第二硅氧化物之上、电容沟槽中,生长多晶硅。在相同的沟槽深度下,本发明所述的方法制作出来的电容结构,电容面积大于现有技术,由基本的电路的原理中的电容定义可知,本发明的电容数值更大。
  • 一种三维立体高密度薄膜积层电容-201520732193.X
  • 丰立贤;薛松生;沈卫锋 - 江苏多维科技有限公司
  • 2015-09-21 - 2016-02-24 - H01L29/92
  • 本实用新型公开了一种三维立体高密度薄膜积层电容,包括一基片、绝缘薄膜、多层电容功能层薄膜、绝缘层、绝缘钝化层、金属连接层、电极板;多层电容功能层薄膜上覆盖有一绝缘钝化层,电极板分别与电容器各导电板薄膜相连接。本实用新型的工艺简单,不需多次光刻即可形成多层电容薄膜器件;对薄膜层数无限制,理想状况下,只要电容器尺寸足够大,电容功能层薄膜层数可为任意有限数,而成本不显著增加;可调节各薄膜使其多在纵向空间分布,可极大缩小电容器尺寸;器件由半导体薄膜工艺制作,环境耐受性、可靠性高。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top