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[发明专利]一种具有N型电流拓展层的发光二极管外延结构-CN202210294401.7有效
发明人：刘康;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有N型电流拓展层结构的发光二极管外延结构，包括由下耳上生长的衬底、缓冲层、U型半导体层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，N型半导体层包括由下而上生长的N型半导体层一、N型电流拓展层、N型半导体层二，N型电流拓展层包括由下而上生长的轻掺杂Si的AlxGa1‑xN层、超重掺杂Si的N型GaN层、低掺杂Si的AlxInyGa(1‑x‑y)N/GaN超晶格层。通过加入轻掺杂Si的AlxGa1‑xN层，使此层中Al的高能级的屏障作用约束电子的流动方向，促使其横向扩展。解决了N型半导体层在做芯片电极的存在电流扩展不足，电压偏高，漏电偏大的问题。起到了增加电流扩展，降低电压的效果。
一种具有电流拓展发光二极管外延结构

[发明专利]一种氮化物半导体发光元件及其制作方法-CN202210712155.2有效
发明人：刘康;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，包括衬底，以及在该衬底上依次层叠设置的缓冲层、三维生长层、U型半导体层、N型半导体层、有源层及P型半导体层；所述三维生长层包括两个子层堆叠的多个复合生长结构，每个复合结构包含第一子层和第二子层，第一子层材料为GaN，优选的为U型GaN；所述第二子层为InAlN，其组分配比范围为InxAl1‑xN，其中0.05＜x＜0.5，优选的组分配比为In0.17Al0.83N。本发明通过生长新型的三维生长层，为成核小岛纵向三维生长形成大岛，最终大岛合并，为后续生长平整高长晶质量低缺陷密度的GaN层铺垫，能够改善减少现有技术中外延片结构中的缺陷位错，改善长晶质量，提高ESD抗静电能力和发光效率。
一种氮化物半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管-CN202310036188.4有效
发明人：郭园;王淑姣;吕腾飞;宋长伟;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管，该外延结构将第二缓冲层分为二段，第二段的Si掺杂浓度低于第一段的Si掺杂浓度，且多量子阱层包括第一多量子阱层及置于其上的第二多量子阱层，所述第一多量子阱层的Si掺杂浓度低于所述第二多量子阱层的Si掺杂浓度且高于所述第二缓冲层的Si掺杂浓度。本发明通过调整N型半导体层至P型半导体层之间Si浓度曲线的变化，既改善LED的电性能又可以减少对MQW晶体质量的影响，从而提升LED发光效率。
一种具有缓冲外延结构包含发光二极管

[发明专利]有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片-CN202310059892.1有效
发明人：吕腾飞;郭园;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片，其外延结构包括衬底，以及依次位于其上的缓冲层，未掺杂U型GaN层，GaN层，有源层，p型GaN层及p型接触层；所述有源层从下至上依次为有源阱层和有源垒层交替生长形成，其中，有源垒层包括掺Si有源垒层和至少一层的掺Mg有源垒层。本发明利用阱层和垒层交替层叠而成的有源层结构，并至少在其中一个量子垒中通入一定量的Mg，让有源垒层中的空穴向两侧量子阱中迁移，改善只有后几个阱发光的情况，从而提升内量子效率，提升发光效率。
有源垒层掺 mg 外延结构制备方法芯片

[实用新型]一种隧道施工用隧道支护装置-CN202321080547.8有效
发明人：刘伟;孙义林;张洪榛;展望;田忠林;王成明;蔡敦煌;贾国梁;周涛;张东旺;高鹏 -专利权人：山东省高速养护集团有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： E21D11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隧道施工用隧道支护装置，其包括支撑架，支撑架固设有第一气缸，第一气缸的输出端固设有第一防护板，支撑架沿宽度反向的两侧均设有移动箱，支撑架设有驱动两个移动箱同步运动的驱动机构；移动箱固定连接有支撑板，支撑板固定连接有第二防护板，第二防护板沿宽度方向的两端分别转动连接有第三防护板和第四防护板，支撑板设有驱动第三防护板和第四防护板旋转的旋转机构，支撑架下端部设有若干组用于驱动支撑架运动的驱动装置。本申请有利于减小隧道内壁土质松动、碎石滑落伤人的概率，便于实现对隧道内壁的支撑和防护效果。
一种隧道施工支护装置

