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[发明专利]基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法-CN202311201390.4在审
发明人：张泽雨林;张春福;刘丁赫;陈大正;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质pn结准垂直器件。本发明能够扩大氧化镓外延薄膜器件的应用范围。
基于蓝宝石衬底外延垂直器件及其制备方法

[发明专利]一种半透明反式全无机钙钛矿太阳电池制备方法-CN202311161864.7在审
发明人：张春福;柴文明;朱卫东;习鹤;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半透明反式全无机钙钛矿太阳电池制备方法，涉及钙钛矿光伏技术领域，包括：提供一基底；以不同的旋涂速度，将CsPbI3钙钛矿前躯体溶液旋涂在基底上，形成CsPbI3钙钛矿中间相薄膜；将异丙醇钛和异丙醇的混合溶液涂敷在CsPbI3钙钛矿中间相薄膜上，形成层叠的CsPbI3钙钛矿中间相和异丙醇钛复合前驱体薄膜；对CsPbI3钙钛矿中间相和异丙醇钛复合前驱体薄膜进行退火处理，形成黑相CsPbI3钙钛矿薄膜和无定形的电子传输层；在电子传输层上沉积电极，得到半透明反式全无机钙钛矿太阳电池。本发明制备的钙钛矿太阳电池能够在高湿的空气环境中稳定工作。
一种半透明反式无机钙钛矿太阳电池制备方法

[发明专利]基于倒置两步法的CsPbBr3-CN202310881589.X在审
发明人： 陈大正;王子昊;张春福;朱卫东;周龙;习鹤;何逸冰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于倒置两步法的CsPbBr3太阳电池制备方法，实现步骤为：在透明导电衬底上沉积电子传输层和CsBr；生成CsPbBr3吸光层；生成空穴传输层；生成氧化钼缓冲层；获取制备结果。本发明首先在透明导电衬底上沉积n型半导体氧化物作为电子传输层，并在形成的电子传输层上沉积CsBr薄膜，然后在CsBr薄膜上沉积PbBr2薄膜，经过退火结晶，形成CsPbBr3钙钛矿层，这种倒置两步法由于CsBr层的密度与CsPbBr3层的密度相近，在沉积的过程中所形成的两个薄膜体积变化较小，能够降低晶格畸变并使CsBr和PbBr2反应更充分，能够降低载流子的复合，进而有效提高了CsPbBr3太阳电池的光电转换效率。
基于倒置步法 cspbbr base sub

[发明专利]一种大面积图形自对准的异质集成方法-CN202010143372.5有效
发明人：张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积图形自对准的异质集成方法，主要解决现有基于转印技术的异质集成工艺会使被转印物之间的位置产生偏差的问题。其实现方案是：在SOI基片上形成微结构硅阵列；刻蚀掉微结构硅阵列以外暴露的埋氧化层；在微结构硅图形边缘制作光刻胶定位锚；完全刻蚀掉SOI基片的埋氧化层；将转印媒介与SOI基片先耦合再进行剥离，以在转印媒介上获取SOI基片上的微结构硅阵列；转印媒介将微结构硅阵列释放至接收基片上；在获取微结构硅的接收基片上刻蚀出自对准的微结构硅图形，完成无偏差的自对准异质集成。本发明优化了转印异质集成的工艺，增强了转印技术的可靠性，从而提高器件的良率与性能，可用于异质集成芯片的制作。
一种大面积图形对准集成方法

[发明专利]一种P型DSOI FinFET器件和抗单粒子效应反相器-CN202311155038.1在审
发明人：张春福;郭云峰;陈大正;朱卫东;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型DSOI FinFET器件和抗单粒子效应反相器，该P型DSOI FinFET器件包括衬底层，设置于衬底层上的第二埋氧层，设置于第二埋氧层上的绝缘体上硅，设置于绝缘体上硅上的第一埋氧层，设置于第一埋氧层上表面的两端的源极和漏极，设置于第一埋氧层的上表面且位于源极和漏极之间的栅极，分别垂直且间隔设置于第一埋氧层上的数条鳍，且数条鳍贯穿源极、栅极和漏极，设置于鳍和栅极之间的栅氧化层，本发明的P型DSOI FinFET器件可以有效控制第一埋氧层的内部电场，具有较好抗单粒子效应的能力。
一种 dsoi finfet 器件粒子效应反相器

[发明专利]一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构-CN202010339245.2有效
发明人：刘志宏;郝璐;张进成;赵胜雷;周弘;张雅超;张苇杭;段小玲;陈大正;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：硅衬底层；高热导率介质层，位于所述硅衬底层的上表面；缓冲层，位于所述高热导率介质层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。本发明提供的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，由于采用高热导率介质层来实现硅衬底层与缓冲层之间的键合，既保持了高键合强度、高机械强度、高稳定性，又减小了器件的热阻，从而提高了硅基氮化镓微波器件的散热性能。
一种散热增强氮化微波器件材料结构

[发明专利]一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管及其制备方法-CN202311130773.7在审
发明人：张春福;刘丁赫;张泽雨林;赵胜雷;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管，包括：异质衬底、N+氧化镓层、阴极、N‑氧化镓层、P型氧化镍层和阳极。本发明为实现高热导率异质衬底支撑的氧化镓器件采用准垂直结构，极大地降低了器件热阻，提高散热能力，有效地提高了器件的使用可靠性。此外，本发明引入P型氧化镍形成异质PN结，解决了氧化镓P型掺杂难的问题。本发明还提供一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管的制备方法，采用异质集成方法将高热导率异质衬底与氧化镓结合，实现热场、电场、结构力场等多物理场耦合，提供了缓解氧化镓基器件严重自热效应的改良方案，有利于发展适用于高电压高功率低热阻的氧化镓基电力电子器件。
一种基于衬底垂直结构氧化二极管及其制备方法

