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[实用新型]一种改善滑移线的石墨基座结构及设备-CN202320185482.7有效
发明人： 刘旺平;吕越;李鹏 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种改善滑移线的石墨基座结构及设备，该石墨基座结构包括第一凹槽，第一凹槽的底边边缘部分向下凹陷，形成第二凹槽，当衬底设置于第一凹槽内时，衬底的底面和第一凹槽的内表面接触，且衬底的底面和第二凹槽的内表面之间存在空隙。本实用新型的实施例在石墨基座结构的第一凹槽边缘设置第二凹槽，使衬底边缘与石墨基座的凹槽不接触，有利于减少托盘对衬底的热传导，降低衬底边缘的温度，减小衬底边缘与中心的温差，从而解决滑移线，而且可以扩大工艺调试窗口，并保证石墨基座使用寿命。
一种改善滑移石墨基座结构设备

[实用新型]一种氧化铁的刮渣板收集装置-CN202222852674.7有效
发明人：苏晓峰;景深;刘旺平;魏巍;赵梅川;王锦;陈中雪 -专利权人：辛集市澳森特钢集团有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B21B45/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及氧化铁渣收集技术领域，特别是涉及一种氧化铁的刮渣板收集装置，包括散冷辊道，所述散冷辊道上设置有对氧化铁渣的回收机构，所述回收机构包括U型收料槽，所述U型收料槽设在散冷辊道的下方，所述U型收料槽内设置有PF链，所述PF链外活动卡合安装有第一U形卡扣，所述第一U形卡扣的下面固定安装有刮渣板，所述刮渣板和U型收料槽的内侧壁相贴合，所述第一U形卡扣的上表面活动卡合安装有第二U形卡扣，所述U型收料槽的截面形状为U形，本实用新型通过设置封堵彩钢板和U型收料槽的存在，实现对氧化铁的限位，让氧化铁稳定的掉落在U型收料槽的上表面，方便后续对氧化铁进行处理。
一种氧化铁刮渣板收集装置

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法-CN202110342496.0有效
发明人：葛永晖;梅劲;刘春杨;刘旺平 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法，属于半导体技术领域。制备方法包括：提供一衬底；在衬底上生长成核层，在生长成核层的过程中，对成核层进行第一次高温腐蚀处理；在成核层上生长高阻缓冲层，在生长高阻缓冲层的过程中，依次对高阻缓冲层进行第二次高温腐蚀处理和离子束轰击处理；在高阻缓冲层上依次生长沟道层和AlGaN势垒层。采用该制备方法可以有效避免外延层内晶格失配产生的应力和缺陷延伸，提高最终形成的外延层的晶体质量，并提高电子迁移率晶体管的电子迁移率。
氮化镓基高电子迁移率晶体管外延制备方法

[发明专利]一种快速清理转炉喷淋塔环缝结渣的方法-CN202310059852.7在审
发明人： 刘旺平;万占成;樊继程 -专利权人：新疆伊犁钢铁有限责任公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C21C5/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速清理转炉喷淋塔环缝结渣的方法，设计并制作配合气动风炮设备专用的旋转狼牙棒工具；准备500兆帕高压清洗器设备；人员分配至关键设备点进行作业前准备；打开烟气通道的人孔装置；环缝快速降温至人体适应温度，转炉停炉之后将环缝开度调整至100%，除尘风机转速调至2300转/分，喷淋塔水流量调整至280m3/h；降温完毕，将除尘风机转速调至1000转/分，关闭喷淋塔水流量，两人协同进入设备内部利用工具进行清理，利用500兆帕高压清洗器设备清理环缝顶部结渣；利用气动风炮、旋转狼牙棒工具清理环缝缝隙结垢积渣；人员分组轮流进行不间断清理；对入炉物料粉末率控制到5%以下，对大颗粒铁料进行筛分。
一种快速清理转炉喷淋塔环缝结渣方法

