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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]波导结构及其形成方法-CN202110260108.4有效
发明人：陈焕能;郭丰维;徐敏翔;卓联洲;周淳朴;廖文翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种波导结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，提供一种光学衰减结构。所述光学衰减结构包含衬底、波导、掺杂区、光学衰减部件及电介质层。所述波导在所述衬底上方延伸。所述掺杂区放置于所述衬底上方，且包含第一掺杂区、与所述第一掺杂区相对且通过所述波导与所述第一掺杂区分离的第二掺杂区、在所述衬底上方及在所述第一掺杂区中延伸的第一电极及在所述衬底上方及在所述第二掺杂区中延伸的第二电极。所述第一光学衰减部件与所述波导耦合且放置于所述波导与所述第一电极之间。所述电介质层放置于所述衬底上方且覆盖所述波导、所述掺杂区及所述第一光学衰减部件。
波导结构及其形成方法

[发明专利]光学器件、光学多路复用器件及其形成方法-CN202310034728.5在审
发明人：汤承哲;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光学器件包括沿着一个方向设置在相邻光学波导之间的光学隔离器。光学隔离器具有与至少一个光学波导不同的垂直尺寸或水平尺寸。垂直尺寸和水平尺寸大于至少一个波导的垂直尺寸和水平尺寸。在各个实施例中，光学隔离器的结构可以是平面结构、柱状周期性结构或格栅结构。光学隔离器的材料可以是金属材料或介电材料。在一些实施例中，光学隔离器和光学波导用于增强光学复用器件的性能。本申请的实施例还公开了一种形成光学器件的方法及光学多路复用器件。
光学器件多路复用及其形成方法

[发明专利]半导体封装件、半导体器件及其制造方法-CN202310008115.4在审
发明人：汤承哲;周淳朴;曾智伟;夏兴国;锺铭洋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了半导体器件，半导体器件包括多个中间波导。多个中间波导垂直设置在彼此的顶部上，并且多个中间波导中的垂直相邻的中间波导彼此横向偏移。当从顶部观察时，多个中间波导中的每个基本上由第一部分和第二部分组成，第一部分具有从相应的中间波导的第一端部到相应的中间波导的中部增大的第一变化宽度，并且第二部分具有从相应的中间波导的中部到相应的中间波导的第二端部减小的第二变化宽度。本发明的实施例还提供了半导体封装件、制造半导体器件的方法。
半导体封装半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及用于产生其布局图的方法及系统-CN202011082984.4有效
发明人：郭丰维;周淳朴;陈焕能;卓联洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：晶体管层，包括至少一个晶体管的组件、具有在第一方向上延伸的长轴的波导以及在所述波导之上的第一内连层；由金属化层形成的堆叠，在所述晶体管层之上，所述堆叠包括一个或多个第二内连层，所述一个或多个第二内连层夹置在所述金属化层中对应的成对的相邻金属化层之间；以及加热器，在所述第一内连层中或者在所述一个或多个第二内连层之一中；且其中相对于与所述第一方向实质上垂直的第二方向而言，所述加热器与所述波导的至少一部分实质上交叠。
半导体装置以及用于产生布局方法系统

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110675284.4有效
发明人：陈建宏;卓联洲;陈焕能;徐敏翔;郭丰维;林志昌;宋巍巍;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其形成方法以及光耦合系统-CN202210030543.2在审
发明人：徐敏翔;卓联洲;周淳朴;陈建宏;汤承哲;洪勇智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：一种半导体组件及其形成方法以及光耦合系统。公开具有高耦合效率和低偏振相关损耗的边缘耦合器，以及制造边缘耦合器的方法。在一个实施例中，公开用于光耦合的半导体组件。半导体组件包括：衬底；光波导，在衬底之上；及多个层，在光波导之上。多个层包括设置在半导体组件的边缘的多个耦合柱。多个耦合柱形成边缘耦合器，其被配置为将光波导光学耦合到位于半导体组件的边缘的光纤。
半导体组件及其形成方法以及耦合系统

[发明专利]二维光栅耦合器和其制造方法-CN202110599643.2在审
发明人：石志聪;周淳朴;斯帝芬鲁苏;徐英杰;卓联洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：公开一种用于光学耦合的装置和方法。在一个实例中，所描述的装置包含：平面层；光栅区，包括布置在平面层中以形成二维光栅的散射元件阵列；第一锥形结构，形成在平面层中，以将光栅区的第一侧连接到第一波导，其中第一锥形结构的形状是对于垂直于平面层中的光栅区的第一侧的任何线不对称的第一三角形；以及第二锥形结构，形成在平面层中，以将光栅区的第二侧连接到第二波导，其中第二锥形结构的形状是对于垂直于平面层中的光栅区的第二侧的任何线不对称的第二三角形，其中第一侧和第二侧大体上彼此垂直。
二维光栅耦合器制造方法

