专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]油炸豆皮卷加工设备-CN202220637182.3有效
  • 梁秉文;王国璜;王金辉;池守田 - 福建莆田市威斯特机械设备有限公司
  • 2022-03-22 - 2022-07-05 - A23L11/45
  • 本申请涉及食品加工设备的领域,尤其是涉及油炸豆皮卷加工设备,其包括机架、设于所述机架上的上料装置、加工装置、下料装置,所述上料装置和所述下料装置之间设有油炸锅,所述加工装置包括安装于所述机架上的四连杆机构,所述机架上安装有水平转轴,所述水平转动连接有驱动组件,所述四连杆机构包括转动连接于所述机架顶部的曲柄和摇杆、两端分别转动连接于曲柄和摇杆的耦合杆、设于耦合杆上的卷料组件,所述曲柄一端固定套设于所述水平转轴,所述卷料组件的运动轨迹依次经过上料装置、油炸锅、下料装置。本申请具有提高豆皮卷加工效率的效果。
  • 油炸豆皮卷加工设备
  • [发明专利]一种环黄杨碱D的提纯方法-CN202010447306.7有效
  • 梁秉文;王亚威;刘子修;魏海飞 - 南京经皮科技有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-08-20 - C07J53/00
  • 本发明公开了一种环黄杨碱D的提纯方法,以黄杨木粉为原料,提取环维黄杨星D后的母液蒸干,得环黄杨碱D粗品;随后使用甲醇重结晶,使环维黄杨星D析出,环黄杨碱D在母液中蓄积,然后将母液蒸干,得环黄杨碱D蓄积固体;溶于有机溶剂中,通过硅胶柱层析纯化,然后洗脱得到纯化洗脱液,旋蒸除去溶剂后,得到环黄杨碱D纯化固体;最后采用氯甲烷和乙腈的混合溶剂进行重结晶即得。本发明环黄杨碱D粗品通过蓄积、柱层析纯化和重结晶,将含量为15%样品纯化至纯度98.5%,成盐后易溶于水,便于做成制剂。
  • 一种黄杨提纯方法
  • [发明专利]用于植物生长的光源及植物培养方法-CN201711036879.5有效
  • 梁秉文 - 苏州东善微光光电技术有限公司
  • 2015-12-15 - 2019-07-05 - H01L33/04
  • 一种用于植物生长的光源及植物培育方法。所述光源包括:LED芯片,其外延结构中包含若干不同发射波长的量子阱;以及,荧光粉和/或量子点,用以与LED芯片配合而得到覆盖植物生长所需波长范围的光。进一步的,所述LED芯片的外延结构中,沿逐渐远离发光面的方向,各量子阱的发射波长依次增加。本发明提供的光源在单一LED芯片的外延结构内包含多个不同发射波长的量子阱,可达到多个波长或大波长范围的覆盖,并可采用常规方式封装、驱动,从而可在获得植物生长所需光波长全覆盖的同时,大幅简化光源及相应照明装置的结构,有效降低其成本,尤其是通过在光源中使用绿光激发的红色、远红色荧光粉等,还可有效降低或防止植物生长过程中病虫害的发生。
  • 用于植物生长光源培养方法
  • [发明专利]改良的白光光源及其应用-CN201510933929.4有效
  • 梁秉文 - 苏州东善微光光电技术有限公司
  • 2015-12-15 - 2019-01-15 - H01L25/075
  • 本发明公开了一种改良的白光光源及其应用。所述白光光源包括LED芯片和覆设在所述LED芯片上的荧光粉和/或量子点,其中,所述LED芯片的发射主波长为485nm~515nm,而所述荧光粉和/或量子点在所述LED芯片激发下产生的激发光波长为580nm~660nm。本发明通过采用非蓝、紫光LED制成白光光源,特别是采用主波长在485nm(青光)~515nm(绿光)之间的LED芯片激发580nm~660nm的荧光粉和/或量子点来合成白光,因昆虫对于这段波长的光不敏感,从而大大降低了昆虫的危害,优选的,通过配合蓝、紫光LED等诱杀昆虫,还可达到进一步减轻昆虫对人和动物干扰的目的。
  • 改良白光光源及其应用
  • [发明专利]LED发光器件-CN201410201871.X有效
  • 梁秉文;张涛;金忠良 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2014-05-14 - 2018-11-09 - H01L33/48
  • 本申请公开了一种LED发光器件,包括基材,所述基材具有相对的上表面和下表面,所述上表面开设有多个凹槽,所述每个凹槽内分别倒装设有一个LED芯片,所述每个凹槽的底部开设有两个通孔,所述通孔的侧壁设有电极接触件,所述基材的下表面设有导电层,所述导电层电性连接于所述电极接触件,所述LED芯片的两个电极分别插置于所述两个通孔内,所述LED芯片通过所述导电层串联和/或并联。本发明的LED芯片通过接插方式与基材连接,操作方便,易于大批量生产,提高大批量生产的效率。
  • led发光器件
  • [发明专利]基于透明基板的半导体发光器件封装结构-CN201410345992.1有效
