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[发明专利]一种基于蓝宝石衬底的AlON矩形纳米阵列及其制备方法-CN202110315304.7有效
发明人：岳文凯;李培咸;李智敏;周小伟;吴金星;王燕丽 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于蓝宝石衬底的AlON矩形纳米阵列及其制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在蓝宝石衬底的表面进行氮离子注入；S2、对经过氮离子注入的蓝宝石衬底进行退火处理，形成AlON矩形纳米阵列框架；S3、在AlON矩形纳米阵列框架上生长AlN；S4、对AlN进行原位高温退火，形成AlN高温保护层和AlON矩形纳米阵列，其中，AlON矩形纳米阵列嵌入蓝宝石衬底，AlN高温保护层位于AlON矩形纳米阵列上和蓝宝石衬底上；S5、在AlN高温保护层上制备HVPE‑AlN保护层。该制备方法制备得到了一种既保证蓝宝石衬底表面原子级光滑平整又可以稳定提升AlN材料质量和衬底出光效率的微/纳米结构蓝宝石图形化衬底。
一种基于蓝宝石衬底 alon 矩形纳米阵列及其制备方法

[发明专利]基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池-CN202010697623.4有效
发明人：许晟瑞;高源;吴浩洋;张雅超;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i‑GaN层、InxAl1‑xN层、n型InyGa1‑yN层、InzGa1‑zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1‑uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1‑xN层与n型InyGa1‑yN层和ScuAl1‑uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
基于 scaln inaln 极化插入增强电场极性 ingan 太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211460659.6在审
发明人：周龙;李鑫磊;张娇娇;林珍华;常晶晶;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：对基底依次采用生活用水和玻璃清洗剂的混合液、生活用水、无水乙醇各超声清洗，再用氮气吹尘枪吹干，再通过紫外‑臭氧装置处理；在处理后的基底表面旋涂电子传输层；将碘化铅、甲脒氢碘酸盐、甲基碘化胺、甲胺氯、碘化铯、碘化铷、L‑α‑磷脂酰胆碱和苯乙基氯化胺溶于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和乙二醇单甲醚的混合液中，获得钙钛矿前驱体溶液，将钙钛矿前驱体溶液刮涂至电子传输层的表面，形成钙钛矿层；在钙钛矿层表面旋涂空穴传输层；在空穴传输层和基底的表面蒸镀电极层。本发明在提高刮涂速度提升工艺制备效率的同时保证了良好的器件性能和稳定性。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法-CN202210784835.5在审
发明人：周小伟;黄晨曦;李培咸;冯晨宇;刘瑞宇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、应力调控层、高阻缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，其中，高阻缓冲层自下而上依次包括掺Fe的GaN缓冲层、六方BN缓冲层和掺C的GaN缓冲层；GaN帽层的上表面设置有相互间隔的源电极、漏电极和栅电极，源电极和漏电极与AlGaN势垒层形成欧姆接触；栅电极与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明利用高阻缓冲层不仅可以实现缓冲层的高阻特性，还可以防止Fe进入GaN沟道层，影响器件整体性能，并且还可以抑制电流崩溃现象的发生。
一种具有缓冲 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种p-BN/i-Ga2-CN202220988730.7有效
发明人：唐发权;周小伟;冯宸宇;陈超;张晨;杨雪;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/036 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种p‑BN/i‑Ga2O3/n‑Ga2O3的日盲型紫外探测器，包括：衬底、n型Ga2O3层、i型Ga2O3层、p型BN层、n型欧姆电极和p型欧姆电极；n型Ga2O3层位于衬底上；i型Ga2O3层和n型欧姆电极均位于n型Ga2O3层上，i型Ga2O3层和n型欧姆电极之间间隔设置；p型BN层位于i型Ga2O3层上；p型欧姆电极位于p型BN层上；其中，p型BN层采用纤锌矿型氮化硼材料，且p型BN层厚度为50‑100nm。本实用新型通过采用纤锌矿型氮化硼作为p型层，使得p型掺杂激活能只有31meV，可以使得p型BN层较易实现1×1018cm‑3以上的空穴浓度，使得P型氮化硼材料的电阻率可以降到12Ω.cm以下，由于p型BN层能够有效地提供空穴并与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间缩短、量子效率以及光谱响应度提升。
一种 bn ga base sub