[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制备方法-CN202110103258.4有效
发明人： 刘旺平;梅劲;葛永晖;刘春杨;张武斌 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。p型AlGaN层上层叠包括氮极性AlGaN子层与镓极性AlGaN子层的p型复合欧姆接触层，氮极性AlGaN子层的极性与p型AlGaN层的极性相反，二者所产生的耗尽电场和外延层中自发产生的极化电场的方向相同，缩短耗尽区的宽度，获得低欧姆接触电阻，较低开启电压有利于缓解量子限制斯塔克效应，提高紫外发光二极管的发光效率。稳定的镓极性AlGaN子层作为过渡层连接p型AlGaN层与后续的电极或其他外延结构，有效提高p型复合欧姆接触层整体的质量，最终得到的紫外发光二极管的发光效率得到有效提高。
紫外发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110125820.3有效
发明人： 刘旺平;梅劲;刘春杨;葛永晖;张武斌 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底与n型层之间增加复合缓冲层，且复合缓冲层包括依次层叠的AlN子层及AlGaN子层。AlN子层包括层叠在衬底上的AlN膜及多个间隔分布在AlN膜上的AlN柱状凸起。AlGaN子层包括对应同轴覆盖在一个AlN柱状凸起的外周壁上的多个AlGaN筒，每个AlGaN筒的外径由每个AlGaN筒靠近AlN膜的一端至每个AlGaN筒远离AlN膜的一端减小，则相邻的AlGaN筒的外周壁之间会留存有类似倒锥形的间隙，阻止位错的延伸，这一空间接近衍射光栅的结构，也可以有效抑制光的横向传播，以提高发光二极管的出光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]一种便于检修的充电机-CN202222783075.4有效
发明人：朱小荣;宋飞;刘旺平 -专利权人：镇江港务集团有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于检修的充电机，涉及充电机检修技术领域，包括有充电机本体，所述充电机本体的右侧卡接有充电机盖，所述充电机本体的底端设置有移动轮，所述充电机盖的顶端设置有限位组件，所述限位组件包括：限位壳，所述限位壳固定连接在充电机盖的顶端；滑动块，所述滑动块滑动连接在限位壳的顶端，通过限位杆卡进开口内对充电机盖进行限位，进行第一步的固定，且当限位杆卡进开口的同时螺栓杆也会刚好对准螺纹孔的位置，此时转动把手，把手带动螺栓杆转动，将螺栓杆转动至螺纹孔内，从而可以进一步的对充电机盖进行固定，增加稳定性，且该过程操作起来较为方便，使用时间较少，具有较强的实用性。
一种便于检修充电机

[实用新型]一种可分段控制的保温散冷辊机构-CN202221999968.6有效
发明人：苏晓峰;景深;刘旺平;魏巍;曹琳;胡志涛;谢文康;贝罗欢;赵梅川;张砚朋;付浩田;李宁;张强 -专利权人：辛集市澳森钢铁集团有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B21B43/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及散冷棍的技术领域，且公开了一种可分段控制的保温散冷辊机构，包括两个固定板，两个固定板下侧均固定安装有两个支撑板，两个支撑板上活动贯穿有一组旋转管，每个旋转管上均固定套接有旋转辊，两个固定板下侧固定安装有旋转驱动，旋转驱动启动带动齿轮a旋转，从而可以通过链条带动齿轮b旋转，这样就可以带动旋转管旋转，从而可以带动旋转辊旋转，这样就可以将物品放置在旋转辊上进行运输，通过入水管将冷却液或者水导入水箱内，这样冷却液或者水就会进入旋转管内，从而为旋转辊进行降温，这样旋转辊就可以为上方运输的物品进行将，从而加速需要降温物品的冷却速度，这样就可以利用冷却液或者水在运输物品时进行降温。
一种分段控制保温散冷辊机构

[发明专利]石墨基板的烘烤方法-CN202110348804.0有效
发明人：葛永晖;梅劲;刘春杨;刘旺平;曹敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种石墨基板的烘烤方法，属于半导体技术领域。所述烘烤方法包括：将石墨基板放入烤炉中，对所述烤炉内部进行抽真空处理；将所述烤炉内的温度升高至设定温度；向所述烤炉内持续通入氮气，交替通入第一气体和第二气体，通入时间为t4，其中，第一气体为氢气，第二气体用于与所述石墨基板上的附着物进行氧化还原反应，使所述附着物脱离所述石墨基板，所述附着物至少包括铝氮、镓氮颗粒，或者氮化镓、氮化铝化合物；将所述烤炉内的温度降低至室温。采用该烘烤方法可以解决石墨基板不干净，表面容易有杂质附着的情况，改善外延片内圈波长偏短的问题。
石墨烘烤方法

[发明专利]提高二维电子气迁移率的HEMT外延片及其制备方法-CN202210364195.2在审
发明人：蒋媛媛;刘旺平 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高二维电子气迁移率的HEMT外延片及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在GaN沟道层与AlGaN势垒层之间增加复合插入层，且复合插入层包括依次层叠的第一Al金属子层、第一AlN子层、第二Al金属子层与第二AlN子层。提高第一AlN子层的生长均匀度与表面质量，提高GaN沟道层与AlGaN势垒层之间的二维电子迁移率。在第一Al金属子层与第一AlN子层上依次层叠第二Al金属子层与第二AlN子层，释放应力以减少缺陷；进一步提高晶体质量。提高GaN沟道层与AlGaN势垒层的界面质量并有效提高GaN沟道层与AlGaN势垒层之间二维电子气的迁移率。
提高二维电子迁移率 hemt 外延及其制备方法