  • 梁秉文 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2014-07-21 - 2018-08-10 - H01L25/075
  • 本发明公开了一种基于透明基板的半导体发光器件封装结构,包括:透明基板,安装于该透明基板的第一面上的至少一半导体发光芯片,以及,安装在该透明基板上的、主要由导热材料组成的反光机构,该反光机构包括一个或多个凸起部,所述凸起部一端伸入该透明基板,其中至少一凸起部一端还与相应半导体发光芯片接近,并且至少所述凸起部的局部表面具有用以将由所述半导体发光芯片射入该透明基板的光反射出所述透明基板的反光结构。藉由前述设计,使得本发明具有如下优点:既可有效提升器件的出光效率,同时还可有效缩短器件的导热途径,使器件在工作过程中产生的热量能更为快捷有效的被转移,从而保障器件的工作稳定性,并延长其使用寿命。
  • 基于透明半导体发光器件封装结构
  • [发明专利]LED芯片及提高LED芯片出光效率的方法-CN201410320016.0有效
  • 梁秉文 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2014-07-07 - 2018-04-24 - H01L33/10
  • 本申请公开了一种LED芯片及提高LED芯片出光效率的方法,该方法包括s1、在透明衬底上依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层;s2、通过透明衬底一侧,通过激光聚焦的方法在透明衬底内部、和/或第一半导体层上形成光反射结构,该光反射结构为多个空腔、不同相界面、非平面结构或粗糙界面。本发明在已经制作好的LED芯片上,通过激光手段在半导体层或衬底的内部形成光反射结构,减少了光路的距离,提高了LED的出光效率。同时针对GaN基LED,在激光熔融或烧灼完成后,还可以在GaN层内的某些局部形成Ga金属颗粒,通过金属颗粒的作用,可以进一步提高光反射效果。
  • led芯片提高效率方法
  • [实用新型]用于远距离照明的灯具-CN201720999285.3有效
  • 梁秉文 - 苏州东善微光光电技术有限公司
  • 2017-08-10 - 2018-02-13 - F21S41/32
  • 本实用新型公开了一种用于远距离照明的灯具,所述灯具包括抛物面反光镜以及设置于所述抛物面反光镜焦点处的微型光源,所述微型光源的发光点的直径小于2mm,所述微型光源的发光方向面向所述抛物面反光镜,并且所述微型光源发出的光在经过抛物面反光镜反射后形成平行于抛物面反光镜中心主轴的平行光。本实用新型提供的用于远距离照明的灯具结构简单,通过抛物面反光镜与微型光源配合,使得微型光源发出的光经反射后形成平行于抛物面反光镜中心主轴的平行光,可以使发出的光发送到100‑2000m远的距离,从而达到远程照明的效果。
  • 用于远距离照明灯具
  • [发明专利]LED发光器件-CN201410157754.8有效
  • 梁秉文;张涛;金忠良 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2014-04-18 - 2018-02-02 - H01L33/48
  • 本发明公开了一种LED发光器件,包括透明基材,所述透明基材上分布有至少一个凹槽,所述每个凹槽内设有一个LED芯片,所述LED芯片包括透明衬底以及形成于所述透明衬底上的外延层,所述外延层上设有透明导电层,所述透明导电层还至少延伸到所述透明基材上。藉由本发明的设计,可以实现LED发光器件的4π立体角通体发光,光效高(比一般2π立体角灯效率提升~20%以上),同时可以制作出不同电压的发光模组,低成本,高可靠性,易大批量标准化制作。
  • led发光器件
  • [发明专利]一种半导体发光器件-CN201510109715.5有效
  • 梁秉文;张汝志 - 弗洛里光电材料(苏州)有限公司
  • 2015-03-13 - 2018-01-26 - H01L33/56
  • 本发明公开了一种半导体发光器件,包括半导体发光芯片;以及,覆盖于所述半导体发光芯片上的透明封装材料层,所述透明封装材料层包括具有第一折射率的第一封装层和具有第二折射率的第二封装层,所述第二封装层覆设在所述第一封装层上,所述第二折射率大于所述第一折射率,所述透明封装材料层表面形成有粗糙面。本发明在SMD(表面贴装)和COB(集成封装)胶体表面制作出微、纳米级的微结构,使光不被胶体表面限制,减少了由于硅胶的折射率比空气高而造成的全内发射,同时也提高了半导体发光器件的抗硫化性能,既保持了封装体积小、成本低的优点,又解决了其出光光效较低和可靠性较差的问题。
  • 一种半导体发光器件

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