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[发明专利]逆导型IGBT器件的制造方法-CN202010424609.7有效
发明人： 孔蔚然;杨继业;潘嘉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种逆导型IGBT的制造方法。逆导型IGBT器件的制造方法，至少包括以下步骤：提供硅片；通过第一导电类型杂质离子束以特定时间间隔扫描轰击硅片的背面，退火后在硅片的背面中形成多个相间隔的第一导电类型掺杂区；对硅片背面进行第一导电类型杂质离子注入，退火后形成场截止区，第一导电类型掺杂区分布在截止区中；通过第二导电类型杂质离子束扫描轰击截止区，退火后在相邻两个第一导电类型掺杂区之间形成第二导电类型掺杂区；对硅片背面结构金属化。本申请提供了一种逆导型IGBT器件的制造方法，通过节省硅片背面大量的工艺可以解决相关技术中工艺难度大的问题。
逆导型 igbt 器件制造方法

[实用新型]一种双层景观排水边沟结构-CN202320698756.2有效
发明人：王洁;刘涛;李雯君;李宏钧;曹园园;刘臣;谷苗苗;孔蔚然 -专利权人：交科院科技集团有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： E03F3/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种双层景观排水边沟结构，涉及排水边沟技术领域。本装置包括安装在沟槽内部的两个预埋排水管，沟槽的内部铺设有砂石基层，砂石基层的顶部浇筑有混凝土，混凝土包裹在预埋排水管的表面。本申请能够通过预埋排水管、排水隔离板和导流板的配合使用，对地面流水进行排离，同时在连接板、限位柱和限位槽的配合使用，对梯形移栽盆进行安装，使得梯形移栽盆内腔中可种植景观植物，并在预埋排水管的顶部进行呈现，即可达到集排水和美化于一体的目的，解决了由于道路施工或路段建造面积等原因影响，道路两侧路肩面积较窄，同时建造边沟或景观坛较为局促，敞口的边沟与景观坛相较美观度较低问题。
一种双层景观排水边沟结构

[发明专利]闪存浮栅的制作方法-CN202310476350.4在审
发明人： 孔蔚然;高毅;左睿昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存浮栅的制作方法，包括：提供衬底，刻蚀部分厚度的衬底形成沟槽并定义出有源区；采用HARP工艺形成隔离介质，隔离介质填充沟槽且包括高出衬底的隔离凸起部；形成浮栅层，浮栅层覆盖衬底和隔离凸起部的上表面和侧面；在浮栅层表面依次形成隔离层和多晶硅层；去除隔离凸起部上表面所在平面以上的浮栅层、隔离层和多晶硅层；刻蚀去除剩余的多晶硅层以及隔离凸起部周侧的浮栅层；去除隔离层，剩余的浮栅层构成浮栅。实现了浮栅层在有源区后形成，隔离介质采用HARP工艺，保证了与逻辑工艺兼容。浮栅层表面形成隔离层和多晶硅层，避免重掺杂的浮栅层裸露带来污染。隔离层保护有源区内位于隔离层与衬底之间的浮栅层不被刻蚀。
闪存制作方法

[实用新型]一种半圆状水泥涵管边沟结构-CN202320638047.5有效
发明人：王洁;刘涛;刘臣;曹园园;孔蔚然;谷苗苗;李雯君;李宏钧 -专利权人：交科院科技集团有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： E01C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种半圆状水泥涵管边沟结构，涉及排水边沟技术领域。本装置包括安装在沟槽内腔的水泥涵管，沟槽的顶部铺设砂石垫层，砂石垫层的顶部铺设有两个水泥涵管，水泥涵管的表面浇筑有混凝土，两个水泥涵管之间的前侧和后侧均设置有固定组件。本申请能够通过混凝土和预埋筋的配合使用，对水泥涵管进行安装固定，同时在固定组件和环氧树脂胶的配合使用下，对多个水泥涵管进行对接安装，最终通过定位条和定位槽的配合使用，对盖板进行铺设，采用塑形完成的涵管作为流水汇集和排离通道，安装简便快速，同时免除了养护阶段，提高了边沟的建造效率，即可达到安装简便和建造省时省力的目的。
一种半圆水泥涵管边沟结构

[实用新型]一种高速公路边坡防坍塌防护结构-CN202320768029.9有效
发明人：王洁;刘涛;谷苗苗;李宏钧;李雯君;刘臣;曹园园;孔蔚然 -专利权人：交科院科技集团有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种高速公路边坡防坍塌防护结构，涉及公路基础施工领域。本装置包括混凝土板：所述混凝土板的内部贯穿设置有六个插棒，本申请能够通过混凝土板浇筑在地面，可对公路边坡进行有力承托，同时由于插棒插入地面，当混凝土板受到公路边坡的重力下移时，插棒与地下土层之间的摩擦力可对混凝土板进行有力支撑，从而通过承托混凝土板降低了公路边坡的沉降度，同时通过锁固件和连接杆的配合可将六个插棒之间稳固连接，进一步提高了插棒对混凝土板承托的稳固性，即可达到通过对边坡底部的有力支撑，降低边坡在松软路段的沉降，进而避免了公路边坡因底部地质松软出现形变及坍塌的情况发生。
一种高速公路边坡防坍塌防护结构

