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- [发明专利]开关LDMOS器件及其制造方法-CN202010401261.X有效
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钱文生
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-05-13
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2023-10-20
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H01L21/336
- 本发明公开了一种开关LDMOS器件,包括:形成于第一导电类型的半导体衬底上且分布在器件所有区域的第二导电类型的漂移区、包括依次形成于漂移区表面的栅氧化层和多晶硅栅组成的栅极结构、以多晶硅栅的第一侧面为自对准条件的带角度离子注入形成的完全位于漂移区内的第一导电类型的沟道区、与多晶硅栅的第一侧面自对准且位于沟道区内的第二导电类型的源侧轻掺杂区。本发明还公开该LDMOS器件的制造方法。本发明中多晶硅栅与漂移区存在较大交叠,二者的对准不会影响沟道的长度;带角度离子注入决定沟道长度且可以抑制短沟道效应,使得沟道均匀性更好,可以最大限度降低沟道长度以获得超低导通电阻,使击穿电压得到保持或提高,而漏电得到保持或降低。
- 开关ldmos器件及其制造方法
- [发明专利]LDMOS器件及形成方法-CN202310944567.3在审
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陈云骢;钱文生;刘冬华;蔡晓晴
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-28
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2023-09-22
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H01L29/78
- 本发明提供一种LDMOS器件及形成方法,LDMOS器件通过将漏区设置在第一浅沟槽隔离结构远离栅极的一侧的漂移区中且与第一浅沟槽隔离结构具有预定距离;电流通路不再集中在第一浅沟槽隔离结构右下角,碰撞电离强度减弱,能够有效抑制Id‑Vd电流曲线的上翘,提高开态击穿电压。以及在所述漂移区底部设置补偿区,且与漏区相对应,以使漏区下的耗尽区向上扩展。漏区下方的漂移区内设置补偿区增强了纵向耗尽的能力,提高了纵向关态击穿电压。LDMOS器件的形成方法中,补偿区和漏区的形成工艺中使用同一块掩模版,因此在不损失器件性能并且不增加光刻层以及光刻成本的情况下,本发明同时完成了开态击穿电压和纵向关态击穿电压的优化。
- ldmos器件形成方法
- [实用新型]一种高效的工业刷加工用抛光处理装置-CN202320270897.4有效
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钱文生
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安徽中扬刷业有限公司
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2023-02-14
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2023-07-18
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B24B29/02
- 本实用新型提供了一种高效的工业刷加工用抛光处理装置,涉及工业刷抛光领域,包括:抛光机座,所述抛光机座上表面设置有板式抛光片,所述板式抛光片上表面滚动接触有筒形工业刷,所述抛光机座通过丝杆连接有步进电机,所述丝杆通过驱动块与电动推杆相连接,所述电动推杆上端焊接有衔接块,所述衔接块内部螺接有调节螺柱,所述调节螺柱通过旋转盘连接有插接筒体,所述插接筒体表面贴合有第一气囊和第二气囊,所述插接筒体侧端连接有进气管。本实用新型解决了抛光处理装置通常夹持在筒形工业刷两端处,工业刷两端无法充裕的与抛光片相接触,导致需要单独对工业刷两端再进行抛光,降低抛光处理装置的抛光效果的问题。
- 一种高效工业工用抛光处理装置
- [发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN202111177488.1有效
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段文婷;钱文生
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2021-10-09
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2023-07-04
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H01L29/06
- 一种LDMOS器件及其形成方法,其中方法包括:在所述深阱区表面形成场氧层,沿所述第一方向上,所述场氧层包括场氧区和位于所述场氧区一端的鸟嘴区,且所述鸟嘴区位于所述第一扩散区表面,部分所述场氧区位于所述第二扩散区表面,所述场氧层在沿所述第一方向上具有第三尺寸,所述第一距离与所述第三尺寸的比例范围为小于或等于30%,所述第二距离与所述第三尺寸的比例范围为20%至80%,形成所述场氧层后,在所述第一掺杂区内形成体区,所述体区具有第一导电类型;在部分所述场氧层表面形成栅极,所述栅极还延伸至部分所述体区表面,通过选取不同的所述第一距离与所述第二距离可以实现不同的目标击穿电压性能。
- ldmos器件及其形成方法
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