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[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310815426.1在审
发明人：肖和平;任关涛;杨永杰;刘康 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层；在所述第二半导体层远离所述发光层的表面键合第二衬底，并去除所述第一衬底；制作贯穿所述第一半导体层、所述发光层并延伸至所述第二半导体层的台阶结构；制作覆盖所述台阶结构和所述第一半导体层表面的氧化层，所述氧化层具有连通所述第一半导体层的表面的第一通孔和连通所述台阶结构的台阶面的第二通孔；在高温环境下抽真空，以使腔内含氧量低于阈值；在所述第一通孔处制作第一电极，在所述第二通孔处制作第二电极。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善内量子效率的发光二极管及其制备方法-CN202310815336.2在审
发明人：肖和平;汪洋;黄彪彪 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善内量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括发光二极管包括层叠的衬底、n型层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层；所述电子阻挡层包括层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，所述第一电子阻挡层的Al组分含量高于所述第三电子阻挡层的Al组分含量。本公开实施例能降低极化效应，实现抑制电子泄漏和提高空穴注入的目的，提升内量子效率。
改善量子效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善翘曲的发光二极管及其制备方法-CN202310815681.6在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：向反应腔内通入Ga源，以在衬底的表面生长GaN层；停止通入所述Ga源持续第一时长；通入Al源持续第二时长，使Al源与所述GaN层反应形成第一AlGaN层；通入所述Ga源和所述Al源，在所述第一AlGaN层的基础上继续生长第二AlGaN层，得到缓冲层。本公开实施例能释放缓冲层内的应力，改善缓冲层容易出现翘曲的问题。
改善发光二极管及其制备方法

[发明专利]卡套-CN202310567172.6在审
发明人：吴涛羽;袁将峰;薛涛 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： F16L21/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种卡套，属于管道连接技术领域。所述卡套包括第一连接段、第二连接段和中间段，所述第一连接段、所述中间段和所述第二连接段依次相连，且所述第一连接段和所述第二连接段可拆卸地相连，以使所述第一连接段、所述中间段和所述第二连接段围成封闭的环形；所述中间段包括多个铰接段，相邻两个所述铰接段相互铰接，以使相邻两个所述铰接段之间展开或者收拢。本公开能够提高卡套与管道的贴合度。

[发明专利]显示面板及其显示方法、显示装置-CN202310594322.2在审
发明人：陈张笑雄;龚逸品;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/1675 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示面板及其显示方法、显示装置，属于显示器件领域。所述显示面板包括衬底以及位于衬底上的多个像素单元，每个像素单元包括，位于衬底上的LED子单元和第一电子墨水子单元、以及覆盖LED子单元和第一电子墨水子单元的钝化层；LED子单元包括依次层叠在衬底上的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，以及位于第一导电型半导体层上的第一电极和位于第二导电型半导体层上的第二电极；第一电子墨水子单元包括依次层叠在衬底上的第一像素电极、阻光层、第一电子墨水微球、导光层和第二像素电极，以及一端与第一像素电极连接、另一端穿过阻光层和导光层的电极延伸部。
显示面板及其方法显示装置

[发明专利]提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法-CN202111574240.9有效
发明人：王群;龚逸品;陶羽宇;茅艳琳;李鹏;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法，属于发光二极管制作领域。第一应变调节层包括依次层叠的第一调节子层与第二调节子层，第一调节子层中Al组分由0.7～1降低至0.05～0.2，第二调节子层中Al组分不变，且第二调节子层中Al组分与第一调节子层靠近第二调节子层的表面的Al组分相同，第一调节子层的厚度为第二调节子层的厚度的1～3倍。抵消部分热应力，提供张应力。第二应变调节层上中n型GaN调节子层与n型InGaN过渡到InGaN/GaN多量子阱层，In的分布更均匀，In在不同位置析出的情况也少，可以有效提高最终得到的发光二极管的出光均匀度。
提高均匀程度发光二极管外延制备方法

[发明专利]改善光串扰的显示面板及其制备方法-CN202310533958.6在审
发明人：肖和平;王江波;刘榕 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善光串扰的显示面板及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该显示面板包括：基板、光阻挡结构和多个LED芯粒，所述多个LED芯粒间隔排布在所述基板上，相邻的所述LED芯粒之间设有所述光阻挡结构。本公开实施例能改善LED芯粒之间光串扰的问题，提升显示面板的显示效果。
改善光串扰显示面板及其制备方法

[发明专利]具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法-CN202310351866.6在审
发明人：陈张笑雄;张舜;胡任浩;龚逸品;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法，属于显示技术领域。该发光器件，包括：发光二极管芯粒和白光转换层；白光转换层包括CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层，CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层均位于发光二极管芯粒的出光面。本公开能够提高发光器件的外量子效率。
具有白光转换发光器件电子设备制备方法