[发明专利]存储器结构及其操作方法-CN202310079574.1在审
发明人：李冰寒;孔蔚然 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种存储器结构及其操作方法，其中结构包括：包括：衬底；位于衬底上若干相互分立的存储栅结构，存储栅结构包括存储层以及位于存储层上的控制栅层；位于衬底上的若干选择栅结构，选择栅结构位于相邻的存储栅结构之间；位于衬底上的串选择线和地选择线，若干存储栅结构和若干选择栅结构位于串选择线和地选择线之间，且串选择线和地选择线分别与存储栅结构电性隔离；位于衬底内的源极层，源极层与地选择线相邻；以及位于衬底内的漏极层，漏极层与串选择线相邻。通过控制相邻存储栅结构之间的选择栅结构，既能在读操作在衬底内形成沟道串联起各个存储栅结构，又能够隔离两侧的存储栅结构，避免相邻的存储栅结构串扰，有效提升器件结构的性能。
存储器结构及其操作方法

[发明专利]智能功率开关器件及其集成方法-CN202310012366.X在审
发明人：肖莉;陈华伦;孔蔚然;潘嘉 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种智能功率开关器件及其集成方法，其中集成方法包括：提供一形成有控制电路单元和功率单元的衬底；对功率单元底部的衬底进行减薄；在功率单元底部的衬底背面形成第一金属层；对控制电路单元底部的衬底进行减薄；在控制电路单元底部的衬底背面形成反型层；在反型层的表面形成第二金属层；进行划片以得到多个单独的功率开关器件；将功率开关器件焊接在金属底座上。本申请通过背面离子注入工艺在控制电路单元背面形成反型层，使得控制电路单元可以与功率单元一同焊接在金属底座上，集成制备工艺简单，降低了生产制造成本。进一步的，控制电路单元和功率单元可以独立选择，器件设计自由度高，功能更多，应用更广。
智能功率开关器件及其集成方法

[发明专利]一种镜像分栅SONOS存储器的动态编程方法-CN202211466324.5在审
发明人：王宁;张可钢;李冰寒;孔蔚然 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种镜像分栅SONOS存储器的动态编程方法，提供镜像分栅SONOS存储器，镜像分栅SONOS存储器包括：左右镜像对称的第一、第二存储管、位于第一、第二存储管之间的选择管；第一、第二存储管与其各自的沟道上表面之间还分别设有ONO叠层结构；对第二存储管进行第一次编程时，使第一存储管的栅极下方的沟道导通；使选择管的栅极下方的沟道导通；使第二存储管的栅极下方的沟道导通；在源端施加零电压，在漏端施加大于漏端的零电压的电压，使源端和漏端之间产生横向电场；第一、第二存储管与选择管沟道都被开启，热电子在横向电场中获得能量并被加速，在到达第二存储管的沟道中时，由于受纵向电场的影响，热电子被注入并保存到第二存储管的ONO叠层结构中。
一种镜像分栅 sonos 存储器动态编程方法

[发明专利]隔离器件的形成方法-CN202211440417.0在审
发明人： 孔蔚然;杨继业;王健鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种隔离器件的形成方法，包括：提供第一半导体结构，第一半导体结构包括第一衬底以及位于第一衬底的表面的第一氧化硅层；提供第二半导体结构，第二半导体结构包括第二衬底以及位于第二衬底的表面的第二氧化硅层；将第一氧化硅层和第二氧化硅层相对，键合第一半导体结构和第二半导体结构；将第一衬底减薄；在减薄后的第一衬底内形成若干个沟槽沟槽隔离结构，沟槽隔离结构和第一氧化硅层连接；在沟槽隔离结构之间的第一衬底内或第一衬底的表面形成功能器件；去除第二衬底，以露出第二氧化硅层。本发明降低了工艺难度。
隔离器件形成方法

[实用新型]一种新型边坡绿化装置-CN202222691889.5有效
发明人：刘涛;赵琨;王洁;李勇;李宏钧;刘臣;李雯君;何其旋;孔蔚然;张露予 -专利权人：交科院科技集团有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种新型边坡绿化装置，涉及边坡绿化领域，本装置包括边坡和多个圆柱形种植袋，所述边坡的坡面上横向等间距开设有多个半圆弧形槽，所述圆柱形种植袋放置于半圆弧形槽的内腔，所述圆柱形种植袋的内部灌装有种植介质。本申请通过在边坡的坡面上开挖多个半圆弧形槽，接着在圆柱形种植袋内灌装种植介质，圆柱形种植袋的长度由坡面宽度决定，每一小节圆柱形种植袋的长度由坡面弧度决定，每间隔2‑4m使用铁丝进行捆扎成捆扎结，将圆柱形种植袋铺在半圆弧形槽的内腔，安装固定结构固定即可，整个边坡绿化施工快，施工操作简单，不仅仅能够绿化坡面，同时能对边坡坡面进行物理加固，提高坡面的稳定性。
一种新型绿化装置

