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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]内存结构-CN201910110946.6在审
发明人：黄彬杰;林晓珮;李世平 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种内存结构，其包括第一晶体管、第二晶体管与电容器。第一晶体管包括第一栅极与位于第一栅极的两侧的第一掺杂区与第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区在第一方向上排列。第二晶体管包括第二栅极与位于第二栅极的两侧的第三掺杂区与第四掺杂区。第二掺杂区与第三掺杂区位于第一栅极与第二栅极之间。第二掺杂区与第三掺杂区在第二方向上排列。第二方向与第一方向相交。电容器耦接至第二掺杂区与第三掺杂区。
内存结构

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910096741.7在审
发明人：廖宏魁;刘振强;时国昇;施咏尧;徐铭聪 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件的制造方法包括：在一半导体基底上形成多条闪存存储器结构，每个所述闪存存储器结构包括形成于所述半导体基底上的浮置栅极以及形成于所述浮置栅极上的控制栅极；在所述多条闪存存储器结构之间形成至少一假接触窗；在所述假接触窗的表面共形地形成一衬层；在所述半导体基底上全面地形成一内层介电层，以覆盖所述假接触窗，并于所述假接触窗与所述闪存存储器结构之间形成至少一空气间隙；平坦化所述内层介电层，直到露出所述假接触窗的顶部；移除所述假接触窗，以形成接触窗开口；以及于所述接触窗开口内形成导电材料。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]晶片的标记方法、晶圆及晶片-CN201910058383.0在审
发明人：车行远;吕景元;吕美蓉 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶片的标记方法，包括以下步骤。提供晶圆，其中晶圆包括多个晶片。在晶圆上划分出多个曝光区，其中每个曝光区对应到多个晶片中的至少一个。利用第一掩膜形成每个晶片中的第一坐标轴上的多个第一符号与第二坐标轴上的多个第二符号。利用第二掩膜与重迭偏移的曝光方式形成每个曝光区的每个晶片中的代表曝光区坐标的坐标符号，其中不同曝光区中的不同坐标符号在由第一坐标轴与第二坐标轴所形成的坐标系中具有不同坐标。
晶片标记方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910079079.4在审
发明人：廖宏魁;刘振强;时国昇;施咏尧;徐铭聪 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括基底、隔离结构、阻障结构、第一导体层、第二导体层、第一栅介电层以及第二栅介电层。基底具有第一区与第二区。阻障结构位于隔离结构上。第一导体层位于第一区上。第二导体层位于第二区上。第一栅介电层位于第一导体层与第一区的基底之间。第二栅介电层位于第二导体层与第二区的基底之间。隔离结构分隔第一栅介电层与第二栅介电层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]研磨垫-CN201910018649.9在审
发明人：徐士杰;许进旺 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开一种研磨垫，其具有一圆形的研磨表面，多条半圆弧形的第一沟槽位于该研磨表面中且采同心圆的形式从该研磨表面的圆心处以一定的间距向外分布，且位于一半圆的该研磨表面中的该些第一沟槽与位于另一半圆的该研磨表面中的该些第一沟槽呈交错地同心圆设置，以及多条圆弧形第二沟槽，彼此间隔一定的螺距角而呈螺旋分布，该第二沟槽分别与该些第一沟槽相交。
研磨

[发明专利]基于存储器处理器的多处理架构及其操作方法-CN201910288360.9在审
发明人：陈冠州 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06F15/173 文献下载
摘要：本发明提出一种基于存储器处理器的多处理架构及其操作方法。基于存储器处理器的多处理架构包括主处理器以及多个存储器芯片。多个存储器芯片包括多个处理单元以及多个数据储存区。所述多个处理单元以及所述多个数据储存区分别一对一地设置在所述多个存储器芯片中。所述多个数据储存区用以分担储存巨量数据集的多个子数据集。主处理器指派运算任务至所述多个存储器芯片的所述多个处理单元的其中之一，以使所述多个处理单元的其中之一存取对应的数据储存区，以依据所述多个子数据集的一部分执行运算任务。
基于存储器处理器处理架构及其操作方法

[发明专利]曝光机台对准光源装置内的模块作动监控方法及监控系统-CN201510021681.4有效
发明人：杨咏智;李启志;郑毅 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开一种曝光机台对准光源装置内的模块作动监控方法及监控系统，该模块作动监控方法包括下列步骤。提供一对准光源装置。对准光源装置包括至少一模块。通过非接触式位置量测法量测模块的绝对偏移值。判断此绝对偏移值是否超过容许范围。当所量测的绝对偏移值超过容许范围时，产生一异常信号。
曝光机台对准光源装置模块监控方法系统

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN201510106006.1有效
发明人：宋达;许正源;赵坚铭;陈辉煌 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法，该存储器包括基底、第一导体层、第二导体层、图案化硬掩模层、第三导体层、第一掺杂区及第二掺杂区。第一导体层与第二导体层彼此分离设置于基底上。图案化硬掩模层设置于第一导体层上，且暴露出第一导体层的尖端。第三导体层设置于第一导体层远离第二导体层的一侧的基底上。第三导体层位于部分第一导体层上并覆盖尖端，且第三导体层与第一导体层相互隔离。第一掺杂区设置于第三导体层下方的基底中。第二掺杂区设置于第二导体层远离第一导体层的一侧的基底中。
挥发性存储器及其制造方法