[发明专利]一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法-CN202210537031.5在审
发明人：耿龙飞;王浩林;张紫璇;刘政;岳文凯;杨波;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法，利用有机溶剂较强的表面张力，借助超声条件破坏六方氮化硼层与层之间的范德华力，再采用胶带机械剥离而达到剥离氮化镓的目的。相较于现有技术采用激光剥离、化学剥离和磨削衬底等方式，本发明不需要特别的实验设备和化学处理，简单易行，成本低，耗时短，减少剥离过程对外延层薄膜的损伤，且衬底可以多次循环利用。本发明可以应用于半导体器件剥离转移，能够解除衬底限制，进一步提高器件的性能和可靠性；并且在外延氮化镓之前，通过高温热退火过程提高氮化铝层的结晶质量，后续可以获得高质量的氮化镓薄膜。
一种基于氮化外延生长剥离方法

[发明专利]一种基于化学气相沉积的单层二硫化钼及其制备方法-CN202210530739.8在审
发明人：刘政;王浩林;张紫璇;耿龙飞;刘洋;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于化学气相沉积的单层二硫化钼及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底；称取适量MoO3粉末装入一端开口的石英套管中；将衬底和装有MoO3粉末的石英套管放置在管式炉，衬底垂直放置在石英套管开口一侧，开口朝向衬底表面；称取适量的硫粉放置在管式炉的进气端一侧，且与MoO3粉末间隔适当距离；将MoO3粉末加热以使MoO3粉末蒸发；移动硫粉至靠近管式炉的中部，以使硫粉蒸发并与MoO3粉蒸汽发生反应；保温预定时间，以在衬底表面沉积大面积单层MoS2。本发明使用一端开口的石英套管装盛MoO3粉末，同时将生长衬底与气流方向垂直放置以减少衬底表面的浓度梯度，实现了厘米级单层二硫化钼的生长。
一种基于化学沉积单层二硫化钼及其制备方法

[发明专利]一种pin结构的日盲型紫外探测器及其制备方法-CN202210441468.9在审
发明人：周小伟;唐发权;冯宸宇;陈超;张晨;杨雪;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种pin结构的日盲型紫外探测器及其制备方法，包括：衬底、n型氧化镓层、n型欧姆电极、i型氧化镓层、p‑AlGaN/h‑BN超晶格层、p型氮化镓层和p型欧姆电极；n型氧化镓层位于衬底上；i型氧化镓层和n型欧姆电极均位于n型氧化镓层上，i型氧化镓层和n型欧姆电极之间间隔设置；p‑AlGaN/h‑BN超晶格层位于i型氧化镓层上，p型氮化镓层位于p‑AlGaN/h‑BN超晶格层上；p型欧姆电极位于p型氮化镓层上。本发明的P型超晶格层能够有效地提供空穴，高掺杂的p型GaN层可以与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间变短、量子效率以及光谱响应度提升。
一种 pin 结构日盲型紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件-CN202210577172.X在审
发明人：张紫璇;王浩林;耿龙飞;李潇潇;刘政;白艳;王琛泽;周小伟;谢涌;吴巍伟;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件，制备方法包括：利用水溶液，配置水溶性钨酸铵前驱体；利用紫外臭氧清洗仪，对衬底进行预处理；利用旋涂法，将水溶性钨酸铵前驱体旋涂于预处理后的衬底表面；利用CVD设备，以硫粉作为硫源，在旋涂后的衬底表面形成大面积且均匀的单层二硫化钨。本发明可以制备得到大面积均匀的单层二硫化钨。
一种大面积均匀单层硫化制备方法光电子元件

[发明专利]一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构及HEMT器件-CN202210343086.2在审
发明人： 李培咸;刘瑞宇;周小伟;黄晨曦 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构，包括：由下至上依次设置的硅衬底、AlN成核层、背势垒电子阻挡层、应力调控层、GaN高阻层、GaN沟道层和势垒层；硅衬底包括：由下至上依次设置的第一子衬底、第二子衬底和第三子衬底；背势垒电子阻挡层为周期性外延的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构。本发明还提供一种低缓冲层漏电电流的HEMT器件。本发明通过第一子衬底与第二子衬底接触形成PN结，阻止硅衬底与AlN成核层界面形成反型电子层，从而阻止硅衬底的电子进入应力调控层，减少缓冲层漏电。同时，采用超晶格结构的背势垒电子阻挡层能够有效提高AlN/Si衬底界面与应力调控层之间的势垒，阻挡衬底电子注入应力调控层，降低了应力调控层漏电。
一种缓冲漏电电流 hemt 外延结构器件