[实用新型]一种危化品泄露应急防护结构-CN202222481553.6有效
发明人：刘涛;赵琨;王洁;李勇;李宏钧;李雯君;曹园园;谷苗苗;孔蔚然;张露予 -专利权人：交科院科技集团有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： E02B3/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种危化品泄露应急防护结构，涉及应急防护的领域。本装置包括沙袋本体：所述沙袋本体的前端设置有开口，所述沙袋本体表面的右侧设置有凹槽，所述凹槽的顶部开设有圆孔。本申请通过将两个沙袋本体进行连接，提高两个沙袋本体连接的牢固性，可以一次摆放形成一定高度并长度较长的应急拦截带，减少现场人工码放时间，而且摆放的角度可以灵活调整，通过吸油层的设置，吸油层可以快速吸收油品，惰性防渗透柔性涂料的设置，可以减缓油品渗出的速度，为后面的处置赢得时间，此外，当现场的目的是导流而不是封堵的时候，可以将惰性防渗透柔性涂料的一侧面向危化品，作为导流带使用，集中引导危化品至收集设施。
一种危化品泄露应急防护结构

[发明专利]一种深沟槽电容器及其制造方法-CN202211032713.7在审
发明人：遇寒;孔蔚然;苗彬彬 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种深沟槽电容器及其制造方法，提供衬底，在衬底中形成深沟槽；在深沟槽中和衬底表面形成堆叠的氧化层和多晶硅层；依次以衬底和多晶硅层为刻蚀停止层，对堆叠的氧化层和多晶硅层进行刻蚀以形成开口；在开口的两端形成侧墙；沉积形成一金属前介质层，金属前介质层的上表面高于所述侧墙的顶部表面；刻蚀金属前介质层形成接触孔并在接触孔中填充金属；在金属前介质层和接触孔表面形成金属层，金属层通过接触孔与衬底和所述多晶硅层连接。本发明有源区多晶硅的刻蚀采用一步刻蚀，不容易出现由于单步刻蚀导致的漏电，并且实现了高密度电容，而且相比与传统的DTC版图设计，本发明电容器电极各级的引出更加均匀，提高了电容器性能和良率。
一种深沟电容器及其制造方法

[发明专利]逐次逼近模数转换器及转换方法-CN201810442221.2有效
发明人： 孔蔚然;张斌 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H03M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种逐次逼近模数转换器，逐次逼近控制逻辑电路采用如下时序步骤进行模数转换的控制：步骤一、进行第一次采样；步骤二、对采样信号进行完整时序的逐次模数转换；步骤三、进行下一次采样；步骤四、对步骤三的采样信号进行逐次模数转换，包括分步骤：步骤41、判断前次N位数字输出信号的低M位是否都为1或都为0，如果是则进行步骤二；如果否则进行步骤42；步骤42、仅对低M位的结果进行逐次模数转换，第N位至第M+1位的结果直接采用前次N位数字输出信号的第N至M+1位的结果；重复步骤三和步骤四直至采用转换完成。本发明还公开了一种逐次逼近模数转换方法。本发明能减少采样转换周期，提高速度和降低功耗。
逐次逼近转换器转换方法

[实用新型]环刀托-CN202120777773.6有效
发明人：李宏钧;张晓峰;赵琨;胡晋茹;赵俊喜;张峻峰;黄千芮;孔蔚然 -专利权人：交科院环境科技（北京）有限公司;交科院科技集团有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本申请涉及环刀托，涉及土壤测量领域。本装置包括托盘、用于探测土壤水分的探针和用于破开土壤，保护探针的破土器，托盘表面的底部套设有环刀，托盘的顶部螺纹连接有托柄，托柄的顶部螺纹连接有托底，托盘的内部设置有限位机构，限位机构包括环形开设在托盘的三个L形滑槽，L形滑槽的内腔中滑动连接有L形限位滑块，环刀内壁的顶部环形开设有三个与L形限位滑块相适配的限位凹槽。本实用新型中，通过限位机构的设置，对托盘和环刀快速进行对接，通过环刀的设置进行取土，随后通过破土器、探针和测量模块的配合使用，对土壤湿度进行检测，即可达到测量便捷、省时高效和对接快速的目的。
环刀托

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201810178634.4有效
发明人：许昭昭;孔蔚然;钱文生;房子荃 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，漂移区场氧为由主体部分和底部部分叠加而成的一体成形结构，在漂移区场氧的形成区域的第一外延层表面形成有第二外延层或第二多晶硅层，对第二外延层或第二多晶硅层进行氧化形成主体部分同时对主体部分底部的第一外延层进行氧化形成底部部分；底部部分会形成一个鸟嘴从而会降低栅介质层和漂移区场氧接触处的电场强度；主体部分能保证漂移区场氧的总厚度并使减少底部部分的厚度减少。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压，降低器件的导通电阻和关态漏电流，还具有工艺简单的优点。
ldmos 器件及其制造方法

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