[发明专利]氮化物半导体元件和其制造方法无效
| 申请号： | 200480027878.9 | 申请日： | 2004-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1856915A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 川口靖利;岛本敏孝;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层，其中，所述p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层；和包含Mg的第二p型氮化物半导体层，所述第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，所述第二p型氮化物半导体层具有比所述第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
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- 本发明涉及一种用于无源光网络的激光器以及包括该激光器的光线路终端。该分布式反馈激光器以铟砷氮镓合金为有源层材料制造；通过调谐所述铟砷氮镓合金中各元素的组分，所述激光器同时产生包括两个相干的激光波长的激光，所述两个相干的激光波长具有相同的振幅、信噪比和线宽。该激光器产生的激光波长随着铟砷氮镓合金中氮元素的组分的增加而增加，随着铟砷氮镓合金的温度的增加而增加。铟砷氮镓合金中的氮原子的随机分布以及氮元素的含量的波动生成导带底部的展宽，从而在导带底部附近导致氮定域态簇以产生直接激射。基于本发明所提出的激光器的光线路终端，具有低成本和低功耗，便于网络升级以及可调谐性等优势。
- 一种半导体激光器芯片-201820494219.5
- 颜建;胡双元;吴文俊;黄勇;米卡·瑞桑 - 苏州矩阵光电有限公司
- 2018-04-09 - 2018-12-21 - H01S5/323
- 本实用新型公开了一种半导体激光器芯片，包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧，与激光器外延结构的电极连接；太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接。在双面抛光衬底的正反面分别生长半导体激光器外延结构与太阳能电池外延结构，用金线和热沉实现电气连接，使半导体激光器芯片能够依靠自身结构中的太阳能电池供电，提高器件的集成度。
- 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法-201610183087.X
- 杨静;赵德刚;陈平;朱建军;刘宗顺 - 中国科学院半导体研究所
- 2016-03-28 - 2018-10-26 - H01S5/323
- 一种应力调控波导层绿光激光器外延片，包括：一衬底；一高温n型GaN层制作在衬底上；一高温n型AlGaN限制层制作在高温n型GaN层上；一应力调控下波导层制作在高温n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN多量子阱发光层制作在应力调控下波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层制作在InGaN/GaN多量子阱发光层上；一非掺杂上波导层制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型限制层制作在非掺杂上波导层上；一p型GaN层制作在p型限制层上。本发明是通过引入多层In组分渐增的InGaN应力调控波导层，在增加GaN基绿光激光器光场限制因子的同时降低绿光量子阱的应力。另外，采用氮氢混合载气生长并处理InGaN波导层表面，改善波导层的表面质量，提高绿光激光器的性能。
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