[发明专利]低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202010814955.6有效
发明人：许晟瑞;艾立霞;马德濮;张雅超;段小玲;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，该晶体管包括：自下而上依次层叠的衬底层、Ga极性GaN层和势垒层；源区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部；漏区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部，且与源区间隔设置；源极，设置在源区的上表面；漏极，设置在漏区的上表面；栅极，设置在势垒层的上表面，且位于源极和漏极之间；其中，势垒层的材料为n型AlxGa1‑xN，其中，0≤x≤1，源区和漏区均包括自下而上依次层叠的氮化的蓝宝石层和N极性GaN层。本发明的晶体管，采用了Ga极性GaN材料来实现AlxGa1‑xN/GaN异质结，保证高的电子迁移率，在N极性GaN材料上制作了源漏区欧姆接触电极，实现良好的欧姆接触，有效地降低了欧姆接触电阻。
欧姆接触电阻 gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]基于纳米图形的紫外量子点发光二极管及制备方法-CN201910169569.3有效
发明人：周小伟;王燕丽;訾亚丽;李培咸;许晟瑞;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子点阵列的紫外量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有紫外量子点发光二极管可靠性差、效率低和寿命不稳定的问题。其自下而上包括：衬底层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN单量子点层、p型AlzGa1‑zN层和电极，该n型AlxGa1‑xN层上设有直径为20‑150nm、高度为2‑35nm的量子点阵列，AlyGa1‑yN单量子点层位于量子点阵列上，以提高量子点发光二极管的可靠性和寿命稳定性。本发明使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的量子点阵列，在量子点阵列上直接生长量子点，提高了器件的可靠性和稳定性，可用于紫外及深紫外发光设备中。
基于纳米图形紫外量子发光二极管制备方法

[发明专利]基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法-CN201910169560.2有效
发明人：周小伟;訾亚丽;王燕丽;李培咸;许晟瑞;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有蓝绿量子点发光二极管电荷传输效率低，表面缺陷多的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、n型GaN层(2)、InxGa1‑xN单量子点层(3)和p型GaN层(4)，该n型GaN层上设有直径为20‑200nm，高度为3‑30nm，且分布均匀的纳米图形，该InxGa1‑xN单量子点层位于纳米图形上。本发明与传统量子点发光二极管相比，使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的纳米图形，在纳米图形上直接生长量子点，提高了电荷传输效率，降低了表面位错，能得到高效的蓝绿量子点发光二极管，可用于蓝绿光发光设备中。
基于纳米图形蓝绿量子发光二极管制备方法

[发明专利]石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用-CN202111517496.6在审
发明人：周春林;罗婷;吴巍伟;李培咸;冯焕然;苏晨;张劲松;杨毓枢;陈桎远;王磊;王旭 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜及其制备方法、应用，其制备方法包括以下步骤：S1、在PMMA/石墨烯薄膜上制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜；S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，然后真空干燥处理；S3、去除PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜中的PMMA，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，获得石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜。通过本发明所述制备方法制备的封装整体厚度较薄，且封装结构中的镍‑63辐射源薄膜的厚度仅约为1μm。
石墨封装超薄 63 辐射源薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种p-i-n结及制备方法、二极管和β核电池-CN202111518663.9在审
发明人：陈桎远;李培咸;周春林;吴巍伟;冯焕然;苏晨;徐盼;王旭;杨毓枢;何川;王磊;张劲松 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑i‑n结及制备方法、二极管和β核电池，p‑i‑n结由下到上依次为GaN缓冲层、GaN的n型掺杂层、掺入层i层和GaN的p型掺杂层，所述掺入层i层为由不同带隙的半导体材料薄层周期性地交替生长而成的量子阱结构，所述不同带隙的半导体材料包括GaN，还至少包括一种比GaN更宽带隙的半导体材料。本发明一方面通过增大耗尽区的宽度来增加电子空穴对的收集空间，减少扩散运动所带来的影响，从而可以产生更多的载流子，获得更大电流，另一方面引入了更宽带隙的半导体，有利降低由载流子扩散引起的反向饱和电流获得更高的开路电压，进而获得更高的能量转换效率。
一种制备方法二极管核电

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