[发明专利]低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法-CN202110593081.0有效
发明人：葛永晖;刘旺平;梅劲;刘春杨;陈张笑雄;王慧 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层本身的质量好，且对紫外光线的透过率高，减小对紫外光线的吸收以提高出光率。而使氯气电离的Cl‑作用于AlGaN欧姆接触层的表面，Cl‑与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键作用，在欧姆接触层的表面形成氯单分子层，达到使欧姆接触层的表面功函数得到明显降低的效果，从而有利于欧姆接触层与后续的电极金属导电层形成良好的欧姆接触，电极金属与AlGaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，紫外发光二极管所需的工作电压会较低，也可以提高紫外发光二极管的使用寿命。
欧姆接触紫外发光二极管外延制备方法

[发明专利]紫外发光二极管外延片制备方法及外延片-CN202010850062.7有效
发明人： 刘旺平;舒辉;张武斌;葛永晖;郭炳磊;刘春杨;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种紫外发光二极管外延片制备方法及外延片，属于发光二极管技术领域。在Al2O3衬底的第二表面上依次生长AlN层与Al层形成反射层。在生长反射层之前使用紫外光源对Al2O3衬底的第一表面进行照射时，Al2O3衬底中的Al、O键会被紫外能量破坏，Al2O3衬底的第一表面的表面粗糙度会增加，大部分紫外光的入射角相对第一表面的粗糙度较小时紫外光的入射角变大，相应地紫外光的折射率降低，紫外光的反射率提高。反射层仅包括AlN层与Al层双层结构，结构简单也易于制备，可以在提高紫外发光二极管的发光效率的同时降低紫外发光二极管的制备成本。
紫外发光二极管外延制备方法

[发明专利]改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法-CN202210141951.5在审
发明人：蒋媛媛;苏晨;刘旺平 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。硅衬底包括硅材料主体与氧化硅涂层，硅材料主体包括相互平行且相反的第一表面与第二表面，第二表面涂覆氧化硅涂层。在第一表面生长外延材料之前先对氧化硅涂层进行过饱和处理，保证氧化硅涂层缺失的部位可以得到填充，保证生长外延材料之前，硅衬底的氧化硅涂层的完整性。硅衬底的氧化硅涂层为完整且厚度均匀的一层材料，则硅衬底整体的厚度以及传热也较为均匀，可以保证在硅衬底上生长的外延材料的均匀生长与反应，降低最终得到的外延片中由氧化硅涂层导致的滑移缺陷，高电子迁移率晶体管的质量可以得到有效提高。
改善衬底质量电子迁移率晶体管外延制备方法

[发明专利]提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法-CN202210099672.7在审
发明人：蒋媛媛;刘旺平 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。在掺硼硅衬底的表面先生长第一AlN层，可以起到阻挡掺硼硅衬底的杂质的延伸。在生长完第一AlN层之后，向反应腔通入氯气对第一AlN层进行腐蚀，氯气可以腐蚀第一AlN层的表面以去除延伸至第一AlN层表面的部分缺陷，也可以使第一AlN层内部积累的应力可以被释放一部分。在通入氯气之后，对反应腔进行换气处理，生长第二AlN层，底层缺陷的减少以及晶体质量的提高，可以降低得到的HEMT外延片出现漏电的可能性，提高HEMT的可靠性。
提高晶体质量掺硼硅衬底 hemt 外延制备方法

[发明专利]提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法-CN202111574255.5在审
发明人：蒋媛媛;刘旺平 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。使用N2O气体对AlN层表面进行等离子体处理。得到带正电荷的氮原子团与氧原子团对AlN层表面进行等离子体处理。带正电荷的氮原子团会填充负极的AlN层中氮空位缺陷，减少缺陷。硅衬底表面的氧化物中分解出带负电荷的氧原子，与N2O等离子体中的氧原子原结合生成氧分子，减少杂质。氢气对AlN层表面进行等离子体处理，氢原子与氧原子也会结合生成H2O并被排出反应腔。有效减少AlN层中会存在的缺陷与杂质，有效提高AlN层的质量以提高最终得到的高电子迁移率晶体管的质量。
提高晶体质量电子迁移率晶体管外延制备方法

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