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[发明专利]氧化锌材料、氧化锌膜的制备方法及光电器件-CN202210344539.3在审
发明人：宋音洁;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开一种氧化锌材料、氧化锌膜的制备方法及光电器件。所述氧化锌材料包括氧化锌纳米材料，所述氧化锌纳米材料表面形成有第一掺杂盐和/或阴离子配体。第一掺杂盐的LUMO能级一般都高于氧化锌纳米材料，第一掺杂盐可以对氧化锌纳米材料进行N型掺杂，提高氧化锌纳米材料的LUMO能级，增加阴极和氧化锌纳米材料之间的电子传输势垒，降低电子传输能力，平衡QLED的空穴和电子注入。其次，阴离子配体可以填补氧化锌纳米材料表面的氧空位、取代氧化锌纳米材料表面的部分羟基配体，阴离子配体比羟基配体更加稳定，能够有效避免淬灭量子点，当采用该电子传输膜制备成QLED时，可以提高QLED的发光效率和寿命。
氧化锌材料制备方法光电器件

[发明专利]一种高效诱导肌肉干细胞的培养基及方法-CN202310817999.8有效
发明人：郭莹;杨一行 -专利权人：夏同生物科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C12N5/077 文献下载
摘要：本发明涉及多能干细胞诱导技术领域，具体涉及一种高效诱导肌肉干细胞获得肌纤维或骨骼肌的方法。该方法首先是采用悬浮培养及三种肌肉干细胞诱导培养基进行分步诱导，之后采用含有牛血清和碱性成纤维细胞生长因子的培养基进行扩增，再之后采用含有特定化学小分子的分化培养基进行诱导分化，该方法可以快速的将多能干细胞诱导获得肌肉干细胞及成熟肌纤维或骨骼肌肉，并且一次性即可得到相当量的肌肉干细胞进行治疗及疾病模型的模拟，很好的解决了人源肌肉干细胞获取及扩增难的问题。
一种高效诱导肌肉干细胞培养基方法

[发明专利]一种发光器件及其制备方法、显示装置-CN202210163180.X在审
发明人：雷卉;吴龙佳;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开一种发光器件及其制备方法、显示装置。本申请的发光器件，包括依次层叠设置的阳极、发光层、辅助功能层、电子传输层和阴极；其中，所述辅助功能层包括绝缘纳米颗粒薄膜。通过设置辅助功能层，利用绝缘纳米颗粒薄膜使传输的电子能够均匀排布，提升了器件发光均匀性；同时绝缘纳米颗粒薄膜还将量子点发出的光线进行聚焦，之后将进行聚焦后的光线通过电子传输层进行传输，从而改善发光器件的出光均匀性，进一步增加出光效率。
一种发光器件及其制备方法显示装置

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN202010869025.0有效
发明人：夏思雨;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，设置在阳极与量子点发光层之间的PEDOT:PSS层，以及设置在PEDOT:PSS层与量子点发光层之间的间隔层，间隔层的材料为硫硒化锑纳米颗粒，硫硒化锑纳米颗粒的化学式为Sb2(S1‑xSex)3，其中，0x1。本发明的硫硒化锑间隔层的引入解决了PEDOT：PSS层易受潮而对QLED的各功能层造成破坏，提高了QLED的稳定性；同时增加了载流子迁移速率，有效平衡了QLED的电子传输速率与空穴传输速率，提高了空穴和电子在发光层复合的效率，提高了QLED的发光性能。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]将人体细胞重编程为诱导性多能干细胞的方法-CN202310811030.X有效
发明人：郭莹;杨一行 -专利权人：夏同生物科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C12N5/074 文献下载
摘要：本发明涉及多能干细胞重编程技术领域，具体涉及一种更简单高效的将人体细胞重编程为诱导性多能干细胞的方法。该方法通过在体细胞中同时转入OCT4、SOX2、LIN28三种转录因子，然后在佩非西替尼、VTP50469、SB203580、FPFT‑2216四种小分子的共同诱导作用下进行重编程，其外周血重编程效率能达到0.02%、诱导周期仅有14~16天，且体系稳定。
人体细胞编程诱导性多能干细胞方法

[发明专利]纳米颗粒、纳米颗粒组合物、发光二极管及显示装置-CN202210153051.2在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开一种纳米颗粒，包括核/第1壳层/……/第n壳层，其中，相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％。所述纳米颗粒中相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％，可以减少界面缺陷，提升纳米颗粒的稳定性及荧光量子效率，进而提高使用所述纳米颗粒制备的发光二极管的发光效率及寿命。另，本申请还公开一种包括所述纳米颗粒的纳米颗粒组合物、发光二极管及显示装置。
纳米颗粒组合发光二极管显示装置

[发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置-CN202210163356.1在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点，包括量子点核/第1壳层/······/第n壳层，n为大于等于1的整数，第1壳层的材料为ZnSe，量子点核与第1壳层之间、相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％。所述第1壳层有利于空穴注入量子点核内并限制电子注入量子点核内，使注入量子点核内的辐射复合发光的载流子趋于平衡，避免过量的电子使量子点带电，产生非辐射俄歇复合而淬灭；晶格失配度小于等于5％，可以使相邻的核与壳之间、相邻的壳与壳之间具有较少的界面缺陷，减少晶格应力所导致的在界面缺陷处形成的非辐射复合中心，从而提高发光二极管的发光效率及寿命。另，本申请还公开一种包括所述量子点的量子点组合物、发光二极管及显示装置。
量子组合发光二极管显示装置