[发明专利]具有电子阻挡层的发光二极管及其制备方法-CN202310517721.9在审
发明人：李翠玲;蒋媛媛;从颖;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：依次叠设的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层，电子阻挡层包括依次叠设的第一AlGaN层和AlInGaN层。本公开能够有效的提高电子与空穴的复合效率。
具有电子阻挡发光二极管及其制备方法

[发明专利]反极性发光二极管及其制备方法-CN202310533186.6在审
发明人：杭伟;石时曼;赵秀梅;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种反极性发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、透明导电层、介质层、外延层和第一电极，所述透明导电层、所述介质层和所述外延层依次层叠在所述衬底上，所述第一电极位于所述外延层上远离所述衬底的表面；所述介质层远离所述衬底的表面具有露出所述透明导电层的第一通孔，所述透明导电层的至少部分位于所述第一通孔内，且与所述外延层相连；所述第一电极在所述衬底上的正投影与所述第一通孔在所述衬底上的正投影至少部分重合。本公开实施例能改善介质膜与外延层容易脱落的问题，提升发光二极管的可靠性。
极性发光二极管及其制备方法

[发明专利]石墨载盘-CN202310325899.3在审
发明人：陈张笑雄;胡任浩;张舜;龚逸品 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种石墨载盘，涉及半导体技术领域。该石墨载盘包括石墨覆盖盘，所述石墨覆盖盘的承载面具有多个第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁具有多个凸起结构，所述多个凸起结构沿所述第一凹槽的圆周方向分布。外延片的生长过程中，部分载流气体会流入第一凹槽的侧壁与行星盘之间的缝隙区域。第一凹槽侧壁上的多个凸起结构，使得流入该缝隙区域的载流，更容易形成湍流状态的载流场，湍流状态的载流场使得副反应生成物不易在该缝隙区域中堆积，避免了行星盘的旋转受到阻碍，从而影响到外延片的均匀性，同时也防止了行星盘旋转时，部分堆积的副产物被甩落至正在生长的外延片上，有利于提高外延片的晶体质量。
石墨

[发明专利]芯粒的分选排列方法和装置-CN202310259959.6在审
发明人：葛佳成;肖和平;刘康;何卫健;丁振韬 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开提供了一种芯粒的分选排列方法和装置，属于光电子技术领域。该分选排列方法包括：提供一承载膜，所述承载膜上具有多个芯粒放置区域；从一个晶圆中选取多个待转移芯粒；将所述待转移芯粒随机放置到所述承载膜上的所述多个芯粒放置区域中，且每个所述芯粒放置区域放置至多一个待转移芯粒。本公开能提升改善晶粒分选排列后芯粒片的整体亮度不均的问题，且提升晶粒分选排列效率。
分选排列方法装置

[发明专利]具有电子阻挡层的发光二极管及其制备方法-CN202310272540.4在审
发明人：李翠玲;纪磊;蒋媛媛;从颖;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：依次叠设的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层，电子阻挡层包括依次叠设的GaN层和石墨烯层。本公开能够有利于空穴向有源层方向迁移。
具有电子阻挡发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管电极的制备方法和发光二极管-CN202310335486.3在审
发明人：王新建;张圣君;尹潇潇;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管电极的制备方法和发光二极管，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成外延层；在外延层上形成光刻胶层，光刻胶层具有电极制备孔和环形槽，环形槽环绕电极制备孔，电极制备孔为锥孔，且锥孔横截面较大的一端靠近衬底；形成第一金属层，第一金属层位于光刻胶层远离衬底的表面、环形槽的内壁，以及电极制备孔的底部；形成第二金属层，第二金属层覆盖第一金属层，使电极制备孔的开口在第二金属层的作用下扩大；去除光刻胶层，保留电极制备孔底部的第一金属层和第二金属层，形成电极。本公开实施例能改善电极中第二金属层对第一金属层的包覆性，提升电极的制备质量。
发光二极管电极制备方法

[发明专利]一种发光二极管用电极制备方法-CN202310303197.5在审
发明人：王新建;张圣君;尹潇潇;张舜;陶羽宇 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管用电极制备方法，包括：涂覆光刻胶，并在所述光刻胶上制作电极制备孔以及多个隔热孔，所述多个隔热孔间隔分布在所述电极制备孔周围，所述电极制备孔贯穿所述光刻胶，所述隔热孔未贯穿所述光刻胶；其中，所述电极制备孔以及隔热孔在竖直平面的截面形状为梯形；在形成有所述电极制备孔和所述多个隔热孔的光刻胶上制作层叠电极金属层，所述层叠电极金属层包括位于所述光刻胶上的第一部分和位于所述电极制备孔中的第二部分；所述层叠电极金属层包括依次层叠的基础层以及包裹层，所述包裹层包裹所述基础层；剥除位于所述光刻胶上的第一部分，留下所述电极制备孔中的第二部分作为电极。
一种发光二极管用电极制备方法

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