[发明专利]一种氮化物发光二极管结构在审
| 申请号： | 201710286221.3 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107134513A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;莫春兰;张建立;吴小明;王小兰;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，特征是所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。本发明利用第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度更宽的特点，将更多的载流子限制在发光多量子阱中，提升电子和空穴的匹配度，从而进一步提升发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，其特征在于：在所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。
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- 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。在N型GaN层与有源层之间设置超晶格结构，由于该超晶格结构中的AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层的势垒较高，电子在由N型GaN层进入有源层时，会受到AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层的阻挡，进而使得电子在进入有源层时能够横向扩展，电子进入有源层的面积增大，而AlxGa1‑xN层的势垒相较AlyGa1‑yN层的势垒低，使得电子被AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层分流阻挡，电子不会拥堵在AlxGa1‑xN层处或AlyGa1‑yN层处，电子能够更为均匀地进入有源层。这种超晶格结构能够实现对发光二极管中的电流进行良好且均匀地扩展，进而提高发光二极管的发光效率。
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- 吕蒙普;叶芸;郭炳磊;胡加辉;李鹏 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2018-08-31 - 2019-02-12 - H01L33/04
- 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。制造方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N型层；在N型层上生长多量子阱层，多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层GaN量子垒层，控制反应室压力为500～760torr，向反应室通入三乙基镓和三甲基铟生长InGaN量子阱层；在多量子阱层上生长P型层。本发明通过提高InGaN量子阱层的生长压力，可以减小通入的三乙基镓的流量，从而可以减少生长出的InGaN量子阱层中的C含量，改善了InGaN量子阱层的晶体质量。同时InGaN量子阱层的生长压力的提高，有利于三甲基铟中In的并入，更多的In可以有效进入多量子阱层中，提高了发光二极管的内量子效率。
- 一种发光二极管的外延片及其制造方法-201611039598.0
- 金雅馨;万林;胡加辉 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2016-11-21 - 2019-02-12 - H01L33/04
- 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，外延片还包括改善层，改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层，改善层设置在未掺杂GaN层和N型层之间、或者设置在N型层和有源层之间。本发明通过在未掺杂GaN层和N型层之间、或者在N型层和有源层之间设置改善层，改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层，交替层叠的SiN层和GaN层为超晶格结构，可以有效地释放应力，从而减少有源层的缺陷，提高晶体质量，进而改善外延片的性能和可靠性，提高外延片所制造芯片的反向电压。
- 一种半导体发光器件及其制备方法-201710093011.2
- 周圣军;胡红坡 - 武汉大学
- 2017-02-21 - 2019-02-12 - H01L33/04
- 本发明公开了一种半导体发光器件及其制备方法，包括一衬底；一缓冲层，生长于所述的衬底上；一n型层，生长于所述的缓冲层上；一V‑pits延伸层，其为超晶格层，生长于所述的n型层上，以延伸V‑pits的尺寸；一发光层，生长于所述的V‑pits延伸层上，V‑pits延伸层和发光层中贯穿V‑pits；一p型层，生长于所述的发光层上；其中，n型层生长结束后，对n型层上表面进行刻蚀，使n型层中位错顶端形成V‑pits。本发明半导体发光器件可获得在深度和尺寸上具有一致性的V‑pits，可充分发挥V‑pits阻挡位错成为非辐射复合中心的功能，进一步提高发光二极管的内量子效率。
- 具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法-201610472516.5
- 汤英文 - 闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
- 2016-06-24 - 2019-01-11 - H01L33/04
- 本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
- 一种用于LED的GaN外延结构以及制备方法-201610841964.8
- 王文庆 - 绍兴市上虞宜美照明电器有限公司
- 2016-09-22 - 2018-11-27 - H01L33/04
- 本发明涉及一种GaN外延结构以及制备方法，特别涉及一种用于LED的GaN外延结构以及制备方法。GaN外延结构包括依次层叠生长的成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、n应力释放层、多量子阱结构、p应力释放层、p型电子阻挡层及p型GaN空穴活化层，所述n应力释放层是由In组分含量递增渐变的InGaN/GaN超晶格层形成，所述p应力释放层是由In组分含量递增渐变的InN/GaN超晶格层形成。本发明能够有效增加电子与空穴的浓度，提高量子阱发光效率。
- 一种LED外延超晶格生长方法-201611004577.5
- 徐平 - 湘能华磊光电股份有限公司
- 2016-11-15 - 2018-11-27 - H01L33/04
- 本申请公开了一种LED外延超晶格生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InAlN/Mg2N3超晶格层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却。在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、所述生长发光层之前，引入InAlN/Mg2N3超晶格层，能够扩展LED电流，提升LED的发光效率，同时使得LED的各项电性参数变好。
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