[发明专利]有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池及制备方法-CN202210214450.5在审
发明人： 陈大正;郭其睿;张春福;朱卫东;习鹤;何逸冰;白倩玉;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池及制备方法，有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池包括依次层叠的透明电极层、第一传输层、有机/钙钛矿三元混合吸光层、第二传输层和金属电极层，其中，所述有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料混合的体异质结结构。该薄膜太阳电池中，有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料结合三元体系，提升了太阳电池有源层对太阳光谱600～800nm波长内光子的利用效率，从而增加了吸光层的吸光范围和吸光强度，避免了纯有机光伏器件的波段跳跃性吸光，提升了太阳光谱利用率，提高了器件光电转换效率，可用于高效、低成本光伏发电。
有机钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种0D-3D混合维度全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202310670694.9在审
发明人：朱卫东;巴延双;张春福;习鹤;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种0D‑3D混合维度全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法，该制备方法包括：选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底并进行预处理；在FTO电极阴极上制备TiO2电子传输层；在TiO2电子传输层上旋涂卤化铅与卤化铯的混合溶液形成第一薄膜；在第一薄膜上旋涂卤化铯水溶液，以将第一薄膜转化成为0D‑3D钙钛矿薄膜，形成0D‑3D钙钛矿光活性层；在0D‑3D钙钛矿光活性层上沉积碳电极，获得0D‑3D混合维度全无机钙钛矿光电探测器。该方法在3D钙钛矿中引入了0D钙钛矿，0D钙钛矿有助于抑制3D钙钛矿在高温条件下的晶格膨胀，使得依照此方法制备的光电探测器不仅能够在高温下稳定工作，而且制备工艺简单、成本较低。
一种混合维度无机钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池-CN202010697623.4有效
发明人：许晟瑞;高源;吴浩洋;张雅超;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i‑GaN层、InxAl1‑xN层、n型InyGa1‑yN层、InzGa1‑zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1‑uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1‑xN层与n型InyGa1‑yN层和ScuAl1‑uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
基于 scaln inaln 极化插入增强电场极性 ingan 太阳能电池

[发明专利]一种高质量CsPbBr3-CN202210152508.8在审
发明人： 陈大正;张春福;何逸冰;朱卫东;张泽雨林;许育;习鹤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、雾化沉积的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气化学沉积法生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够减少CsPbBr3薄膜的缺陷，提高薄膜结晶度，减少电荷复合，能够提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种质量 cspbbr base sub

[发明专利]一种表面平整的CsPbBr3-CN202210153474.4在审
发明人： 陈大正;何逸冰;张春福;朱卫东;张泽雨林;许育;习鹤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面平整的CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、表面平整的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够降低CsPbBr3表面缺陷，提高表面平整度，从而改善第二传输层的形貌，减少CsPbBr3钙钛矿和传输层间的电子空穴复合，提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种表面平整 cspbbr base sub

[发明专利]一种基于双面半透明钙钛矿的太阳能电池模组及制备方法-CN202310454106.8在审
发明人：张春福;周龙;葛恒航;朱卫东;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K30/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双面半透明钙钛矿的太阳能电池模组及制备方法，太阳能电池模组包括透明玻璃衬底层、第一透明电极层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层、缓冲层、第二透明电极层和封装保护及减反射层。本发明可以减少钙钛矿吸光层、空穴传输层等的横向离子扩散，进而提高太阳能电池模组的工作稳定性。本发明的封装保护及减反射层不仅能保护太阳能电池模组减少水汽的侵害，稳定太阳电池的结构，而且通过封装保护及减反射层中的减反射作用，可以增强太阳能电池模组对光的利用率。
一种基于双面半透明钙钛矿太阳能电池模组制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法-CN202310298337.4有效
发明人：张春福;周龙;朱卫东;陈大正;习鹤 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法，电池包括硅基太阳能电池和设置在硅基太阳能电池之上的钙钛矿电池，钙钛矿电池自下而上依次包括第二ITO透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、第三ITO透明导电层、第二金属电极银层，电子传输层自下而上依次包括C60材料层、第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的材料均为不同的氧化物。本发明可以提高叠层太阳能电池的光电转换效率以及稳定性。
一种钙钛矿硅叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种多源高压气体雾化的垂直结构Mist-CVD设备-CN202211616685.3在审
发明人：张泽雨林;张春福;陈大正;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种多源高压气体雾化的垂直结构Mist‑CVD设备包括：连接的雾化颗粒生成装置和反应装置，雾化颗粒生成装置和反应装置呈竖直结构设置；雾化颗粒生成装置包括高压气体发生室和多个前驱溶液储存腔室，反应装置包括反应腔室；其中，高压气体发生室内存储有高压气体或设置有气体增压设备以提供高压气体；前驱溶液储存腔室用于存储前驱溶液；高压气体进入第一管路后与进入第一管路的前驱溶液接触，前驱溶液在高压气体作用下进行雾化得到雾化颗粒，雾化颗粒通过第一管路进入反应腔室内反应生长得到半导体薄膜。本发明的Mist‑CVD设备避免了水平结构Mist‑CVD设备在薄膜成型过程中出现的薄膜均匀性不足的问题。
一种高压气体雾化垂直结构 mist cvd 设备

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