[发明专利]发光器件和照明系统有效
| 申请号： | 201510516402.1 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105390575B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 朴赞槿;金亨濬;郑明训;韩在雄 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 达小丽;夏凯<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光器件和照明系统。一种发光器件包括第一电极、布置在第一电极上并且包括第一导电掺杂剂的第一半导体层、布置在第一半导体层上并且包括具有比第一半导体层的掺杂浓度低的掺杂浓度的第一导电掺杂剂的第二半导体层、布置在第二半导体层上以调节应力的第三半导体层、在第三半导体层上的第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、在有源层上的第二导电半导体层、和在第二导电半导体层上的第二电极，第三半导体层具有在第二半导体层的掺杂浓度和第一导电半导体层的掺杂浓度之间的范围中的掺杂浓度，并且第三半导体层的掺杂浓度朝向第一导电半导体层增加。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 照明 系统 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：/n第一电极；/n第一半导体层，所述第一半导体层布置在所述第一电极上并且包括第一导电掺杂剂；/n第二半导体层，所述第二半导体层布置在所述第一半导体层上并且包括具有比所述第一半导体层的掺杂浓度低的掺杂浓度的第一导电掺杂剂；/n第三半导体层，所述第三半导体层布置在所述第二半导体层上以调节应力；/n在所述第三半导体层上的第一导电半导体层；/n在所述第一导电半导体层上的有源层；/n在所述有源层上的第二导电半导体层；以及/n在所述第二导电半导体层上的第二电极，/n其中，所述第三半导体层具有在所述第二半导体层的掺杂浓度和所述第一导电半导体层的掺杂浓度之间的范围中的掺杂浓度，以及所述第三半导体层的掺杂浓度朝向所述第一导电半导体层增加，/n其中，所述第一导电半导体层包括所述第一导电掺杂剂，所述第一导电掺杂剂具有比所述第二半导体层和所述第三半导体层的掺杂浓度高的掺杂浓度。/n
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- 本发明公开了一种高效发光二极管结构及制作方法，主要解决现有p型区中Mg的离化率和空穴迁移率低，量子阱中载流子限域性差的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)和n型Ga2O3层(3)，n型Ga2O3层的上面设有电极(6)和工作区层(4)，该工作区层包含六个周期的多量子阱垒层，每个周期包含一个AlxGa1‑xN量子阱层和一个量子垒层，工作区层的上面设有p型层(5)和电极(6)。该量子垒层和p型层使用BN材料制备，消除了多量子阱垒层间量子限制斯塔克效应，提高了p型层中Mg的离化率和空穴迁移率，增强了量子阱中空穴和电子的限域性，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
- GaN基发光二极管外延结构及其制备方法-201910802190.1
- 卢国军;游正璋 - 映瑞光电科技(上海)有限公司
- 2019-08-28 - 2019-11-29 - H01L33/06
- 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：依次叠设的衬底、N型外延层、量子阱发光层、电子阻挡层和P型外延层，其中，量子阱发光层包括多个交替叠设的势阱和势垒，势垒包括依次叠设的第一非掺杂层、P型掺杂掺层、第二非掺杂层、N型掺杂层和第三非掺杂层，其禁带宽度依次为Eg1、Eg2、Eg3、Eg4和Eg5，Eg1＜Eg2＜Eg3，Eg5＜Eg4＜Eg3。上述势垒包括多层结构，各势垒的禁带宽度自第二非掺杂层向两侧逐渐变窄，使得N型掺杂层中的电子和P型掺杂层中的空穴沿禁带变窄方向流入势阱，在势阱内复合发光，提高发光亮度。
- 发光器件和照明系统-201510516402.1
- 朴赞槿;金亨濬;郑明训;韩在雄 - LG伊诺特有限公司
- 2015-08-20 - 2019-11-26 - H01L33/06
- 本发明涉及一种发光器件和照明系统。一种发光器件包括第一电极、布置在第一电极上并且包括第一导电掺杂剂的第一半导体层、布置在第一半导体层上并且包括具有比第一半导体层的掺杂浓度低的掺杂浓度的第一导电掺杂剂的第二半导体层、布置在第二半导体层上以调节应力的第三半导体层、在第三半导体层上的第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、在有源层上的第二导电半导体层、和在第二导电半导体层上的第二电极，第三半导体层具有在第二半导体层的掺杂浓度和第一导电半导体层的掺杂浓度之间的范围中的掺杂浓度，并且第三半导体层的掺杂浓度朝向第一导电半导体层增加。
- 一种氮化物发光二极管-201710931478.X
- 郑锦坚;周启伦;钟志白;吴雅萍;王星河;李志明;杜伟华;邓和清;林峰;李水清;徐宸科;陈松岩;康俊勇 - 厦门三安光电有限公司
- 2017-10-09 - 2019-11-26 - H01L33/06
- 本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括：N型氮化物半导体，具有V‑pits的多量子阱，V‑pits调制填充层，电子阻挡层以及P型氮化物半导体，其特征在于：多量子阱和电子阻挡层之间或电子阻挡层和P型氮化物半导体之间至少具有一层V‑pits调制填充层，该层由V‑pits开口封闭层和V‑pits开口开启层构成的周期结构组成，通过V‑pits的开口的张大和缩小形成的周期结构，提升P型空穴注入量子阱的效率和局域量子限制效应，并提升对量子阱出射光的反射和散射，提升发光二极管的发光效率。
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