[实用新型]一种新型集料分料器-CN202321102496.4有效
发明人：李作钰;于悦;展望;董昭;张弛;李腾飞;刘飞;刘德朋;柳久伟;符东绪 -专利权人：山东省交通科学研究院;山东高速交通建设集团股份有限公司;山东省高速养护集团有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及分料器技术领域，具体为一种新型集料分料器，包括支撑箱体、箱盖、装料结构，装料结构包括支撑箱体内部上端设置有金属板，金属板平铺与支撑箱体侧壁上端之间形成装料斗，装料斗内设置有搅拌结构，金属板下端设置有翻转结构，金属板下侧的支撑箱体内设置有分料结构，分料结构下端连通接料斗，有益效果为：本实用新型通过设置箱盖能够防止粉尘的挥发，设置搅拌结构可以避免集料颗粒级配离析，通过设置小型振动马达代替人工铺平，级配更加均匀，通过设置等间距的分料板代替人工四分集料，操作方便、分料准确，设置呈抽屉式的集料斗，在取出集料后可直接称取集料质量，增加使用便利性和使用效率。
一种新型集料料器

[实用新型]一种碎石路基施工装置-CN202321044561.2有效
发明人：谭程;田忠林;苏建军;杨明文;曹笋;蔡敦煌;展望;李永超;刘德鹏;刘培露;孔飞 -专利权人：山东省高速养护集团有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： E01C19/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碎石路基施工装置，其包括车体，所述车体设有运输带，运输带固设有若干挡板，车体内设有第一筛选板和用于对大尺寸碎石进行破碎的破碎机构，第一筛选板沿长度方向的两端分别与运输带和破碎机构相对应；车体内设有第二筛选板，第二筛选板固定连接有承载板，车体设有用于对第二筛选板和承载板上的碎石进行铺设的铺设机构。本申请有利于提升碎石路基铺设的均匀程度，便于提升对路面的施工质量。
一种碎石路基施工装置

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202111651209.0有效
发明人：王淑姣;郭园;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层包括高温多量子阱层和低温多量子阱层，低温多量子阱层包括第一子层、超晶格结构层和第二子层；超晶格结构层包括呈周期性依次交替层叠设置的AlGaN层、GaN层和AlInGaN层。该发光二极管中的V形坑浅而小，可有效抑制电子泄漏，减缓效率衰减及改善漏电性能；且还可扩大发光横截面积，增加电子空穴的有效交叠，促进载流子在阱间交互，从而提升LED的发光效率。
一种发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种可调节斜盘泵-CN202320570988.X有效
发明人：展望;朱鹤;吴继群 -专利权人：丹鸟机电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： F04B53/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节斜盘泵，包括连接法兰，套接在连接法兰左端位置处的套接外壳，使套接外壳与连接法兰连接的膨胀胶塞，通向套接外壳内壁位置处的通过圆孔，位于套接外壳内部位置处的柔软海绵，套接在套接外壳内侧位置处的不锈钢滚珠，所述套接外壳通过膨胀胶塞与连接法兰固定连接，所述不锈钢滚珠的下端插入到柔软海绵的内部位置处，在连接法兰的左端位置处设置有弧形凹槽，将套接外壳下端位置处膨胀胶塞插入到弧形凹槽的内部位置处，通过通过圆孔将柔软海绵涂有润滑油，柔软海绵紧贴在输出轴的外壁位置处来对其外壁增加润滑效果，润滑油会慢慢覆盖其全身，在传递到外部连接件上，使得输出轴可以高效的进行工作。
一种调节斜盘泵

[发明专利]一种电力调峰系统及其方法-CN201710581917.9有效
发明人：杨豫森;崔华;徐波;谭智;陈辉;展望;陈超;朱明志 -专利权人：赫普热力发展有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H02J3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力调峰系统，属于火力发电技术领域。其中调峰系统包括：控制装置(10)用于根据当前需求负荷和/或当前时间向电能转热能装置(20)发送第一控制指令和/或向热传递装置(30)发送第二控制指令；电能转热能装置(20)用于根据所述第一控制指令使用所述电厂输出电能，将所述电能转换为热能后输送至热传递装置(30)；热传递装置(30)，其第二输入端与所述电厂连接，输出端与海水淡化系统连接，用于根据所述第二控制指令使用所述电厂输出热能，将所述热能以及第一输入端接收的热能输送至海水淡化系统。既能够精准有效进行电力调峰，又能够利用过剩的热能和电能去淡化海水，缓解中国特别是北方地区缺乏淡水的困境。
一种电力系统及其方法

