“卓昌正”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果30个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种激光二极管及其制作方法-CN202310609482.X在审
发明人：钟志白;李佳恩;卓昌正;徐宸科;康俊勇 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光二极管及其制作方法。其中，所述激光二极管包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。所述制作方法包括步骤：在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面。它旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到激光二极管的共晶，从而导致的激光二极管电性不良。
一种激光二极管及其制作方法

[发明专利]一种激光二极管及其制作方法-CN201980004876.4有效
发明人：钟志白;李佳恩;卓昌正;徐宸科;康俊勇 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光二极管及其制作方法。其中，所述激光二极管包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。所述制作方法包括步骤：在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面。它旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到激光二极管的共晶，从而导致的激光二极管电性不良。
一种激光二极管及其制作方法

[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法-CN202110299582.8有效
发明人：钟志白;李佳恩;张敏;卓昌正;徐宸科;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法。半导体发光器件包括：衬底，具有相对的正面和背面；堆叠外延层，包括依次形成在衬底正面上的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，半导体发光器件自堆叠外延层的一个侧面出光；形成在与半导体发光器件的出光侧相对的侧面的反射层；第一电极结构，包括位于衬底背面的第一欧姆接触层，以及位于第一欧姆接触层上且远离衬底的一侧的连接金属层；第一电极结构还延伸至堆叠外延层的侧面，连接金属层还延伸覆盖反射层。连接金属层不会影响发光器件的发光效果，同时能够及时地将外延层、抗反射层和反射层产生的热量传导出去，提高抗反射层和反射层抗光学灾变损伤的能力以及抗热翻转的能力。
一种半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法-CN202211021069.3在审
发明人：江汉;程虎;徐洋洋;黎国昌;徐志军;卓昌正;王文君 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请提供一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法，所述LED芯片氧化铝氧化硅复合PSS衬底、复合缓冲层和LED结构层，其中，所述复合缓冲层外延生长在氧化铝氧化硅复合PSS衬底上，所述LED结构层外延生长在复合缓冲层上。所述复合缓冲层包括：氮氧化铝/氮化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化铝上由所述氮氧化铝/氮化铝层覆盖，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化硅上由所述氮氧化铝/氮化铝层和氮氧化硅层交错间隔覆盖。复合缓冲层在氧化铝和氧化硅材料上有更好厚度均匀性，并且可以更好缓冲氧化铝氧化硅复合PSS衬底到LED垒晶底层因材质不同引起的晶格失陪和应力释放，减少衔接层处的缺陷。
一种基于氧化铝氧化复合衬底 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种可旋转镀环的镀锅机构及蒸镀机-CN202210874414.1在审
发明人：吴爱明;许康;黄鑫;曹玉飞;卓昌正 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请公开一种可旋转镀环的镀锅机构及蒸镀机，包括：设于蒸镀机外壳上的电机，设于蒸镀机腔体内的镀锅；所述镀锅内设有至少一个镀环结构，所述镀环结构包括多个用于放置晶圆的镀环，多个所述镀环沿水平方向呈直线排列，相邻两个所述镀环之间通过连接杆固定连接，每个所述镀环上设有用于活动夹持所述晶圆的固定件，所述镀锅外部设有与蒸镀机腔体的顶部固定连接的伞架，所述镀锅与所述伞架可拆卸连接；所述电机与所述镀锅之间设有旋转机构，所述旋转机构一端与所述电机的输出轴连接，所述旋转机构的另一端穿过所述伞架后与所述镀环结构固定连接，所述电机用于驱动旋转机构带动所述镀环结构沿所述镀环排列方向做周向旋转运动。
一种旋转机构蒸镀机

[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法-CN201910577674.0有效
发明人：钟志白;李佳恩;张敏;卓昌正;徐宸科;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法。半导体发光器件包括：衬底，具有衬底正面和衬底背面；形成在衬底正面上的堆叠外延层，堆叠外延层包括依次形成在衬底正面上的第一半导体层、有源层以及与第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层，半导体发光器件自所述堆叠外延层的第一端发光；形成在与第一端相对的第二端外侧的反射层；形成在底背面的第一电极结构；第一电极结构包括同时形成在堆叠外延层的第一端及第二端的反射层的外侧，并且位置低于有源层的连接金属层，连接金属层不会影响发光器件的发光效果，同时能够及时地将外延层、抗反射层和反射层产生的热量传导出去，提高抗反射层和反射层抗光学灾变损伤的能力以及抗热翻转的能力。
一种半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法-CN201910233163.7有效
发明人：钟志白;李佳恩;连燕玲;卓昌正;徐宸科;康俊勇;苏住裕 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时，首先对牺牲层进行刻蚀，牺牲层能够吸收激光的能量，作为能量缓冲层和扩散层，避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下，牺牲层被激光灼烧掉，不会存留对半导体发光器件产生影响的残留物，不会对半导体发光器件的性能产生影响。
一种半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管-CN201811604668.1在审
发明人：李佳恩;钟志白;叶涛;卓昌正;徐宸科 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明的一种发光二极管利用合金方案形成Ga‑Based金属合金，该金属合金作为与外延半导体材料的欧姆接触部，特别是作为激光器N侧氮化镓衬底一端的欧姆接触部，阻止高温反应中母体化合物Ga向电极材料中扩散，在很宽泛的退火温度范围内都可以形成良好欧姆接触。
一种发光二极管

