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[发明专利]一种基于单晶势垒层磁性隧道结的热电转换器及其制备方法-CN202211741378.8在审
发明人： 方贺男;李功照;黄旭东 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10N10/851 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单晶势垒层磁性隧道结的热电转换器及其制备方法，包括，参考层，所述参考层的材料为铁磁性金属；势垒层，所述势垒层附着于所述参考层下表面，所述势垒层为单晶氧化物薄膜；以及自由层，所述自由层附着于所述势垒层下表面，所述自由层的材料为铁磁性金属。本发明的器件为纳米级别器件，体积小，克服了传统热电转换器体积较大的缺点；该器件的结构使得其不存在接合材料与热电转换元件的连接被破坏的问题，因此克服了使用寿命短的问题；该器件可以利用外加磁场的变化来改变磁塞贝克系数，进而可以调控热电转换的效率。
一种基于单晶势垒层磁性隧道热电转换器及其制备方法

[发明专利]一种基于二维材料隧穿层的莫尔隧道结及其制备方法-CN202211392263.2在审
发明人： 方贺男;黄旭东;李功照 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子器件技术领域的基于二维材料隧穿层的莫尔隧道结及其制备方法，旨在解决现有技术中磁性隧道结应用需磁场介入、对工作环境要求高以及钉扎层的制备等问题，其包括隧穿势垒层，隧穿势垒层上下两侧均从内到外依次设有金属电极层和衬底层，所述隧穿势垒层为莫尔超晶格，所述莫尔超晶格为两个具有扭转角的二维材料单晶薄膜垂直叠加组成；两个金属电极层的同一侧通过电流表连接，另一侧通过电源连接，使整体形成一个串联回路。本发明的莫尔隧道结通过调节隧穿层莫尔超晶格相对扭转角的大小来改变隧穿电流，避免了传统磁性隧道结应用有很多限制条件的缺点，应用前景广阔。
一种基于二维材料隧穿层莫尔隧道及其制备方法

[发明专利]一种基于黑磷势垒层磁性隧道结的压力传感器及制备方法-CN202210528339.3在审
发明人： 方贺男;李倩;刘焱 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01L1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于黑磷势垒层磁性隧道结的压力传感器及制备方法，压力传感器包括两个绝缘接触层，在两个绝缘接触层之间设置两个具有不同相对磁化强度方向的磁性隧道结，磁性隧道结通过电流表连接至微处理器，所述两个磁性隧道结是半金属铁磁电极、势垒层、半金属铁磁电极的三明治结构，一个磁性隧道结中的两个半金属铁磁电极的磁化强度方向平行，另一个磁性隧道结中的两个半金属铁磁电极的磁化强度方向反向平行。本发明的压力传感器具有高灵敏度、良好的抗干扰能力、高空间分辨率以及响应速度快的优点。
一种基于黑磷势垒层磁性隧道压力传感器制备方法

[发明专利]基于Fe3-CN201910171051.3有效
发明人： 方贺男;李影;彭祥;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：基于Fe3N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法，磁性隧道结的设计，包括衬底，和依次设置在衬底上的铁磁电极、势垒层、铁磁电极、钉扎层、保护层；制备方法包括如下步骤：步骤1，将单晶蓝宝石薄膜作为衬底，并用酒精在超声清洗仪内对其进行5分钟的清洗；步骤2，在步骤1中的蓝宝石衬底上利用磁控溅射方法溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤3，将步骤2中所得的样品表面溅射一层GaN薄膜，作为势垒层；步骤4，将步骤3中所得的样品表面溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤5，将步骤4中所得的样品表面利用标准技术依次IrMn钉扎层和Ru保护层。本发明通过对于材料的选择，使得铁磁电极与隧穿层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。
基于 fe base sub

[发明专利]基于Fe₃N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法-CN201910171314.0在审
发明人： 方贺男;彭祥;李影;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：基于Fe₃N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，所述自旋发光二极管结构上自下而上包括：基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层、Fe₃N薄膜层、电极；所述制备方法，包括如下步骤：步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层；步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用磁控溅射方法溅射一层(002)取向的Fe₃N薄膜层；步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆接触电极。本发明通过自旋注入层材料的选择，使得自旋注入层与自旋输运层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。
制备自旋发光二极管发光二极管自旋注入层异质结构薄膜层粘结层基板源层自旋欧姆接触电极二极管标准技术磁控溅射样品表面注入效率电极输运层电导溅射取向匹配

[发明专利]一种基于GaN衬底的Fe₃N多晶薄膜制备方法-CN201510197896.1在审
发明人： 方贺男;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe₃N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe₃N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe₃N多晶薄膜，有利于Fe₃N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
一种基于 gan 衬底 fe sub 多晶薄膜制备方法

[发明专利]一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法-CN201110360361.3有效
发明人：刘斌;张荣;李烨操;谢自力;方贺男;庄喆;陈鹏;修向前;赵红;陈敦军;顾书林;韩平;郑有炓;托马斯·科奇 -专利权人：南京大学
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。
一种制备高密度氮化量子有源结构方法