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[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202310919461.8在审
发明人：李家安;陈志豪;常安;戴志祥;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管及其制作方法，其中，该发光二极管包括第一半导体层；位于所述第一半导体层上的发光层；位于所述发光层上的低温层；位于所述低温层上的第二半导体层；所述发光层包括叠层设置的量子垒层与量子阱层，以一层所述量子垒层与一层所述量子阱层为一个周期，所述发光层包括≤4个周期的所述量子垒层与量子阱层；所述发光层的厚度为10‑75nm。本申请降低了发光层的周期数及厚度，发光层结合低温层搭配使电子和空穴集中于发光层的量子阱层中，提高发光层二极管的VF4能力。较少的发光层周期数使有效的辐射复合的能隙更收敛，有助于提高发光二极管的发光一致性。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202311069473.2在审
发明人：王瑜;王亚伟;周宏敏;陈志豪;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及发光装置，所述发光二极管依次包括第一半导体层、V坑开辟层、发光层和第二半导体层。发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层包括n1个周期的第一量子阱结构，第二发光层包括n2个周期的第二量子阱结构，其中，第一发光层或第二发光层中还包括m个周期的第三量子阱结构，单个周期的第三量子阱结构比位于同一发光层中的其他量子阱结构具有更大的厚度。本发明能有效改善V形坑的质量，降低非辐射复合的几率，保障发光二极管内有效的电子空穴复合效率。
发光二极管发光装置

[发明专利]半导体发光元件和发光装置-CN202180003206.8在审
发明人：王瑜;蓝永凌;马明彬;唐超;周宏敏;董金矿;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件和发光装置，包括半导体叠层，该半导体叠层包括：第一半导体层，具有n型掺杂；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，具有p型掺杂，所述第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面和远离第一半导体层的第二表面；有源层，位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，所述有源层包括靠近第一半导体层的第三表面和靠近第二半导体层的第四表面；其特征在于：该半导体叠层还包括氢杂质，该氢杂质的浓度至少包括靠近有源层的第一峰值和远离有源层的第二峰值，所述第二峰值大于第一峰值。本发明的发光元件具有高亮度的性能。
半导体发光元件装置

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制作方法-CN202180003207.2在审
发明人：王瑜;史志结;常安;师修磊;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及氮化物半导体发光元件及其制作方法，其中氮化物半导体发光元件包括N型半导体层；P型半导体层；有源层，所述有源层位于所述N型半导体层和P型半导体层之间；盖层，所述盖层位于有源层和P型半导体层之间；空穴注入层，所述空穴注入层位于所述盖层和P型半导体层之间；电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述空穴注入层和P型半导体层之间；其特征在于：所述空穴注入层包括第一含铝层、第二含铝层以及第三含铝层，所述第二含铝层的铝含量高于第一含铝层的铝含量，且高于第三含铝层的铝含量。本发明在空穴注入层内插入高铝含量的第二含铝层，可以阻挡电子溢流以及改善电子阻挡层的极化电场。
氮化物半导体发光元件及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202320687536.X有效
发明人：蔡家豪;方斌;晏维云;刘加云;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管，包括半导体叠层和设置于半导体叠层上的电极结构，还包括电流阻挡层，电流阻挡层设置于半导体叠层上，且被电极结构包覆，电流阻挡层包括外阻挡层和反射层，外阻挡层覆盖于反射层的侧表面，可以提高电流阻挡层对光的反射，有更高的可见光反射率，进而提升LED发光二极管的亮度，发光二极管中间采用反射层使得沉积后膜层外观平坦度高，抗静电性能好。
一种发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制备方法以及发光装置-CN202310965674.4在审
发明人：汪琴;蔡家豪;李君杰;桂亮亮;汪玉;王珊;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请公开了发光二极管及其制备方法以及发光装置，涉及半导体制造技术领域。发光二极管包括衬底基板、第一半导体层、有源层和第二半导体层；衬底基板的上方具有沿衬底基板的板面分布且邻接的第一区域和第二区域，第二区域围绕第一区域分布；其中，第一半导体层位于第二区域的部分设置有多个开孔，开孔向下延伸至衬底基板处；开孔的至少部分孔段形成为倒角孔段；倒角孔段自下向上逐渐缩小，以使倒角孔段的内侧壁与开孔之间的分界面形成有倒角状反射面，倒角状反射面至少分布于倒角孔段的受光侧。本申请的发光二极管具有更高的出光效率。
发光二极管及其制备方法以及发光装置

[发明专利]发光二极管及其制作方法、发光装置-CN202310724365.8在审
发明人：陈文志;蔡家豪;王润红;石杜娟;余明志;王德云;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制作方法、发光装置，本发明的发光二极管，包括：衬底，所述衬底的侧面具有切面；LED芯片，位于所述衬底上，所述LED芯片具有长边和短边，其中，LED芯片的长边下方对应的衬底切面为第一切面，LED芯片的短边下方对应的衬底切面为第二切面；在竖直方向上，第一切面的高度h1与第二切面的高度h2不同。本发明能提高侧面反射的能力，使得光线能更多地从正面出射，从而提升出光效率。
发光二极管及其制作方法发光装置