[发明专利]一种LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202111655190.7有效
发明人：吕腾飞;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管外延片技术领域，具体而言，涉及一种LED外延片及其制备方法、LED芯片。所述的LED外延片包括在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、有源层、耗尽区层和P型半导体层；所述耗尽区层包括依次层叠设置的第一超晶格层和第二超晶格层；所述第一超晶格层包括周期性交替生长的AlN层和P型AlGaN层；所述第二超晶格层包括周期性交替生长的P型GaN层和P型InN层。所述第一超晶格层的势能高，可以阻挡电子，减少电子溢流；所述第二超晶格层提供空穴，以减少P型半导体层提供的空穴在耗尽区的能量损失，从而提高有源层中空穴的数量，进而提高电子和空穴的辐射复合效率。
一种 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]一种kubernetes部署不同CPU架构的方法-CN201911068886.2有效
发明人：王文岗;石光银;蔡卫卫;高传集;展望 -专利权人：浪潮云信息技术股份公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：本发明公开一种kubernetes部署不同CPU架构的方法，涉及kubernetes集群部署技术领域；编译不同CPU架构下的k8s的各个组件，编写dockerfile，制作用于安装集群的相关镜像manifest，修改harbor,使其支持manifest，编写集群安装脚本，开启docker manifest功能，使用docker manifest相关命令，使集群安装脚本自动拉取当前CPU架构的镜像，并按不同CPU架构执行相应安装脚本的安装；利用本发明方法可以在不同cpu架构下部署k8s集群，并正常运行。
一种 kubernetes 部署不同 cpu 架构方法

[发明专利]一种以四联噻吩为变色主体的可溶性电致变色聚合物及制备与应用-CN202010818237.6有效
发明人：李维军;展望;张诚;张凌 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一种基于四联噻吩为变色主体的油溶性电致变色聚合物，如式(1)所示。以及提供一种基于四联噻吩为变色主体的油溶性电致变色聚合物的制备方法，所述油溶性电致变色聚合物由溶液加工方式制作成电致变色聚合物薄膜。本发明表现出合理的电化学稳定性，光谱电化学测试结果表明这是一种具有潜在应用价值的电致变色材料，具有普适性、加工方便。
一种噻吩变色主体可溶性聚合物制备应用

[发明专利]一种吲哚衍生物-proEDOT类化合物及其制备与应用-CN202010818272.8有效
发明人：张诚;展望;李维军;张凌 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：一种吲哚衍生物‑proEDOT类化合物及其制备与应用，该化合物以吲哚衍生物为中心核，化合物3,4‑(2,2‑二甲基丙烯二氧基)噻吩(proEDOT)为支臂，结构如式(1)所示。本发明的有益效果主要体现在：(1)本发明提供一种Y型易形成网状结构的材料，经电化学聚合成膜，所得到的薄膜较为均匀且表现出较大的比表面积，同时表现出良好的电致变色等电化学性能；(2)以本发明化合物为单体经电化学制得的薄膜能够实现从黄色至绿色(0.9V)与灰色(1.2V)任意切换，光学对比度为20％～40％，响应时间为0.5～4s之间，在任意波段均表现出较为良好的光谱电化学稳定性，是一种具有良好应用前景的电致变色材料。
一种吲哚衍生物 proedot 化合物及其制备应用

[发明专利]一种吲哚衍生物-噻吩类化合物及其制备与应用-CN202010767036.8有效
发明人：张诚;展望;李维军;张凌 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07D487/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种吲哚衍生物‑噻吩类化合物及其制备与应用，该化合物以吲哚衍生物为中心核，噻吩为外围基团，结构如式(1)所示。本发明的有意效果主要体现在：(1)本发明吲哚衍生物‑噻吩类化合物由于具有网状体型的空间结构，经电化学聚合成膜，所得到的薄膜表现出较大的比表面积，同时表现出良好的电致变色等电化学性能；(2)以本发明化合物为单体经电化学制得的薄膜能够实现从黄色至绿色任意切换，光学对比度为20％～50％，响应时间为0.5～9s之间，在任意波段均表现出较为良好的光谱电化学稳定性，是一种潜在的可用于军事伪装电致变色材料。
一种吲哚衍生物噻吩化合物及其制备应用

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