[发明专利]用于光学信号处理的器件和系统及制造半导体器件的方法-CN202210086761.8在审
发明人：郭丰维;夏兴国;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于光学信号处理的器件和系统及制造半导体器件的方法。用于光学信号处理的器件包括第一层、第二层和波导层。透镜设置在第一层内且相邻于第一层的表面。第二层位于第一层下方且相邻于第一层的另一表面。波导层位于第二层下方，并配置成波导在波导层中传输的光束。光栅耦合器设置在波导层之上。透镜配置成从光栅耦合器或光引导器件中的一者接收光束，并将光束聚焦到光引导器件或光栅耦合器中的另一者。
用于光学信号处理器件系统制造半导体器件方法

[发明专利]极化无关的光电装置-CN201910216017.3有效
发明人： 周淳朴;郭丰维;陈焕能;卓联洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开一种极化无关的光电装置。所述装置包含散射结构以及收集结构。散射结构布置成沿第一散射轴以及沿第二散射轴同时对入射电磁辐射进行散射。第一散射轴与第二散射轴非正交。收集结构收集散射的电磁辐射且包含与第一散射轴对准的第一输入端口以及与第二散射轴对准的第二输入端口。
极化无关光电装置

[发明专利]半导体器件以及用于形成半导体器件的方法-CN202110448356.1在审
发明人：石志聪;卢皓彦;徐英杰;斯帝芬鲁苏;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种半导体器件。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。
半导体器件以及用于形成方法

[发明专利]整合式芯片、半导体结构、形成整合式介电质波导及形成半导体结构的方法-CN201710061630.3有效
发明人： 周淳朴;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本揭示内容关于一种具有耦接至经整合介电质波导的多频带传输元件及接收元件的整合式芯片。在一些实施例中，整合式芯片具有设置在基板上方的层间介电结构内的介电质波导。具有多个相位调变元件的多频带传输元件经配置以产生不同频带中的多个经调变信号。多个传输电极沿着介电质波导的第一侧定位且分别经配置以将多个经调变信号中的一个经调变信号耦接至介电质波导中。此外，一种形成整合式介电质波导的方法亦在此揭示。
整合芯片半导体结构形成式介电质波导方法

[发明专利]光学系统及用于制造光学连接器件的方法-CN202110107703.4在审
发明人：宋巍巍;陈建宏;周淳朴;斯帝芬·鲁苏;徐敏翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：公开了具有不同的光学连接器件构造的光学系统及其制造方法。光学系统包括：衬底；波导，设置在衬底上；光纤，光学连接至波导；以及光学连接器件，设置在光纤和波导之间。光学连接器件配置成将光纤光学连接至波导。光学连接器件包括设置在衬底上的介电层、设置在介电层内的第一水平面中的半导体渐缩结构、以及设置在介电层内的第二水平面中的多尖端介电结构。第一水平面和第二水平面彼此不同。本申请的实施例提供了光学系统及用于制造光学连接器件的方法。
光学系统用于制造光学连接器件方法

[发明专利]光学器件-CN202010435636.4在审
发明人：卓联洲;周淳朴;徐敏翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：本文阐述一种用于减小电‑光调制器中的失配的装置、电路及方法。在一些实施例中，所阐述的光学器件包括：分光器，被配置成将输入光学信号分成第一光学信号及第二光学信号；移相器，耦合到分光器；以及组合器，耦合到移相器。移相器包括：第一波导臂，被配置成对第一光学信号的第一相位进行控制，以产生第一经相位控制光学信号，以及第二波导臂，被配置成对第二光学信号的第二相位进行控制，以产生第二经相位控制光学信号。第一波导臂及第二波导臂中的每一者包括：多个直的段及多个弯曲的段。组合器被配置成对第一经相位控制光学信号与第二经相位控制光学信号进行组合，以产生输出光学信号。
光学器件

[发明专利]用于射频互连件RFI的发射器-CN201611051004.8有效
发明人：郭丰维;周淳朴;陈焕能;卓联洲;沈武 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于射频互连件RFI的发射器，其包含经配置以产生时钟恢复信号且将所述时钟恢复信号发射到接收器的载波产生器。所述载波产生器包含经配置以接收第一信号且基于所述第一信号而产生第一载波信号的第一调谐布置。所述载波产生器包含经配置以接收不同于所述第一信号的第二信号且基于所述第二信号而产生第二载波信号的第二调谐布置。所述发射器包含经配置以产生第一经调制数据信号的第一调制器。所述发射器进一步包含经配置以产生第二经调制数据信号的第二调制器。所述发射器包含经配置以将所述第一经调制数据信号及所述第二经调制数据信号选择性地发射到所述接收器的输出。
用于射频互连 rfi 发射器

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202011371956.4在审
发明人：宋巍巍;斯帝芬·鲁苏;周淳朴;陈焕能 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种方法包括：蚀刻硅层以形成硅板和位于硅板上方的上部硅区域，以及注入硅板和上部硅区域以形成p型区域、n型区域以及位于p型区域和n型区域之间的本征区域。该方法还包括蚀刻p型区域、n型区域和本征区域以形成沟槽。上部硅区域的剩余部分形成多模干涉仪(MMI)区域。实施外延工艺以在沟槽中生长锗区域。制造连接至p型区域和n型区域的电连接。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

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