[发明专利]影像感应器-CN201510202825.6有效
发明人：廖吉庆;赖宏岱;车行远;詹上毅 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像感应器，包含有一半导体基底，其具有一主动阵列区以及一周边电路区；多个感光元件，设于该主动阵列区内的该半导体基底中；一第一介电层，位于该半导体基底上，覆盖该主动阵列区以及该周边电路区；以及一第二介电层，位于该第一介电层上，其中该第二介电层中具有一凹陷区域对应于该主动阵列区，显露出该第一介电层的上表面，且由该第二介电层的一侧壁所定义出来的该凹陷区域的周围与该第一介电层的该上表面具有一夹角，其中该夹角小于90度。
影像感应器

[发明专利]影像感应器-CN201510198679.4有效
发明人：王伟吉;吴志忠;邱品涵;林国隆 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像感应器，包含有一半导体基底，其具有一主表面；至少一感光结构，设于该主表面；一内层介电层，覆盖于该感光结构上；以及一介电层堆叠结构，介于该内层介电层与该感光结构之间，其中该介电层堆叠结构包括一硅化金属阻挡层，具有第一折射率n1、一保护层，具有第二折射率n2，以及一接触蚀刻停止层，具有第三折射率n3，第二折射率n2小于或等于第三折射率n3，第三折射率n3与第二折射率n2之间的差小于或等于0.25，第三折射率n3与第一折射率n1之间的差小于或等于0.7。
影像感应器

[发明专利]非易失性存储装置与用于其的写入电路及方法-CN201510624731.8有效
发明人：小川晓 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明披露了非易失性存储装置与用于其的写入电路及方法。该用于非易失性存储装置的写入电路，所述非易失性存储装置具备控制电路，该控制电路在进行数据的写入时，判断每个存储单元的编程结束，该写入电路包括：第1开关元件，基于由保存对应的存储单元的编程校验状态的存储元件所保存的数据而受到通断控制；判断控制用MOS晶体管，进行编程校验的判断控制；以及第2开关元件，基于判断控制信号，将控制判断控制用MOS晶体管的电压施加至其栅极，在进行编程校验之前，将判断控制用MOS晶体管的栅极电压设定成为将判断控制用MOS晶体管的阈值电压加上预设控制电压值所得的电压值。
非易失性存储装置用于写入电路方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201510081118.6有效
发明人：陈启明;林胜结 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括电阻式随机存取存储单元串。电阻式随机存取存储单元串包括基底、第一导电型导体层与多个堆叠结构。第一导电型导体层设置于基底上。堆叠结构分离设置于第一导电型导体层上。各个堆叠结构包括第二导电型沉积层、电阻式随机存取存储单元与第一导线。第二导电型沉积层设置于第一导电型导体层上。电阻式随机存取存储单元设置于第二导电型沉积层上。第一导线设置于电阻式随机存取存储单元上。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510008095.6有效
发明人：朱建隆;陈俊宏;邱达乾 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法为首先提供一基底，该基底上具有一第一栅极层、一第一介电层以及一浅沟隔离(shallow trench isolation,STI)环绕该基底、该第一栅极层及该第一介电层。然后去除该第一介电层、形成一第一间隙壁于第一栅极层上方的浅沟隔离侧壁以及利用第一间隙壁为掩模去除部分第一栅极层及部分基底以形成一第一开口并同时定义出一第一栅极结构及一第二栅极结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]闪存装置及其编程操作的初始化方法-CN201510429168.9有效
发明人：邓才科 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：闪存装置及其编程操作的初始化方法。编程操作的初始化方法包括：提供递增的多个脉冲编程电压以对闪存的多个存储单元进行多个非遮蔽方案编程操作并依据编程验证电压对存储单元执行对应的编程验证操作；依据编程验证操作的验证结果以获得记录编程电压值；提供递增的多个脉冲读取电压以对存储单元进行多个读取操作；依据读取操作的读取结果来获得记录读取电压值；以及，依据记录编程电压值、记录读取电压值以及编程验证电压的电压值来获得起始编程电压值及编程脉冲电压递增值。
编程操作编程电压存储单元初始化编程验证操作编程验证电压读取操作记录读取闪存装置递增编程脉冲电压读取结果脉冲读取验证结果脉冲记录闪存遮蔽

[发明专利]非易失性半导体存储装置与写入方法-CN201510220404.6有效
发明人：马蒂亚斯.Y.G.培尔 -专利权人： 力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性半导体存储装置与写入方法。该非易失性半导体存储装置包括控制处理器、写入控制器、电压产生电路以及切换电路。控制处理器用以产生并输出一控制数据并且实施一程序码以写入数据，其中数据包括一字线指定指令以及一电压源指定数据。写入控制器用以解码控制数据并且产生字线指定指令的一控制信号以及电压源指定数据的一控制信号。电压产生电路用以产生写入数据的多个电压。切换电路用以依据字线指定指令的控制信号以及电压源指定数据的控制信号，选择多个电压之中对应电压源指定数据的一电压，并且对应字线指定指令输出选择的电压。
非易失性半导体存储装置写入方法

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