[实用新型]一种高压发光二极管-CN202320590616.3有效
发明人：孙旭;陈亭玉;杨人龙;林兓兓;张中英 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管，包括：按照预设方向排列的n个发光单元，n≥2，各发光单元之间通过隔离槽隔离；桥接电极，位于所述隔离槽处，并将n个发光单元依次电性连接起来，通过依次连接的顺序定义第1发光单元至第n发光单元，其中，第n发光单元的面积最大。本实用新型可以提升高压发光二极管的抗负向静电冲击的能力，有效改善爆点问题，明显提高高压发光二极管的ESD能力和可靠性。
一种高压发光二极管

[发明专利]氮化物发光二极管及发光装置-CN202310752116.X在审
发明人：李家安;李君杰;戴志祥;黄文宾;朱振强;蔡吉明;李政鸿;林兓兓;黄少华 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及氮化物发光二极管及发光装置，所述氮化物发光二极管至少包括：外延结构，包括n个外延层（n≥2），各外延层均包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述有源层至少包括InGaN阱层，各外延层中有源层的InGaN阱层具有不同In组分含量，使得各外延层激发后辐射不同的出光波长；隧穿层，位于相邻的两个外延层之间；电极结构，位于所述外延结构上，且与外延结构之间形成电连接。本发明的氮化物发光二极管具有较小的尺寸面积，且能实现控制单个发光二极管即可获得不同颜色的出光源。
氮化物发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202310440161.1在审
发明人：蔡家豪;晏维云;汪琴;方斌;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管及其制备方法，外延层，所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；透明导电层，设置于所述P型半导体层上，所述透明导电层具有多个空隙，所述空隙内填充有金属层；P型电极，设置于所述透明导电层上，并与P型半导体层之间形成电连接；N型电极，设置于所述N型半导体层上，并与N型半导体层之间形成电连接。本发明在透明导电层上的空隙内填充有金属层，提高出光效率，促进电流扩散，进而降低电压和提高导电能力。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]半导体外延结构及LED芯片-CN202310486540.4在审
发明人：陈志豪;汤恒;武梦鸽;王瑜;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体外延结构及LED芯片，其中，半导体外延结构，包括半导体叠层：N型半导体层；有源层，设置于所述N型半导体层上；电子阻挡层，设置于所述有源层上，所述电子阻挡层为含Al的半导体层；缺陷阻挡层，设置于所述电子阻挡层上，所述缺陷阻挡层为不含Al的半导体层；P型半导体层，设置于所述缺陷阻挡层上。本发明能优化提升P型半导体层和电子阻挡层的生长界面，缓解两者之间的晶格失配，提高发光二极管的质量及光电性能。
半导体外延结构 led 芯片

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202310570280.9在审
发明人：王瑜;毛洪涛;王亚伟;陈志豪;李家安;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及发光半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管及其制作方法，包括外延层，所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、发光层、第一P型半导体层、电子阻挡层和第二P型半导体层；所述第二P型半导体层为超晶格结构，所述超晶格结构包括上下交替排列的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的能级小于第一半导体层的能级。本发明第一半导体层和第二半导体层交叉生长，可以形成高低能级有效控制空穴移动速度，进而提升空穴电子辐合效率，可以有效改善位错，提升空穴浓度，进而提高发光二极管质量。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种高压发光二极管芯片-CN202211653257.8在审
发明人：孙旭;陈亭玉;杨人龙;林兓兓;张中英 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管芯片，包括衬底和位于所述衬底上的n个LED发光单元，n≥2，各所述LED发光单元之间通过衬底上的隔离槽相互隔离，n个LED发光单元通过位于在所述隔离槽上方的桥接结构依次连接，所述LED发光单元包括发光叠层和透明导电层，所述透明导电层覆盖所述发光叠层的部分外表面；所述桥接结构包括连接部和延伸部，所述连接部下设有第一阻挡层，以实现绝缘，位于第n个LED发光单元上的延伸部与透明导电层至少部分接触。本发明能明显提升高压发光二极管芯片的ESD能力，有效改善爆点问题，提高芯片的可靠性。
一种高压发光二极管芯片

[发明专利]一种复合衬底及其制备方法和利用其制备发光元件的方法-CN201910221205.5有效
发明人：汪玉;蔡家豪;汪琴;方斌;桂亮亮;董金矿;王珊;黄照明;邱智中;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种复合衬底的制备方法和利用其制备发光元件的方法，其通过在基板上形成纵横交错金属掩膜层，在后续氮化物沉积过程中，利用氮化物沉积温度高于金属掩膜层的气化温度而形成具有特定中空结构的复合衬底，并在该复合衬底上形成发光外延层，其中该中空结构为第一预切割道，发光外延层上表面MESA图形之间的间隙形成第二预切割道，当激光沿着第一预切割道和第二预切割道切割时，由于第一预切割道中空结构的存在，能够避免激光对发光元件边缘区域的损伤，有效地改善发光元件因激光能量过高损伤外延层导致的漏电异常。
一种复合衬底及其制备方法利用发光元件

[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制备方法-CN202211326384.7在审
发明人：王瑜;李跃华;武梦鸽;汤恒;李家安;陈志豪;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及发光半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管的外延结构，包括衬底，述外延结构还包括依次设于衬底上的缓冲层、3D成核层、2D填平层、N型层、过渡层、有源层和P型层，所述3D成核层和2D填平层中均采用n型掺杂，且3D成核层中n型掺杂的浓度高于2D填平层中n型掺杂。本发明通过在成核层调整Si掺杂浓度高于填平层，通过成核层通入高掺Si的方式，获得较多的插排位错，便于后续过渡层提升Pits密度，降低电压和提升亮度。
一种发光二极管外延结构及其制备方法

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