[发明专利]氮化物半导体元件及其制作方法-CN201710596729.3有效
发明人： 卓昌正;陈圣昌;邓和清 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体元件及其制作方法，所述元件包括：衬底，位于所述衬底上的应力调变层，位于所述应力调变层上的AlN缓冲层，依次位于所述缓冲层上的n型半导体层、有源层和p型半导体层，所述应力调变层的晶格常数大于所述AlN缓冲层，但不大于所述n型半导体层的晶格常数。通过在衬底与AlN缓冲层之间插入应力调变层，可以减少n型氮化物半导体层的压应力，进而改善材料晶体质量，提升发光效率。
氮化物半导体元件及其制作方法

[发明专利]氮化物半导体元件及其制作方法-CN201710221821.1有效
发明人：朱学亮;刘建明;卓昌正;陈秉扬;徐宸科;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体元件及其制作方法，采用物理蚀刻形成图形化蓝宝石衬底，然后在蓝宝石衬底的表面上采用物理气相沉积的方式形成Al_xGa_(1‑x)N层，在生长物理气相沉积Al_xGa_(1‑x)N层过程中采用等离子体进行多次刻蚀处理，有效的抑制了图形侧壁处外延材料的晶体缺陷。
氮化物半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种半导体元件及其制备方法-CN201510564961.X有效
发明人：周圣伟;卓昌正;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体元件，包括具有Al_xN_1‑x层和Al_yO_1‑y层（0＜x＜1，0＜y＜1）的超晶格结构缓冲层，所述超晶格结构缓冲层在芯片制程的侧壁腐蚀过程中，可减小化学溶液的腐蚀程度，提高芯片良率。同时提出一种制备方法，制备该超晶格结构缓冲层，实现本发明效果。
一种半导体元件及其制备方法

[发明专利]一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法-CN201610239649.8有效
发明人：陈圣昌;邓和清;卓昌正;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底；先生长高温AlN层；然后生长低温AlN层；再生长高温AlN层；生长n型AlGaN层；生长有源层；生长p型AlGaN层。由于低温AlN层是三维小岛而不是二维薄膜，再继续生长高温AlN层，三维小岛会慢慢长大并相互吞并，在岛与岛吞并过程中，下层AlN层延伸上来的位错会被弯曲，从而增加位错相互湮灭的几率，提高上层AlN层的晶体质量，提升外延结构层材料的整体结晶质量，提升紫外LED的发光亮度。
一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法

[实用新型]紫外发光二极管-CN201820249131.7有效
发明人： 卓昌正;陈圣昌;邓和清 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种紫外发光二极管，紫外发光二极管包括：缓冲层；n型层，位于所述缓冲层上；应力调变层，位于所述n型层上；量子阱发光层，位于所述应力调变层上；以及p型层，位于所述量子阱发光层上；所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成，用以调变所述紫外发光二极管外延结构的翘曲。本实用新型在外延结构的n型层与量子阱发光层之间引入AlxGayIn1‑x‑yN应力调变层，将组分Al调整至70％以上，可以减少后续生长量子阱发光层时的翘曲，并同时改善该量子井发光层的表面温度均匀性，进而提升外延结构发光波长均匀性。
发光层量子阱紫外发光二极管调变层外延结构本实用新型缓冲层翘曲表面温度均匀性发光波长晶格常数均匀性量子井调变生长引入

[发明专利]紫外发光二极管及其制作方法-CN201810144122.6在审
发明人： 卓昌正;陈圣昌;邓和清 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管及其制作方法，紫外发光二极管包括：缓冲层；n型层，位于所述缓冲层上；应力调变层，位于所述n型层上；量子阱发光层，位于所述应力调变层上；以及p型层，位于所述量子阱发光层上；所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成，用以调变所述紫外发光二极管外延结构的翘曲。本发明在外延结构的n型层与量子阱发光层之间引入AlxGayIn1‑x‑yN应力调变层，将组分Al调整至70％以上，可以减少后续生长量子阱发光层时的翘曲，并同时改善该量子井发光层的表面温度均匀性，进而提升外延结构发光波长均匀性。
发光层量子阱紫外发光二极管调变层外延结构缓冲层翘曲表面温度均匀性发光波长晶格常数均匀性量子井调变制作生长引入

[发明专利]一种改善漏电流的发光二极管制备方法-CN201510196122.7有效
发明人：林继宏;卓昌正;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提出了一种发光二极管的制备方法，在N型层与浅量子阱层沉积步骤之间插入一杂质去除步骤，利用陡变方式增加杂质管路的载气流量，充分快速吹扫该管路的残留杂质，避免残留杂质进入浅量子阱层影响该层的晶体结构，降低对发光二极管的反向漏电流的影响，改善LED结构的可靠性和生产的良品率。
发光二极管量子阱层制备残留反向漏电流晶体结构杂质去除载气流量良品率漏电流吹扫沉积生产

1
2
下一页»
尾页
共 30 条