[发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置-CN202111664359.5在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点的结构包括核/壳层1/……/壳层n，n为大于等于1整数，所述量子点满足以下条件：ECB壳层m‑ECB核≥0.4eV(1)其中，ECB壳层m为量子点第m个壳层的导带底能级，ECB核为核的导带底能级，1≤m≤n。所述量子点有电子限域、空穴非限域的特性，可以阻挡电子进入量子点核的内部，而使空穴顺利的进入量子点核的内部。
量子组合发光二极管显示装置

[发明专利]一种量子点发光二极管的处理方法-CN202111673065.9在审
发明人：关慧渝;杨一行;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点发光二极管的处理方法，包括：将量子点发光二极管粉碎，得到含有纳米粒子的碎屑，所述纳米粒子包含含有重金属元素的极性量子点和非极性量子点；将碎屑置于容器中，向容器中加入极性相反的第一溶剂及第二溶剂，第一溶剂的密度大于第二溶剂的密度；向所述容器中加入与所述第二溶剂的极性相同的第一配体，混合，静置，得到分层的处理液及位于处理液底部的碎屑；将处理液与碎屑分离，得到碎屑。所述处理方法通过溶液法将包含重金属的量子点从碎屑中分离，而得到重金属含量较低甚至不含重金属的碎屑，操作步骤简单，反应条件温和，可以避免高温焚烧量子点发光二极管带来的污染大、能耗高及危险系数高等问题。
一种量子发光二极管处理方法

[发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置-CN202111678095.9在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，其中，n为大于等于1整数，所述量子点满足以下条件：ECB壳层n‑ECB核≤0.4eV (1)其中，ECB壳层n为量子点的最外层壳层n的导带底能级，ECB核为量子点核的导带底能级，1≤m≤n。所述量子点具有空穴限域、电子非限域的特性，可以阻挡空穴进入量子点核的内部，而使电子顺利的进入量子点核的内部。
量子组合发光二极管显示装置

[发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置-CN202111670612.8在审
发明人：闫晓林;周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，所述量子点中至少存在一第x层壳层，当x＝1时，壳层1的导带底能级小于与其相邻的量子点核的导带底能级及壳层2的导带底能级，当2≤xn时，壳层x的导带底能级小于与其相邻的壳层x‑1的导带底能级及壳层x+1的导带底能级；和/或所述量子点中至少存在一第y层壳层，当y＝1时，壳层1的价带顶能级大于与其相邻的量子点核的价带顶能级及壳层2的价带顶能级，当2≤yn时，壳层y的价带顶能级大于与其相邻的壳层y‑1的价带顶能级及壳层y+1的价带顶能级。所述量子点可以延缓至少一种载流子注入量子点核内，而降低所述至少一种载流子的注入效率。
量子组合发光二极管显示装置

[发明专利]一种量子点纯化方法-CN202111661753.3在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点纯化方法，所述量子点纯化方法包括：提供待纯化的量子点溶液；向所述待纯化的量子点溶液中加入烷烃类非极性溶剂、醇相溶剂、有机胺和有机膦，得到混合溶液；待所述混合溶液分层，得到上层溶液和下层溶液；向所述上层溶液中加入沉淀剂，分离，得到纯化后的量子点。所述量子点纯化方法通过两相溶液萃取法对待纯化的量子点溶液进行萃取，可以有效地去除量子点表面吸附的不稳定的金属阳离子及阴离子，且所述量子点表面的金属阳离子和/或阴离子被去除后所产生的悬挂键会进一步与有机胺和有机膦作用形成配位键而被钝化，进而增强量子点的稳定性。
一种量子纯化方法

[发明专利]纳米颗粒分散液及其制备方法和量子点发光二极管器件的制备方法-CN202111484138.X在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10K50/80 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米颗粒分散液及其制备方法和量子点发光二极管器件的制备方法。所述纳米颗粒分散液包括表面具有含氟有机配体的氧化锌基纳米颗粒，以及极性溶剂；所述含氟有机配体中具有硼元素和/或磷元素。本申请的氧化锌基纳米颗粒分散液，通过在氧化锌基纳米颗粒表面引入具有高电负性的含氟有机配体，增加了氧化锌基纳米颗粒之间的静电排斥力，有效降低了氧化锌基纳米颗粒的团聚现象，提高氧化锌基纳米颗粒的分散性，有利于氧化锌基分散液的长时间稳定存放，以及在溶液法加工工艺中保证性质不变。
纳米颗粒分散及其制备方法量子发光二极管器件

[发明专利]纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件-CN202111389320.7在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，该纳米材料通过将金属氢氧化物层包覆在所述纳米金属氧化物表面，以此来钝化纳米金属氧化物表面的缺陷，减少表面缺陷对于电子的捕获，将该纳米材料作为电致发光器件的电子传输层时，可以改善发光层的猝灭效应，从而提高器件的稳定性。此外，该金属氢氧化物层还可以抑制纳米金属氧化物的生长，防止纳米材料的团聚，增强纳米材料的稳定性。
纳米材料制备方法电致发光器件

[发明专利]一种纳米材料及其制备方法、电子传输薄膜及光电器件-CN202111349437.2在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米材料，包括ZnO纳米颗粒及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的金属氢氧化物层。所述金属氢氧化物层可以有效地钝化所述ZnO纳米颗粒表面的缺陷态，从而减少ZnO纳米颗粒表面的缺陷数量，提升ZnO纳米颗粒的稳定性，并降低纳米材料的电子迁移率。另，本申请还公开了一种所述纳米材料的制备方法，包括所述纳米材料的电子传输薄膜及光电器件。
一种纳米材料及其制备方法电子传输薄膜光电器件

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