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[发明专利]高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器-CN201410187531.6有效
发明人：花长煌;劭耀亭;许政庆;朱文慧 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2014-05-06 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提供一种高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器，应用于复合半导体集成电路，包括一基板、一隔离层、一第一金属层、一介电材料层、一粘合层以及一第二金属层；其中介电材料层是由复数层二氧化铪（HfO2）层与复数层二氧化硅（SiO2）层交替堆叠而成，复数层二氧化铪层的每一层的厚度大于30Å且小于100Å，借此使得复数层二氧化铪层的每一层的二氧化铪的漏电流降低以及崩溃电压提高且同时保有高电容密度；且由复数层二氧化铪层与复数层二氧化硅层交替堆叠而成的介电材料层的厚度大于500Å，借此使得电容器的崩溃电压提高至50V以上。
崩溃电压金属绝缘体电容器

[发明专利]探针卡、探针结构及其制造方法-CN201410084426.X在审
发明人：叶书政;杜明昌;吴若璋;欧惠美;许政庆 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明提出一探针结构，其包含：一金属探针、一软性绝缘管及一金属层。金属探针具有相对设置的一第一端部及一第二端部，而第一端部具有一尖端；软性绝缘管具有一贯穿孔，金属探针部分地插置于贯穿孔中，而金属探针的尖端伸出于贯穿孔之外；金属层涂布于软性绝缘管的一外缘面上，且与金属探针相电隔离，并具有一不大于十微米的厚度。借此，探针结构可同时具有良好的弹性及信号完整性。本发明另提出一探针卡，其包含多个上述的探针结构。本发明又提出一探针结构的制造方法，用以制造上述的探针结构。
探针结构及其制造方法